SK海力士市值突破1万亿美元 成为亚洲第三家市值突破1万亿美元的企业
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高带宽存储器HBM
【SK海力士市值突破1万亿美元 成为亚洲第三家市值突破1万亿美元的企业】财联社5月27日电，SK海力士过去一年股价飙涨超过900%后，市值突破1万亿美元大关，反映投资人对其在AI高阶记忆体市场地位的高度信心。作为英伟达高频宽记忆体芯片的主要供应商，SK海力士周三股价一度上涨11%，成为亚洲第三家市值突破1万亿美元的企业；三星电子本月早些时候晋升亿万美元俱乐部。SK海力士已成为全球AI基础建设扩张中的关键枢纽。记忆体芯片成为限制资料中心扩产速度的重要瓶颈。投资人和分析师预期，记忆体芯片短缺预计将持续到2027年，这将使SK海力士、三星和美光掌握前所未见的定价能力。美光的市值本周也激增突破1万亿美元大关。
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20 只 · 按关联度排序
太
93%
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025年7月正式生效，覆盖2025-2030年），以"全部成本+约定收益"模式向SK海力士提供半导体后工序（封装测试）服务，是A股唯一与SK海力士有直接长期服务合同的上市公司。
香
92%
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通过子公司联合创泰持有SK海力士官方授权代理资格（商络电子公告明确列为拥有SK海力士代理权的分销商），94.2%收入来自电子元器件分销，SK海力士是核心供应商之一，产品应用于云计算存储和服务器领域。
华
85%
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国内先进封装龙头，掌握TSV、2.5D/3D、Bumping等HBM核心封装技术，已开发ePoP/PoPt高密度存储器封装，2.5D/3D封装产线完成通线。2025年报明确HBM、CoWoS等先进封装需求爆发驱动增长。近5日主力资金净流入约18亿元，市场高度关注。
佰
85%
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与SK海力士等存储晶圆原厂签订长期供应协议保障存储晶圆稳定供应。掌握2.5D/Chiplet等HBM相关先进封装技术，2025年报详细分析SK海力士HBM业务增长及供需格局，嵌入式存储收入占60.9%，直接受益于AI存储需求爆发。
兆
82%
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国内存储芯片龙头，71.3%收入来自NOR Flash/利基型DRAM/SLC NAND。SK海力士等大厂产能转向HBM挤压传统DRAM供给，导致利基型DRAM供不应求、量价齐升，公司2025年报披露DDR4 8Gb产品收入贡献快速提升，是存储涨价周期核心受益标的。
通
82%
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国内先进封测龙头，已掌握TSV、2.5D/3D、Fan-Out等HBM相关封装技术，在公告中明确通过TSV与硅中介层技术实现HBM封装。与AMD等大厂深度合作，先进封装受益于HBM生态扩张。
北
82%
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通过ISSI布局DRAM存储芯片，61.4%收入来自存储芯片业务。2025年报明确分析HBM产能急剧趋紧正挤压传统DDR4/LPDDR4产能，引发DRAM缺货涨价潮，公司直接受益于这一供给重构趋势。
华
80%
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国内CMP设备龙头，2025年4月公告第1000台CMP设备出机，明确提及紧跟HBM、CoWoS等先进封装技术发展趋势。CMP是HBM制造中TSV工艺的核心设备，直接受益于SK海力士扩产带来的设备需求。
江
80%
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全球领先的存储品牌企业，嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%。2025年报指出AI服务器DRAM用量是普通服务器8倍、NAND用量约3倍，HBM产能紧张推动DDR5价格阶段性快速上涨，公司直接受益于AI存储需求爆发。
晶
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晶圆级封装技术领先企业，掌握TSV（硅通孔）核心技术，2025年报明确TSV驱动2.5D/3D封装成为HBM及高性能计算需求外溢的主要载体，全球先进封装市场约160亿美元规模，深度受益于HBM产业链扩张。
华
80%
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国内环氧塑封料（EMC）龙头，93.5%收入来自EMC。2025年报明确Chiplet、HBM等先进封装技术对封装材料提出更高要求，公司作为国内主要EMC供应商，HBM产能扩张带动先进封装材料需求爆发。
德
80%
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高端电子封装材料企业，底部填充胶(Underfill)、导热界面材料等产品直接应用于HBM/CoWoS先进封装。2025年报明确HBM、CoWoS先进封装需求爆发带动TSV材料、导热界面材料等高端品类需求激增。
联
78%
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国内硅微粉龙头，球形硅微粉58.4%收入，是HBM先进封装用环氧塑封料(EMC)的核心填料。公告明确EMC用于先进封装（含HBM），MUF封装用电子级超细高纯球形二氧化硅已入选省级重点新产品目录。
东
78%
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国内少数可同时提供NAND(65.2%)、NOR、DRAM完整存储芯片解决方案的公司。HBM产能挤占传统DRAM供给，DRAM系列产品直接受益于涨价周期，且1xnm闪存产品已量产。
芯
78%
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直写光刻设备龙头，WLP/PLP系列产品支持TSV、RDL、Bumping等HBM先进封装工艺。2025年报明确产品应用于2.5D/3D封装，HBM产能扩张对先进封装光刻设备形成持续需求。
精
78%
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55.6%收入来自半导体存储器件测试设备，是国内头部存储厂商主力供应商。2025年报分析HBM、先进封装对测试设备信号精度和多通道协同能力提出严苛要求，直接受益于HBM测试设备国产替代。
神
76%
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半导体刻蚀用单晶硅材料供应商，硅零部件54.1%收入。2025年报直接引用SK海力士业绩及HBM市场预测，分析HBM三维堆叠对TSV刻蚀工艺提出更高要求，刻蚀材料用量随之提升，间接受益于SK海力士扩产。