三星电子、SK海力士屡创新高触发意外抛售 今年合计净流出资金达586亿美元
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【三星电子、SK海力士屡创新高触发意外抛售 今年合计净流出资金达586亿美元】财联社5月29日电，全球投资者今年疯狂涌入三星电子和SK海力士股票交易，推动这两只内存股分别上涨了147%和245%，但飙升的股价给一些基金带来了意想不到的麻烦。由于这两家公司股价屡创新高，已经触及了一些基金单只股票持仓比例上限10%的限制，迫使这些基金抛售这两只股票。苏黎世的GAM投资管理公司和新加坡的Jupiter资产管理公司据悉正是触发此类抛售的公司之一，其已经无奈调整了投资组合。这一被迫抛售无疑凸显了当前内存市场的拥挤程度，也可能进一步加大波动性。截至周四，全球投资者净抛售了价值636亿美元的韩国股票，这是自1999年有数据以来最大的单月抛售量。其中，三星和SK海力士今年合计净流出资金达586亿美元。
相关股票
17 只 · 按关联度排序
澜
90%
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全球内存接口芯片龙头，DDR5 世代 RCD/MDB 芯片营收占比 94.2%。三星/SK 海力士 DRAM 颗粒出货量直接决定内存模组配套芯片需求，两家合计占全球 DRAM 市场 65.8% 份额（TrendForce 2025Q3），其交易拥挤引发的波动不改变 DDR5 渗透率提升趋势。近 5 日主力净流入 4.2 亿元，资金看好其内存生态核心地位。
兆
88%
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国内存储芯片龙头，存储芯片营收占比 71.3%，SPI NOR Flash 全球市占率第二。与长鑫存储深度合作布局 DRAM，直接对标三星/SK 海力士的 DRAM/NAND 业务。韩系内存遭技术性抛售凸显国产替代紧迫性，公司作为国产存储核心标的将持续受益于供应链自主可控趋势。
北
87%
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通过全资子公司 ISSI（北京矽成）布局 DRAM/SRAM 存储芯片，存储芯片营收占比 61.4%，境外收入 82.7%。ISSI 在全球汽车级/工业级 DRAM 市场具有重要地位，与三星、SK 海力士在利基型 DRAM 领域直接竞争。近 5 日主力净流入 5.9 亿元，资金博弈国产替代逻辑显著。
佰
85%
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2025 年报明确引用三星/SK 海力士 DRAM 市场份额数据（33.2%/32.6%），作为国内存储模组龙头（嵌入式 60.9%、PC 存储 32.7%），大量采购韩系 DRAM/NAND 颗粒。韩系内存被迫减持不改供需紧平衡格局，公司作为下游模组厂直接受益于内存价格景气周期。
江
83%
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国内存储品牌龙头，产品覆盖嵌入式存储 44%、固态硬盘 24.5%、内存条 9.7%。NAND Flash 和 DRAM 颗粒主要采购自三星、SK 海力士、美光等原厂。三星/SK 技术性抛售不改变 AI 驱动的存储需求结构，公司 DDR5 内存条已通过国产 CPU 平台验证，持续受益行业高景气。
东
82%
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国内少数同时量产 NAND Flash（65.2%）、NOR Flash、DRAM 的存储芯片设计公司。直接对标三星/SK 海力士中小容量存储市场，国产化率不足 10%（TrendForce）背景下替代空间广阔。韩系内存拥挤交易加速产业关注转向国产存储方案。
雅
82%
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半导体材料营收占比 31.4%，HBM 概念核心标的。前驱体材料是 HBM 制造关键耗材，SK 海力士和三星是 HBM 全球前两大供应商（合计占 90%+ HBM 市场）。其 HBM 产能扩张直接拉动公司前驱体材料需求，大基金持股验证产业地位。
聚
80%
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存储类芯片营收占比 87.6%，DDR5 内存模组必备 SPD EEPROM 芯片核心供应商。与澜起科技合作开发的 DDR5 SPD 芯片已在全球主要模组厂大规模应用。每根 DDR5 内存条必须搭载 SPD 芯片，DRAM 颗粒出货量直接决定公司配套芯片需求。
德
78%
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存储模组厂商，SSD 42.5%、嵌入式 34%、内存条 9.7%。从三星、SK 海力士等原厂采购 NAND/DRAM 颗粒进行模组化生产。作为国内存储主控芯片首家上市公司，在国产替代浪潮中具备先发优势，存储模组产品覆盖消费级和企业级全场景。
精
78%
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半导体存储器件测试业务营收占比 55.6%，国内存储器测试设备龙头。三星/SK 海力士 HBM 及 DDR5 产能扩张直接拉动测试设备需求。公司已进入国内主流存储厂供应链，Memory 测试设备国产替代加速下充分受益。
诚
77%
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存储产品销售占比 62.7%（2025 年报），年报明确披露广泛支持三星、铠侠、海力士、长江存储等各家存储原厂的相关存储晶圆产品。通过子公司芯存诚邦布局存储模组产品，直接使用韩系存储颗粒进行封装和模组生产。
华
75%
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HBM 封装材料核心标的，环氧塑封料营收占比 93.5%。2025 年报明确提及 HBM 先进封装技术发展驱动封装材料需求升级。SK 海力士和三星是全球 HBM 前两大供应商，其先进封装扩产直接拉动公司环氧塑封料出货量。
联
75%
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数据存储主控芯片营收占比 87.6%，国内 SSD 主控芯片领先企业。主控芯片是 SSD/嵌入式存储的核心部件，三星/SK 海力士 NAND Flash 颗粒需搭配主控芯片使用。国产替代加速下公司 PCIe Gen5 主控已实现规模出货。
朗
72%
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闪存应用产品营收占比 70.9%，产品覆盖 SSD、DDR5 内存条等。作为老牌存储品牌企业，NAND Flash 和 DRAM 颗粒主要源自三星/SK 海力士等原厂，DDR5 内存条随市场普及率提升持续放量。国资入主后战略升级加速。
中
72%
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等离子体刻蚀设备龙头，HBM 概念标的。刻蚀设备是 3D NAND 和 DRAM 制造核心设备，也是 HBM TSV 工艺关键设备。三星/SK 海力士持续扩建 3D NAND 和 HBM 产能，公司作为国产刻蚀设备龙头间接受益于全球存储资本开支扩张。
普
70%
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NOR Flash/EEPROM 芯片设计公司，2025 年报明确将三星电子列为客户。DDR5 SPD 芯片已批量出货。产品应用于三星手机等消费电子，三星产业链关联度高。存储芯片全面涨价周期下公司 NOR/EEPROM 产品充分受益。
长
70%
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全球封测龙头，境外收入 78.3%。具备 2.5D/3D 先进封装能力，HBM 封装是 SK 海力士/三星 HBM 产业链关键环节。在韩国设有生产基地，深度参与全球存储芯片封测生态。存储芯片出货量高景气直接带动封测需求。