硅光200G PD芯片单价暴涨5倍以上至2-3美金，锗硅产能紧缺成为光模块价值上移的核心瓶颈
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申万电子指出，200G PD芯片单价已飙至2-3美金，较此前涨价5倍以上。NVIDIA单家1.6T光模块需求从2026年月约100万只暴增到2027年的月20000多万只；NPO时代Driver单价被推高至40-80美金，轻相干方案中TIA/Driver芯片单模块价值量突破100美金，光模块价值重心正剧烈向上游芯片迁移。涨价核心原因是锗硅产能供给偏紧——硅光PD芯片需锗外延工艺，且锗对纯硅CMOS产线是“剧毒“污染源，少数代工厂不愿在同一洁净室混线生产，导致产能弹性极低。涉及A股相关产业链标的包括卓胜微（12英寸锗硅产能）、中微公司等。
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优
93%
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公司核心产品为TIA(跨阻放大器)和LDD(激光驱动器)芯片，新闻指出TIA/Driver单模块价值突破100美金、Driver单价推高至40-80美金。公司具备锗硅Bi-CMOS双工艺设计能力，公告明确提及'CMOS与锗硅工艺融合是硅光技术核心方向'。TIA收入占比13.7%、收发合一芯片84.3%，是光模块价值重心上移的直接受益方。近4日主力净流入5075万元。
卓
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新闻直接点名卓胜微拥有12英寸锗硅产能。锗硅产能是200G PD芯片涨价的根本瓶颈（锗对CMOS产线是'剧毒'，少数代工厂愿混线），拥有锗硅产能的代工厂产能利用率和议价能力将大幅提升。近4日主力净流入3.72亿元，资金高度认可该逻辑。
中
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全球光模块龙头，高端光模块收入占比98%。NVIDIA 1.6T光模块需求从月约100万只暴增至月约2000万只，公司作为英伟达核心供应商直接受益于量价齐升。境外持仓占比6.97%显著高于市场均值，是光模块景气周期核心标的。
中
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新闻直接点名中微公司。公司核心产品等离子体刻蚀设备和MOCVD设备是锗硅产线建设的关键设备。锗硅产能扩张需大量采购刻蚀/薄膜沉积设备，公司作为国产半导体设备龙头将充分受益于下游代工厂的Capex周期。
天
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光有源器件收入占比58.1%，英伟达光模块供应链核心器件供应商，连续多年被行业主流客户评为优秀供应商。NVIDIA 1.6T需求暴增直接拉动公司光有源器件订单。近4日主力净流入6.28亿元，境外持仓占比7.11%显著高于市场均值。
剑
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高速光组件与光模块收入占34.7%、利润贡献53.7%。公告明确披露'凭借硅光技术优势、800G/1.6T产品研发能力，实现规模化生产，切入全球主流供应链'。硅光模块是最直接受益于NVIDIA 1.6T需求的细分赛道。
云
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锗产业链龙头，光伏级锗产品（太阳能锗晶片）是锗外延工艺核心材料，收入占比18.5%。公告显示光通信市场景气度提升带动化合物半导体材料销量增加。锗硅产能扩张直接拉动锗原材料需求，公司2025年业绩预告中光伏级锗产品需求已显著增长。
光
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国内光器件龙头，具备光电子芯片（含探测器芯片）到模块的全产业链能力，产品涵盖200G/400G/800G/1.6T全系列光模块。50年光通信积淀，连续18年入选中国光器件最具竞争力企业10强榜首。PD/探测器芯片自研能力使其在芯片涨价周期中具备供应链优势。
源
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数据中心光芯片IDM（设计+晶圆制造一体化），数据中心产品收入65.4%、利润贡献81.3%。主营50G/100G激光器芯片及CW光源，1.6T光模块需求暴增带动高速率光芯片出货量提升，已批量供货国内外主流光模块厂商。
华
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光电器件收入占比42.5%，子公司华工正源拥有从芯片外延生长、管芯制作到器件模块的全套工艺产线。光迅科技公告中亦提及华工科技为国内少数拥有芯片外延生长能力的厂商，受益于光模块景气上行。
光
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光通讯器件收入占比53.3%，薄膜铌酸锂(TFLN)调制器芯片是1.6T以上超高速模块核心技术方案。公告指出数据中心和AI算力驱动800G/1.6T光模块放量，公司AWG芯片等光芯片产品需求同步增长。
兆
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光模块新赛道布局者，公告显示已完成近5万平米智造基地，200G及以下光模块已规模化生产，400G/800G进入小批量，1.6T多路径攻关中。25G DFB光芯片已量产，大功率CW DFB/50G EML面向1.6T应用在研，垂直整合布局受益于产业链景气。