财联社6月10日电，韩国KOSPI指数下跌5%报7691.62点，SK海力士跌7.9%，三星电子跌6.8%。
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财联社6月10日电，韩国KOSPI指数下跌5%报7691.62点，SK海力士跌7.9%，三星电子跌6.8%。
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太
95%
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子公司海太半导体为SK海力士提供半导体后工序服务（封装测试），2025年签署《第四期后工序服务合同》，以'全部成本+约定收益'模式续约5年；2026年预计对SK海力士的后工序服务关联交易额约6亿美元，另涉及原材料出售约800万美元。SK海力士股价暴跌7.9%，直接冲击太极实业约15.3%的半导体业务收入预期。近4日主力资金净流入2.3亿元。
华
88%
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公司简介明确披露已进入SK海力士、三星电子等全球领先半导体企业的供应链体系。主营电子特气（光刻混合气体等），对国内8寸以上晶圆厂客户覆盖率超90%，半导体行业利润占比53.1%。SK海力士/三星若缩减资本开支，将直接影响其半导体特气需求。近4日资金面中性，主力净流出1366万元。
香
85%
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旗下联合创泰拥有SK Hynix海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占94.2%（2025年报）。作为SK海力士存储器颗粒的授权分销商，SK海力士股价暴跌7.9%反映存储行业潜在需求下行，将直接冲击其分销业务收入和库存价值。近4日主力净流出约5亿元，资金面偏弱。
兆
82%
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国内存储芯片龙头，NOR Flash全球市占率第二，存储芯片收入占71.3%（2025年报）。产品涵盖NOR Flash、SLC NAND和利基型DRAM，与SK海力士/三星在利基存储市场存在直接竞争。韩国巨头股价暴跌或预示其竞争压力加剧，加速存储芯片国产替代进程。近4日主力净流出约13.4亿元，前期涨幅较大。
北
80%
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存储芯片收入占61.4%（2025年报），通过收购ISSI（北京矽成）布局车规级DRAM和SRAM，是国内DRAM芯片设计的重要玩家。DRAM市场由三星、SK海力士、美光三家寡头垄断，韩国巨头股价波动加速客户寻求国产DRAM替代方案。近4日主力净流入1.06亿元，资金面偏强。
江
78%
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全球领先存储品牌企业，主营嵌入式存储（44%）、SSD（24.5%）、内存条（9.7%），从三星、SK海力士采购NAND/DRAM颗粒。存储颗粒价格受韩国巨头产能决策主导，其股价暴跌预示行业景气存疑。公司自研SLC NAND芯片及主控，向国产化转型。近4日主力净流出约12.1亿元。
佰
78%
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存储模组+HBM概念，年报详细分析HBM行业趋势，指出2026年全球DRAM市场规模预计同比增长144%至4043亿美元。公司推进'高性能存储+先进封测'双轮驱动。三星/SK海力士HBM龙头股价暴跌影响HBM产业链情绪，但也强化国产HBM替代预期。
东
76%
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国内少数同时提供NAND Flash（收入占比65.2%）、NOR Flash、DRAM完整解决方案的存储芯片设计公司。产品与三星、SK海力士的SLC NAND和利基DRAM存在直接竞争关系，韩国存储巨头股价暴跌加速存储芯片国产化率提升。
大
75%
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半导体存储器收入占89.8%（2025年报），年报明确披露'在供应链建设方面，使用三星、海力士等国际存储企业产品方案'。韩国存储巨头股价暴跌直接影响其上游采购成本和产品竞争力。公司同步布局长江存储、长鑫存储国产方案。
通
75%
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布局存储芯片封测产能，公告明确'本土封测企业正迎来覆盖存储芯片全产品线的新增需求窗口'，'推进存储芯片领域国产替代'。SK海力士/三星是存储封测的重要需求方，其股价暴跌预示封测订单可能承压，同时加速国内存储封测自主化。
德
72%
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主营存储模组和主控芯片设计，公告强调'存储芯片自给率较低，国产替代具有急迫性'。三星、SK海力士是存储颗粒核心供应商，其股价暴跌映射行业周期风险，公司同时布局长江存储、长鑫存储国产方案。
神
70%
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半导体级单晶硅材料供应商（硅电极、硅环片），产品出口日韩美。2025年报深入分析SK海力士HBM战略，提及SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上。若其缩减资本开支，将影响上游硅材料需求。海外收入占比23.3%。
上
70%
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研发用于3D NAND/DRAM存储芯片制造用蚀刻液系列产品，年报明确'针对3D NAND、DRAM存储工艺需求的蚀刻类配方型化学品积极布局'，助力国产存储芯片发展。韩国存储巨头若产能收缩，国产存储客户将加速材料国产化导入。
微
68%
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ALD与高端CVD设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，年报明确'相关设备对推动3D DRAM、3D NAND等存储芯片技术迭代具有关键支撑'。三星/SK海力士若缩减存储产能，国内存储厂商扩产动力增强，利好国产设备商。