机构：英伟达下调Vera CPU搭载容量 凸显LPDRAM供给缺口难以缓解 且中长期需求呈上扬趋势
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【机构：英伟达下调Vera CPU搭载容量 凸显LPDRAM供给缺口难以缓解 且中长期需求呈上扬趋势】《科创板日报》10日讯，TrendForce集邦咨询调研结果指出，英伟达决议将次世代Vera Rubin Superchip模组所搭载的SOCAMM容量砍半，此一调整并非英伟达下修存储器总需求量，而是应对供应端2027年初步规划配给英伟达的产能不足的事实。在此背景下，英伟达选择调降单颗容量、扩大模组出货数量，以强化其市占，同时凸显LPDDR5X供给缺口难以被填补与中长期需求上扬的趋势。尽管目前存储器原厂对2027年皆有扩产计划，但整体位元增幅仍不及买方市场释出的需求。鉴于三星、SK海力士及美光初步规划给予英伟达的LPDRAM供应仅能满足该品牌约60%的需求，且上调空间有限，英伟达近期决议调整Vera Rubin Superchip模组搭载的SOCAMM模组容量，以满足更多Vera CPU的出货需求，并提前应对后续货源持续紧张的风险。
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佰
92%
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公司LPDDR5X产品2025年出货量持续攀升（年报披露），LPCAMM2模组完整支持LPDDR5X低功耗模式，直接对标SOCAMM模组形态；嵌入式存储收入占60.9%，LPDDR全线覆盖2/3/4/4X/5/5X标准及8Gb~128Gb容量；年报明确提及英伟达Blackwell GPU放量带动HBM/LPDDR需求，大基金二期持股，研发封测一体化模式直接受益于LPDRAM供给缺口下的量价齐升。
澜
85%
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内存接口芯片收入占比94.2%，年报披露三星、SK海力士、美光为其主要下游客户，这三大原厂正是英伟达LPDRAM供应商；LPCAMM/SOCAMM模组需配置SPD和PMIC配套芯片（公司核心产品线），LPDRAM出货量增加直接拉动配套芯片需求；DDR5内存接口芯片全球领先，MRDIMM/MRCD/MDB芯片布局AI服务器内存升级路径，主力5日净流出约10亿元但境外持仓显著高于市场均值。
长
82%
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年报披露封测服务覆盖DRAM、Flash全品类存储芯片，拥有20多年memory封装量产经验及32层闪存堆叠、25um超薄芯片制程能力，与全球前三大存储器制造商（三星、SK海力士、美光）密切合作；与长鑫科技存在日常关联交易关系，后者为中国第一、全球第四DRAM厂商；LPDRAM扩产直接拉动封测需求，公司获闪迪全球"战略合作伙伴"奖，主力5日净流出约15亿元但境外持仓显著高于市场均值。
江
78%
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LPDDR产品覆盖4Gb至64Gb容量，已获联发科、紫光展锐等平台认证；嵌入式存储收入占44%，内存条占9.7%，全线受益于LPDRAM涨价周期；公告披露公司LPDDR产品在智能手机、平板、车载等领域获优质客户认可；作为全球化存储品牌企业，LPDRAM供给紧张将推升其存储模组产品售价与毛利率。
通
75%
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存储芯片封测能力全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品，包括LPDDR5先进封装（募集说明书披露）；与领军企业建立长期稳定合作关系，封装测试业务收入占97.6%；本土存储封测企业迎来覆盖存储芯片全产品线的新增需求窗口，LPDRAM扩产直接提升封测订单量。
北
73%
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存储芯片收入占61.4%（2025年报），为第一大收入来源；LPDDR4产品已推向市场，3D DRAM研发持续推进；公告指出其存储产品具有自主可控、高性能低功耗特质，深受全球品牌客户认可；作为国内少数具备LPDDR量产能力的IC设计公司，LPDRAM涨价周期中存储芯片业务弹性显著。
聚
72%
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存储类芯片收入占87.6%，SPD芯片是SOCAMM和LPCAMM内存模组必需配套芯片（年报明确提及SOCAMM类型模组需配置SPD芯片）；英伟达扩大Vera CPU SOCAMM出货量直接拉动SPD芯片需求；客户涵盖三星、海力士等存储器原厂，LPDRAM模组出货量增加直接带动配套芯片销量。
兆
70%
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存储芯片收入占71.3%，DRAM芯片研发及产业化项目持续推进（公告披露向全资子公司增资实施DRAM募投项目）；2025年存储芯片营收同比增长约26.41%，受益于行业供给紧缩带来价格上行；虽以利基型DRAM为主，但LPDRAM整体供需紧张将传导至整个DRAM价格体系，公司间接受益。
东
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DRAM产品线已拓展至LPDDR4x（业绩快报披露），是目前大陆少数同时提供NAND+NOR+DRAM完整存储芯片解决方案的公司；DRAM收入占5.8%占比尚小但产品线持续丰富，LPDRAM供给紧张背景下国产替代需求有望加速其DRAM产品导入。
德
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嵌入式存储收入占34%，内存条类产品占9.7%；公告援引TrendForce数据指出LPDDR4合约价涨幅达60%-85%，公司LPDDR产品线受益于涨价周期；存储模组全产品线布局（固态硬盘、嵌入式存储、移动存储、内存条），LPDRAM供给紧张推动存储模组整体价格上行。
商
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作为长鑫科技内存产品在中国（含大陆、香港）及东南亚地区的授权代理商（2026年授权有效期至2027年1月），直接受益于长鑫科技DRAM/LPDDR产能扩张与出货增长；长鑫科技为中国第一、全球第四DRAM厂商，LPDRAM供给缺口下国产替代加速利好其分销业务量。
大
60%
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半导体存储器收入占89.8%，已量产LPDDR4X 4GB产品并启动LPDDR5、eMMC等嵌入式存储产品研发（增发预案披露）；公告指出国际原厂产能优先分配给HBM等高端产品导致成熟存储领域供给紧张，LPDRAM供需缺口环境下公司作为中小存储厂商可承接部分溢出需求。