路透报道称中国对磷化铟实施出口管制，供应链紧张威胁AI数据中心建设

公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司是A股唯一已公告量产InP单晶片的企业。2026年4月公告投资1.89亿元扩建磷化铟单晶片产能，目标年产45万片（折合4英寸），含6000片6英寸。2025年报显示化合物半导体材料收入占比12.9%、利润占比14.3%。公司同时生产砷化镓晶片和磷化铟晶片，是中国III-V族化合物半导体衬底核心供应商。出口管制将极大提升国内InP衬底的战略价值。近4日主力净流

公司是国内领先的光芯片IDM厂商，主营DFB、EML激光器芯片及大功率CW光源，核心产品基于InP（磷化铟）材料平台。2025年报明确指出'基于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的光芯片是激光雷达核心部件'。数据中心产品收入占比65.4%为第一大业务。硅光方案中CW DFB激光器是核心外置光源，公司50mW/70mW/100mW大功率CW光源产品直接受益于InP供应收紧带来的国产替代逻辑。

公司正在建设'年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目'，明确包含砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线。2026年3月进展公告显示25G DFB已试生产，CW DFB和50G EML激光芯片按计划研发中；800G光模块已进入小批量生产阶段。公司是少数同时布局InP光芯片+高速光模块垂直一体化的厂商，InP出口管制将强化其自主可控地位。

公司2025年报明确指出'当前光调制核心技术聚焦硅光（SiPh）、磷化铟（InP）和铌酸锂三大材料平台'，InP是其核心技术路线之一。公司是全球仅有的几家海底长途光网络核心器件供货商，光通讯器件收入占比53.3%。其超高速光通信调制器芯片与模块应用于1.6T以上超高速光模块，InP材料供应链紧张将直接利好掌握InP技术路线的国产替代企业。

公司拥有PLC、III-V族（含InP激光器芯片FP/DFB/EML/VCSEL、探测器芯片）、SIP硅光三大光芯片平台。2025年报'接入和数据'业务收入占比70.9%，是国内光器件龙头，连续18年入选全球光器件最具竞争力企业10强。InP出口管制将强化其III-V族自主光芯片平台的竞争壁垒。公司正推进1.6T光模块方案研发，是AI数据中心光互联核心供应商。

公司是铟锭生产企业，铟金属保有资源量3332.25金属吨，2025年1-9月铟锭产量21.21吨。铟是制造磷化铟（InP）的关键原料，出口管制将推升国内铟的战略储备价值和价格预期。2025年报显示铟锭收入占比1.1%，公司锡、锑、铟保有矿产资源量均排名广西第一。铟价上涨对公司业绩有直接正面影响。近4日主力净流入约6246万元。

公司是国内少数研发和量产高功率半导体激光器芯片的企业，产品包括高功率单管、巴条及VCSEL系列。公司已建成从芯片设计、MOCVD外延到封装测试的完整工艺平台，拥有高速光通信半导体激光芯片产品线。InP是半导体激光器芯片的关键衬底材料，出口管制将强化国内InP激光芯片企业的供应链安全优势。

公司已更名为'铟靶新材（哈尔滨）股份有限公司'，主营业务转为资源综合回收利用类（2025年报收入占比96.9%），核心产品涉及铟靶材及铟相关材料加工。铟是磷化铟（InP）的关键原材料，出口管制将提升国内铟加工企业的战略地位。公司更名为铟靶新材体现其聚焦铟材料的战略转型方向。

公司MOCVD设备是化合物半导体材料外延的核心装备，可用于InP、GaAs等III-V族半导体材料的外延生长。2025年报指出'MOCVD设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备'。中国加码InP出口管制将推动国内InP产能扩张，MOCVD设备作为上游核心装备将间接受益。

公司专注光通信前端收发电芯片设计，2025年报数据中心产品收入占比达65.4%。虽然公司本身不直接使用InP材料，但其下游客户（光模块厂商）的InP光芯片供应链受管制影响，可能加速国产光芯片+国产电芯片的整体配套需求。公司155Mbps至100Gbps产品已批量出货，400G/800G收发芯片正在研发中。