港股市场两倍做多海力士转跌 抹去早盘15%的涨幅
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半导体
【港股市场两倍做多海力士转跌 抹去早盘15%的涨幅】财联社6月12日电，港股市场两倍做多海力士转跌，此前一度涨15%；两倍做多三星电子涨幅收窄至约14%，此前一度涨23%。消息称，全球银行正在限制对冲基金对亚洲顶级芯片制造商(包括SK海力士和三星电子)的杠杆押注。
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15 只 · 按关联度排序
佰
92%
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概念板块含「高带宽存储器HBM」，主营业务为半导体存储器研发封测一体化。2025年报披露HBM市场规模307.5亿美元（同比>100%），公司基于1c nm工艺的DDR5、HBM4正从送样验证迈向大规模量产。嵌入式存储收入占比60.9%，先进封测业务收入占比1.5%。近4日主力资金净流出4.13亿元，资金面呈撤退态势。
香
91%
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公司简介明确载明「拥有SK Hynix海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格」，概念板块含「高带宽存储器HBM」。电子元器件分销占营收94.2%，代理产品覆盖服务器、手机等多行业。海力士是全球HBM市场份额超50%的龙头，公司作为其核心代理商，股价与海力士情绪高度关联。近4日主力资金净流出0.36亿元，资金面中性。
澜
90%
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DDR5内存接口芯片绝对龙头，内存接口芯片收入占比94.2%。2025年报详细列示DDR5 RCD/MDB/MRCD全线产品矩阵，支持速率从DDR5-4800到DDR5-8800。DDR5是HBM生态核心配套环节，HBM4量产将带动DDR5服务器内存需求激增。近4日主力资金净流出5.79亿元，境外持仓占比12.76%（显著高于市场均值），港股情绪传导风险较高。
北
88%
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存储芯片收入占比61.4%（主要来自ISSI），2025年报明确提到「三星、美光、海力士等存储大厂纷纷将更多产能转向HBM产品，带来存储器领域DRAM产品产能分布的重构，传统DRAM产品产能受到大幅挤压，引发DRAM芯片缺货和涨价潮」。海力士是其上游存储晶圆供应商，情绪波动直接影响采购成本和产品定价预期。近4日主力净流出6.88亿元。
兆
86%
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存储芯片收入占比71.3%，主营利基型DRAM和NOR Flash。2025年报指出「国际头部公司加速向新制程节点的HBM、DDR5迁移，放弃或减少利基型产品生产，带来行业竞争格局改善，利基型DRAM价格迎来大幅上涨」。海力士/三星产能转向HBM直接利好兆易利基DRAM业务。近4日主力净流出14.61亿元，境外持仓6.19%。
中
83%
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概念板块含「高带宽存储器HBM」，国内刻蚀设备龙头。2025年报定义HBM为「基于3D堆栈工艺的高性能DRAM」，并指出「存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备成为关键核心设备」。HBM产能扩张直接驱动刻蚀设备需求增长。
盛
81%
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概念板块含「高带宽存储器HBM」，主营半导体清洗设备和先进封装湿法设备。2025年报披露TSV清洗设备「主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中」，可控制清洗温度在170℃高温，搭配SAPS兆声波清洗保证TSV孔内清洗效果。HBM核心工艺TSV直接拉动公司TSV清洗设备需求。
华
80%
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概念板块含「高带宽存储器HBM」，国内CMP（化学机械抛光）设备龙头，2026年4月披露第1000台CMP装备出机。CMP设备收入占比87.2%，产品已广泛应用于先进封装领域。HBM多层DRAM堆叠工艺对晶圆表面平坦化要求极高，CMP设备是关键制程设备。
拓
79%
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概念板块含「高带宽存储器HBM」，国内薄膜沉积设备龙头，主营PECVD/ALD/SACVD设备，半导体设备收入占比96.6%。2025年再融资文件明确指出「聚焦先进制程及三维集成架构带来的技术需求，重点围绕PECVD、ALD等工艺设备深耕」。HBM的3D堆叠结构需要大量薄膜沉积工序。
神
78%
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2025年报明确提到「SK海力士在美国印第安纳州投资38.7亿美元建设HBM先进封装厂和AI产品研发中心，计划2026年下半年投产」。公司主营刻蚀用单晶硅材料和硅零部件，硅零部件收入占比54.1%，供应用于存储芯片刻蚀环节的等离子体刻蚀设备。三维堆叠HBM对刻蚀工艺要求更高，直接拉动公司产品需求。
上
76%
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2025年报指出「TSV技术作为先进封装的核心工艺，通过与2.5D/3D封装、异构集成等技术深度融合，成为推动芯片性能与集成度跃升的关键路径」，公司研发量产的TSV铜互连电镀添加剂已实现「3D-TSV中微孔高效电镀填充，深宽比可达20:1」。集成电路材料收入占比76.3%。HBM封装的TSV工艺直接使用公司电镀材料。
德
74%
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存储模组公司，主营固态硬盘（42.5%）、嵌入式存储（34.0%）、内存条（9.7%）。2025年再融资文件引用「SK海力士率先宣布成功研发1c DDR5 DRAM」等产业信息，公司采购DRAM颗粒集成内存模组产品。海力士DRAM产能转向HBM将影响全球DRAM供给格局，间接影响公司原材料采购成本和产品定价。
利
72%
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独立第三方芯片测试服务商，2026年再融资文件明确披露在研项目包括「HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发」。集成电路测试收入占比95.9%，是国内少数布局HBM测试的厂商。HBM产品的复杂3D堆叠结构对测试提出了更高要求，公司正卡位该细分赛道。
长
70%
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国内半导体测试设备龙头，测试机收入占比60.5%。2025年再融资文件披露正在研发「CP12-Memory」存储器芯片测试探针台，指出该产品「国产化率低，市场空间大」，目前处于样机测试阶段。HBM等高端存储芯片的测试需求将为公司打开新增长空间。
兴
68%
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主营PCB印制电路板（68.1%）和IC封装基板（23.2%）。2025年业绩预告提到FCBGA封装基板业务「样品订单数量同比实现大幅增长」，IC载板是先进封装关键环节。HBM的2.5D/3D封装需要高密度IC封装基板支撑，公司正积极布局该赛道，但当前IC载板业务仍处于亏损阶段。