东芯股份：1xnm闪存产品已实现量产并实现产品销售
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【东芯股份：1xnm闪存产品已实现量产并实现产品销售】《科创板日报》16日讯，东芯股份(688110.SH)发布投资者关系活动记录表公告，存储芯片方面，公司1xnm闪存产品已实现量产并实现产品销售，设计与工艺持续优化；稳步推进2xnm制程SLCNANDFlash系列研发，持续扩充产品料号；基于48nm及55nm制程推进中高容量NORFlash产品研发；DRAM方面已实现DDR3(L)、LPDDR1/2/4X及PSRAM量产；持续研发更多MCP容量组合方案；车规级产品方面，多款型号已通过AEC-Q100验证，公司已通过IATF16949:2016质量管理体系第三方符合性认证，并成功完成多家整车厂的白名单导入。
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东
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事件主体公司，公告明确其1xnm闪存已量产并实现销售，2xnm SLC NAND及48nm/55nm NOR Flash研发推进中，DRAM已量产DDR3/LPDDR/PSRAM，多款车规型号通过AEC-Q100验证。2025年报显示NAND系列收入占比65.2%，MCP 25%，DRAM 5.8%，NOR 3.6%。近5日主力累计净流入3.10亿元，资金面连续净买入。
兆
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国内存储芯片龙头，产品覆盖NOR Flash(全球第二)、SLC NAND Flash和利基型DRAM，2025年报显示存储芯片收入占比71.3%。车规Flash累计出货超3亿颗，GD32A系列车规MCU已规模化量产。与东芯在NAND/NOR/DRAM三条产品线全面竞争，共享行业技术升级带来的国产替代景气信号。
普
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主营NOR Flash和SLC NAND Flash，为全球主要非易失性存储器供应商之一。公告显示其SONOS NOR Flash车载产品已通过AEC-Q100认证，SLC NAND具备车规级可靠性（-40℃至+105℃宽温工作）。与东芯同处上海，在NAND和NOR领域构成直接竞争，共享存储国产化趋势红利。
北
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存储芯片收入占比61.4%（2025年报），产品涵盖SRAM、DRAM、NOR Flash和2D NAND Flash。车规级2Gb NOR Flash已量产，车规SRAM/DRAM/NOR Flash在全球市场占据重要产业地位。与东芯在车规级存储和NOR/NAND领域构成直接竞争，技术路线高度重合。
恒
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主营NOR Flash存储芯片（2025年报收入占比86.3%）和MCU，专注基于ETOX 5xnm及以下技术节点。与东芯同属科创板存储芯片设计公司，在NOR Flash领域直接竞争，共同受益于存储芯片国产替代加速趋势。
中
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中国大陆晶圆代工龙头，2025年全球纯晶圆代工第二，营收673.23亿元创新高。东芯作为fabless设计公司，其1xnm NAND Flash晶圆制造需依赖晶圆代工平台。中芯国际具备28nm嵌入式闪存平台和存储编译器IP，是国内存储芯片最核心的代工合作伙伴，东芯产能扩张直接拉动中芯国际的晶圆代工需求。
长
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全球领先封测龙头，拥有20多年Memory封装量产经验，覆盖DRAM和Flash各类型存储芯片，具32层闪存堆叠和25um超薄芯片制程能力。公告显示其封测服务与全球前三大存储器制造商密切合作。东芯存储芯片量产后的封测环节大概率由长电完成，是直接受益的封测服务商。
江
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全球领先半导体存储品牌企业，产品覆盖NAND Flash和DRAM存储，2025年报显示嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%。车规级LPDDR4已通过AEC-Q100认证，宽温域-40℃至+105℃。东芯作为上游存储芯片设计公司，其NAND/NOR/DRAM芯片是江波龙模组产品的核心原材料，构成上下游供需关系。
通
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国内头部封测企业，2026年定增预案中明确设立'存储芯片封测产能提升项目'，业务覆盖FLASH和DRAM中高端产品封测，满足大容量、高堆叠、高可靠性需求，与领军企业建立长期稳定合作关系。东芯存储芯片产品放量将直接增加对存储封测产能的需求。
佰
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国内半导体存储器龙头，嵌入式存储收入占比60.9%，车规级eMMC/UFS通过AEC-Q100认证。公司采购NAND Flash晶圆和DRAM晶圆用于模组生产，东芯的国产NAND Flash芯片为其提供了国产化上游芯片来源。公告提及国产DRAM份额仅约5%、NAND低于10%，国产替代空间广阔，东芯量产于佰维是利好。
联
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国内稀缺的数据存储主控芯片设计企业，数据存储主控芯片收入占比87.6%。NAND Flash存储器需要主控芯片配合工作，主控芯片负责颗粒调度管理和数据通信。东芯NAND Flash放量将带动配套存储主控芯片需求，两者存在技术配套和生态协同关系。