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【韩国央行罕见警告:存储芯片景气周期或推高通胀压力】韩国央行罕见警告,存储芯片景气周期带来的巨额绩效奖金,可能从半导体行业扩散至更广泛领域,进而推高通胀压力。随着三星、SK海力士员工奖金...
控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》(2025.7-2030.6),以全部成本+约定收益模式独家向SK海力士提供半导体后工序服务。海太半导体为太极实业与SK海力士合资公司,太极实业持股55%。SK海力士存储景气上行直接带动海太半导体业务量和利润提升。
中国最大存储芯片设计公司,NOR Flash全球市占率第二。2025年报明确表示存储周期上行,存储芯片营收同比增长约26.41%,产品线覆盖NOR Flash/SLC NAND/利基型DRAM,存储芯片收入占总营收71.3%。主力5日净流入7711万元。
全球领先的DDR5内存接口芯片供应商,内存接口芯片收入占比94.2%。存储景气上行推动DDR5渗透率提升,直接带动RCD/MDB等接口芯片需求。2025年报显示已进入三星、海力士等存储原厂供应链。主力5日净流入3.02亿元。
存储芯片收入占总营收61.4%,主要产品为面向汽车/工业的DRAM芯片。2025年报明确表示存储行业迎来超级周期,DRAM芯片普遍面临价格持续上涨,2025年第四季度存储芯片需求趋势更强。主力5日净流入3.51亿元。
全球领先电子特气供应商,已进入SK海力士、三星、美光等存储原厂供应链。2025年报明确高纯气体是3D NAND制程、DRAM存储芯片、HBM高带宽内存核心刚需耗材,有望依托存储芯片行业景气度实现销量与市场份额双重提升。
存储模组与先进封测一体化公司,嵌入式存储收入占比60.9%。2025年报详细分析HBM市场规模同比增长超100%,掌握16/32层叠Die等先进封装工艺。国产存储芯片份额仅5%,公司在国产替代趋势下直接受益行业景气上行。主力5日净流入4.08亿元。
国内少数能同时提供NAND Flash(收入占比65.2%)、NOR Flash、DRAM完整解决方案的公司。2025年报表示受益于AI驱动的新一轮行业上升周期,产品销售价格稳步回升,1xnm NAND Flash已量产。存储景气上行直接带动业绩增长。
存储类芯片收入占比87.6%,核心产品为DDR5 SPD芯片(内存模组必备EEPROM)。2025年报显示受益于DDR5世代升级,SPD芯片出货量快速增长,毛利率提升2.46个百分点。存储景气周期中DDR5渗透率加速,直接拉动公司核心产品需求。
存储模组公司(固态硬盘42.5%、嵌入式存储34.0%)。2025年增发说明书中明确写道美光、三星、海力士等原厂均宣布涨价,存储市场呈现量价齐升态势,行业景气度持续提升,存储行业周期在2025-2026年有望保持整体上行。
全球领先的半导体存储品牌企业,100%收入来自存储业务(嵌入式44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%)。产品覆盖消费级、企业级及工规级NAND Flash和DRAM存储,直接受益于存储景气上行带来的量价齐升效应。
国内半导体封测龙头之一。2026年定增方案明确包含存储芯片封测产能提升项目,指出国产厂商加速导入3D NAND、DDR5等先进产品,本土封测企业正迎来覆盖存储芯片全产品线的新增需求窗口,存储扩产直接拉动封测需求。
存储芯片收入占比86.3%,主营NOR Flash存储芯片。2025年报显示受益于存储行业回暖,产品出货量增加。作为A股稀缺的纯存储芯片设计公司,直接受益于韩国存储景气周期所反映的行业整体上行趋势。
全球NOR Flash和EEPROM主要供应商之一,产品广泛应用于三星、OPPO、vivo等品牌。存储芯片行业景气上行带动NOR Flash价格温和上涨,公司作为非易失性存储芯片核心供应商直接受益。
公司ALD/CVD设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线。2025年报指出相关工艺对推动3D DRAM、3D NAND等存储芯片技术迭代与产业化具有关键支撑作用,伴随3D结构层数持续增长及客户扩产,公司有望深度受益。
半导体材料收入占比31.4%(另有光刻胶22.8%、特种气体4.8%),总部位于无锡毗邻SK海力士中国工厂。公司通过收购整合进入半导体封装材料、电子特气领域,存储产能扩张直接拉动前驱体、光刻胶等耗材需求。
独立第三方芯片测试服务商,正在研发HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发项目。存储芯片景气上行带动测试需求增加,公司定增扩产集成电路测试产能以匹配存储等高端芯片需求。
闪存盘发明者,A股存储第一股,闪存应用产品收入占比70.9%。2025年报显示第四季度NAND/DRAM涨价幅度普遍超30%,存储量价齐升推动市场规模扩大,公司作为品牌存储产品厂商直接受益。
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