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机构:Consumer DRAM紧缺态势延伸DDR2产品 第三季合约价将持续上扬

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【机构:Consumer DRAM紧缺态势延伸DDR2产品 第三季合约价将持续上扬】《科创板日报》22日讯,据TrendForce集邦咨询最新研究显示,由于成熟制程DRAM供给结构性紧缩,迫使Consumer DRAM需求方采用旧世代产品以取得较多的DRAM供应配额,带动近期产业出现新一波旧世代Consumer DRAM颗粒采购需求,使得包括DDR2、DDR3等世代的Consumer DRAM颗粒合约价将延续2026年第一季的上涨动能,预估DDR2第二季合约价涨幅将达约55-60%,第三季预估将进一步上涨35-40%。

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存储芯片收入占比61.4%(2025年报),子公司北京矽成(ISSI)为全球利基型DRAM龙头,主营DDR2/DDR3等旧世代DRAM产品,直接受益于Consumer DRAM紧缺引发的DDR2/DDR3涨价周期。近4日主力资金净流入1.66亿元,主力净流入。
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全球存储模组配套芯片龙头,自DDR2世代起研发SPD芯片,现拥有DDR2/3/4/5全系列SPD芯片产品组合(2025年报披露)。每根DDR2/DDR3内存条均需配套SPD芯片,DDR涨价量价齐升直接传导。近4日主力净流入2.96亿元,境外持仓显著高于市场均值。
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核心原材料为DRAM晶圆(2025年报披露),主要产品含企业级RDIMM内存条。DRAM涨价直接推升产品成本加成定价的产品售价和库存价值,是涨价周期最直接受益的模组厂商之一。近4日主力净流入2.25亿元,主力净流入。
88%
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内存条类产品(DDR3/DDR4/DDR5)贡献收入9.7%(2025年报),公告明确分析'原厂将产能集中于HBM/DDR5,DDR4供给迅速收缩导致销售价格快速攀升',与新闻逻辑完全吻合,涨价直接提升毛利率。近4日主力净流入7.54亿元,资金面强势。
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半导体存储器收入占比89.8%(2025年报),主力产品为DDR3/DDR4/LPDDR4X等DRAM产品。涨价周期中产品售价和库存价值同步提升。已采用长鑫存储DRAM方案(年报披露),受益于国产替代+涨价双重逻辑。
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DRAM内存条产品收入占比9.7%(2025年报),同时嵌入式存储和SSD也需DRAM缓存颗粒。全球存储品牌龙头,Lexar品牌DDR4/DDR5内存条市场覆盖消费级/企业级,DRAM涨价提升产品ASP与毛利率。
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DRAM内存条产品线覆盖超光/越影/绝影系列(DDR4/DDR5),2025年报明确分析'DRAM第四季度市场规模环比增长49.86%',涨价传导至存储产品合约价涨幅超30%。近4日主力净流入1.81亿元,主力净流入。
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存储芯片收入占71.3%(2025年报),与长鑫存储深度合作布局利基型DRAM,'DRAM芯片研发及产业化项目'在推进中。作为国产存储芯片设计龙头,DDR涨价周期加速国产替代导入。近4日主力净流入1.76亿元,境外持仓显著高于均值。
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中国大陆少数可同时提供NAND/NOR/DRAM完整解决方案的公司,DRAM系列产品已有收入贡献5.8%(2025年报),积极拓展DDR3、LPDDR4x产品线,直接受益于国产DRAM替代和涨价周期。
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存储器分销收入占比38.4%(2025年报),本土最大电子元器件分销商,代理三星、海力士等原厂DRAM产品。DRAM涨价直接推升分销环节的库存价值和收入规模。近4日主力净流入1.75亿元。
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电子元器件分销收入占94.2%(2025年报),拥有SK海力士DRAM产品线代理资格。DRAM涨价周期中,分销商库存价值重估、收入规模扩大,受益逻辑清晰。
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存储半导体业务收入占比26%(2025年报),为国内外客户提供DRAM封测及模组制造服务。DRAM涨价带动封测及模组制造环节量价齐升,作为中国电子(CEC)旗下核心存储封测平台受益明显。
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内存接口芯片收入占比94.2%(2025年报),MRCD/MDB芯片与DRAM颗粒配套使用。虽主要面向DDR5服务器市场,但整体内存市场景气上行带动接口芯片需求增长,DDR2/3涨价是行业景气延伸信号。