天风电新发布射频电源深度报告，看好AI紧缺周期下射频电源国产化加速
半导体
天风电新发布射频电源行业深度更新。射频电源是半导体设备核心部件，应用于薄膜沉积、刻蚀、清洗等环节。当前刻蚀、薄膜沉积环节国产化率分别达40%+、25%+，为射频电源提供良好客户环境。本轮AI周期下半导体设备增速有望达25%-30%，海外射频电源与真空泵均因紧缺涨价10%，MKS来自国内设备厂商营收大幅缩减。国内英杰电气与恒运昌已批量供货28nm、14nm等成熟制程射频电源，先进技术节点达7nm，性能对标海外次新一代，价格仅60%。国内厂商正迈向“射频电源+匹配器+真空泵”一体化系统，价值量翻倍。预计2028年仅PECVD、干法刻蚀等环节对应射频电源一体化系统市场规模约200亿元；若单一厂商实现20%市占率、30%净利率，对应约12亿元净利润，较当前1-2亿元盈利有显著弹性。
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英
95%
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天风报告直接点名公司为射频电源国产化核心标的。公司产品线明确包含射频电源，2023年Q4量产，已批量供货28nm/14nm制程，先进节点达7nm、价格仅为海外60%。设立子公司成都英杰晨晖科技专攻射频电源业务，2024年3月中微公司战略入股。2025年报半导体等电子材料收入占比21.9%，半导体业务利润贡献26.2%。近10日主力净流入1.29亿元，资金面强势。
恒
95%
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天风报告直接点名的另一核心标的。主营即为等离子体射频电源系统（射频电源+匹配器）+真空泵一体化方案，与报告描述的'射频电源+匹配器+真空泵'系统完全吻合。半导体收入占比76.4%，自研产品收入78.4%。获中芯国际'零部件模组战略供应商'、拓荆科技'超卓伙伴奖'、微导纳米'最佳合作奖'。IPO披露国产化率不足12%（弗若斯特沙利文数据），替代空间巨大。近10日主力净流入9105万元。
中
88%
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中国等离子体刻蚀设备龙头，CCP刻蚀技术核心部件包含'匹配器和隔直电容把射频电压加到电极'，是射频电源最重要下游客户。2024年3月战略投资英杰电气子公司成都英杰晨晖科技（射频电源专设主体），形成产投协同。刻蚀国产化率已达40%+，直接受益于AI周期下半导体设备25%-30%增速。近10日主力净流入2.79亿元，境外持仓显著高于市场均值。
拓
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中国薄膜沉积设备龙头（PECVD/ALD/SACVD等），报告明确估算2028年仅PECVD环节对应射频电源一体化系统市场规模约200亿元。恒运昌招股书披露公司获'超卓伙伴奖'和'最佳交付奖'，是恒运昌射频电源系统的直接客户。薄膜沉积国产化率25%+，公司96.6%收入来自半导体设备，是射频电源国产化浪潮的最大下游受益方之一。
北
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国内最大半导体设备平台，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等全部需用射频电源的环节。电子工艺装备收入占比93.3%，其中半导体刻蚀和沉积设备是射频电源最大应用场景。报告提到的AI周期下设备增速25%-30%直接利好。近10日主力净流入高达24.68亿元，境外持仓显著高于市场均值，市场对半导体设备国产化预期强烈。
微
72%
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ALD/CVD薄膜沉积设备厂商，恒运昌招股书披露公司获其'最佳合作奖'，是恒运昌射频电源系统的下游客户。半导体类设备收入占比33.5%，并持续增长。薄膜沉积设备是射频电源的核心应用场景，随着国产化率提升和射频电源本土配套加强，公司设备竞争力将进一步提升。
盛
70%
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半导体清洗设备+PECVD设备制造商，PECVD设备需要使用射频电源。报告明确PECVD是射频电源一体化系统的核心测算环节之一。公司位列中国半导体设备五强，产品线涵盖清洗、电镀、PECVD等多类需射频电源配套的设备，受益于设备国产化大趋势。
神
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年报明确描述'利用RF射频电源，由腔体内的硅上电极将刻蚀气体电离形成等离子体对晶圆进行刻蚀'，为刻蚀设备用硅电极/硅零部件供应商。公司已进入主流存储芯片厂和国产等离子刻蚀设备厂供应链，硅零部件收入占比54.1%。射频电源紧缺推动刻蚀设备扩产，间接拉动耗材需求。
茂
60%
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2025年报明确披露公司正拓展射频电源、激光电源等新细分领域。公司主营开关电源，已设立集团技术中心研究新应用领域。射频电源业务尚处早期拓展阶段，尚未形成收入贡献，但作为A股少数明确布局射频电源方向的电源企业，有望分享行业成长红利。国资背景（济南国资委），具备资源整合优势。