财联社6月24日电，韩国KOSPI指数涨幅扩大至2.5%，三星电子股价上涨3%，SK海力士涨3.4%。
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财联社6月24日电，韩国KOSPI指数涨幅扩大至2.5%，三星电子股价上涨3%，SK海力士涨3.4%。
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17 只 · 按关联度排序
太
95%
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子公司海太半导体（持股55%）与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025.7-2030.6），以"全部成本+约定收益"模式（年收益=总投资额×10%+超额收益）向SK海力士提供后工序服务。SK海力士同时持股海太45%，2022-2024年贡献收入36-39亿元/年，占该业务82-84%。合作历史超15年，是A股与SK海力士最直接的业务绑定。5日主力净流出5.2亿，短期资金面承压。
华
90%
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已进入三星、SK海力士等全球半导体龙头供应链体系（年报明确列名）。电子特气（高纯三氟甲烷、乙硅烷等）是3D NAND、DRAM、HBM制造的核心刚需耗材。覆盖国内8寸以上晶圆厂超90%，年报指出HBM等先进存储需求直接拉动电子特气需求增长。
香
82%
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子公司联合创泰拥有SK海力士、MTK联发科等一线品牌代理资格。电子元器件分销业务占收入94.2%。商络电子公告（2026.2.25）明确将其列为拥有SK海力士等多品牌代理权的公司。近5日主力净流入9.54亿，资金面积极看好。
兆
80%
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A股存储芯片龙头，NOR Flash全球市占率第二，存储芯片收入占比71.3%（含NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM）。三星（全球DRAM第一、NAND第二）和SK海力士（全球DRAM第二、HBM第一）景气上行直接映射A股存储板块，公司产品价格与存储原厂涨价周期高度联动。
佰
78%
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存储模组龙头，嵌入式存储收入占比60.9%，PC存储32.7%。年报详述HBM市场（2025年HBM市场规模307.5亿美元，同比+100%），存储原厂涨价直接传导至模组厂，受益于行业景气周期向上。
江
75%
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全球领先半导体存储品牌企业，NAND+DRAM全覆盖，嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、内存条9.7%。年报引用CFM数据：2026年全球服务器NAND/DRAM需求同比增超50%/40%，存储原厂扩产直接利好品牌模组厂。
北
75%
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存储芯片收入占比61.4%（含DRAM产品线），通过收购北京矽成（ISSI）切入车规/工业级DRAM市场。年报深度分析了三星、美光、海力士将产能转向HBM对传统DRAM供给的挤压效应，直接受益于存储行业供需格局变化。
东
70%
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国内少数能同时提供NAND（收入65.2%）、NOR、DRAM完整存储芯片解决方案的公司，1xnm闪存已量产，DRAM产品线持续扩展（DDR3/LPDDR4x等）。存储芯片国产替代核心标的，受益于行业景气度提升。
精
70%
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半导体存储器件测试设备提供商（收入占比55.6%）。年报明确指出AI服务器对HBM及服务器DRAM需求快速提升，推动测试设备需求增长。SK海力士等存储巨头扩产直接拉动存储测试设备采购。
华
68%
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HBM先进封装材料（环氧塑封料收入占比93.5%）供应商。年报指出Chiplet、HBM等先进封装技术对封装材料提出更高要求。存储巨头HBM扩产直接拉动先进封装材料需求，有望进入HBM供应链。
利
68%
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正在研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目（2026年1月公告）。独立第三方芯片测试服务商，具备NAND Flash、DRAM等多种芯片测试能力。存储芯片扩产增加测试需求，直接利好独立测试厂商。
朗
65%
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闪存应用产品收入占比70.9%，闪存控制芯片及其他27.2%。年报详细分析了存储市场量价齐升趋势（2025年Q4 DRAM市场规模环比+49.86%、NAND+28.76%），存储涨价直接增厚公司利润。
德
65%
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存储主控芯片+模组厂商，固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%、内存条9.7%。公告明确提及三星电子、海力士为全球存储晶圆主要原厂，公司从上述原厂采购NAND/DRAM晶圆进行模组生产，直接受存储原厂产能和价格策略影响。