SK海力士计划赴美发行ADR募资290亿美元 以支持人工智能业务扩张
内存
高带宽存储器HBM
半导体
【SK海力士计划赴美发行ADR募资290亿美元 以支持人工智能业务扩张】财联社6月24日电，SK海力士计划通过在纳斯达克发行存托凭证筹资45.45万亿韩元（294亿美元）。根据该公司周三发布的声明，相关证券预计将于7月10日开始交易。作为高带宽存储器(HBM)领域的三大领先厂商，三星电子、美光科技和SK海力士处于全球人工智能基础设施建设的关键环节。这些公司生产的HBM芯片是数据中心扩张过程中最重要的瓶颈之一。根据Counterpoint Research的数据，截至2025年第四季度，SK海力士按收入计算占据全球市场57%的份额。不过，该公司的估值仍低于美光和三星电子。
市场对存储芯片的旺盛需求推动相关股票大幅上涨，SK海力士在首尔上市的股票今年以来已累计上涨超过300%。赴美上市将使SK海力士获得新的投资者群体，并有望缩小其与竞争对手之间的估值差距。
相关股票
17 只 · 按关联度排序
太
95%
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025年7月公告），以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序服务（封装测试），合同已正式生效。半导体业务收入占比15.3%。SK海力士扩产将直接拉动海太半导体的后工序服务需求。今日（6月24日）主力资金净流入10.17亿元，5日累计净流入6.69亿元，市场已积极反应。
香
90%
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公司旗下联合创泰拥SK海力士（SK Hynix）品牌代理资格，是SK海力士在中国的授权分销商（公司年报披露），代理产品覆盖服务器、手机等AI应用场景。电子元器件分销业务收入占比94.2%，其中SK海力士为最重要产品线之一。5日主力资金累计净流入9.18亿元。
澜
90%
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公告披露（2025年报），全球领先内存厂商SK海力士推出其最新的CXL内存产品，采用了澜起科技的MXC芯片（全球首颗CXL MXC芯片）。澜起是全球唯一同时拥有DDR5内存接口芯片和CXL互联芯片且被SK海力士采用的A股公司，内存接口芯片收入占比94.2%。SK海力士HBM/AI扩张将带动高端内存接口芯片需求。
华
88%
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公司已进入SK海力士全球供应链体系（公司年报披露），为SK海力士提供电子特气。同时公告明确指出高纯三氟甲烷、乙硅烷等电子特气是HBM高带宽内存的"核心刚需耗材"。SK海力士资本支出增至30万亿韩元扩产HBM，将直接拉动电子特气需求。半导体行业收入占比39.5%。
神
88%
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公告（2025年报）直接引述"SK海力士预计2026年销售额突破165万亿韩元，计划将2026年资本支出增至30万亿韩元以上，重点投向HBM"。公司16英寸以上大直径硅材料产品用于HBM的TSV工艺（硅通孔刻蚀），硅零部件用于刻蚀环节，"三维堆叠结构的HBM产品对TSV工艺提出更高要求"。海外收入占比23.3%。
江
85%
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募集说明书（2026年2月）明确列示SK海力士为"发行人主要供应商"，公司从SK海力士采购DRAM/NAND晶圆用于制造存储模组。SK海力士扩产有助于保障江波龙的存储晶圆供应稳定性。嵌入式存储收入占比44%，内存条产品收入占比9.7%。
中
82%
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公司等离子体刻蚀设备和深硅刻蚀设备（TSV）是HBM制造的核心工艺设备，公告涉及TSV技术在HBM中的应用。HBM通过TSV实现3D堆叠，对刻蚀设备需求极大。SK海力士30万亿韩元资本开支扩产HBM，将大幅拉动TSV刻蚀设备采购。概念板块含"高带宽存储器HBM"。
华
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公司是国内环氧塑封料（EMC）龙头，EMC是HBM先进封装的核心材料。公告指出"一代封装，一代材料"，HBM等先进封装对EMC提出更高性能要求。EMC收入占比93.5%，公司已进入HBM封装材料供应链。SK海力士HBM扩产直接拉动EMC需求。概念板块含"高带宽存储器HBM"。
德
80%
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公告（2025年报）明确提到"先进封装（如HBM、CoWoS）需求的爆发"，公司产品覆盖晶圆UV膜、固晶材料、底部填充胶等先进封装全流程关键材料。4nm制程配套先进封装产品已实现规模化量产，2.5D/3D技术完成产业化落地。集成电路封装材料收入占比16.2%。
龙
78%
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公告（2025年报）明确说明"先进封装与HBM高带宽内存的融合将进一步深化，直接带动先进封装专用掩模版需求持续爆发"，CoWoS为代表的2.5D/3D异构集成成为核心路径。公司是国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商，随HBM扩产将显著受益于掩模版需求增长。
佰
78%
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公告（2025年报）全面引述SK海力士在DRAM市场33.2%份额、HBM技术路线等数据，公司自身掌握2.5D、Chiplet、RDL等先进封装技术，构建FOMS系列存储芯片和CMC系列存算合封产品。HBM行业高景气直接映射到国内存储龙头。存储芯片国产化率仅5%-10%，替代空间大。
通
75%
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国内封测龙头，公告披露布局2.5D/3D先进封装，存储封装是公司重要产品线。HBM本质是先进封装产品（通过TSV+microbump堆叠DRAM），SK海力士扩产将带动整个先进封装产业链需求。集成电路封装测试收入占比97.6%。
利
75%
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公告（2026年1月）明确将"存储（Nor/Nand Flash、DDR、HBM等）"列为重点布局领域。公司是国内独立第三方芯片测试龙头，已布局异质叠层先进封装工艺研发项目。HBM扩产将大量增加存储芯片测试需求，直接利好第三方测试服务商。
芯
72%
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直写光刻设备可用于先进封装领域的RDL、Bumping、TSV等HBM关键工艺。公告指出2.5D/3D封装市场年均增速37%，直写光刻技术在先进封装中地位日益重要。概念板块含"高带宽存储器HBM"。泛半导体业务收入占比16.6%。
诚
70%
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公告（2025年报）明确存储产品"广泛支持三星、铠侠、西部数据/闪迪、海力士、长江存储等各家存储原厂的相关存储晶圆产品"。公司存储半导体业务收入占比67.3%，已从SK海力士采购存储晶圆用于模组生产。SK海力士扩产保障上游晶圆供应。
兆
68%
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国内存储芯片设计龙头，NOR Flash全球市占率第二，拥有利基型DRAM产品线（DDR3L/DDR4/LPDDR4）。存储芯片收入占比71.3%。SK海力士294亿美元融资强化AI存储景气信号，国内存储芯片龙头估值受益于行业β提升及国产替代逻辑。
东
62%
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国内少数可同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM三种存储芯片完整解决方案的公司，1xnm NAND已量产。SK海力士HBM大规模扩产验证存储行业高景气，叠加国产替代逻辑（国产DRAM份额仅约5%），公司有望受益于存储产业链国产化加速。