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【美光CEO:存储供需紧张格局将持续至2027自然年之后】美光CEO桑杰・梅赫罗特拉美东时间周三盘后在美光财报电话会上表示,当前DRAM与NAND闪存行业需求持续大幅高于行业供给,“受全...
国内存储芯片设计龙头,2025年报显示存储芯片收入占比71.3%(NOR Flash+SLC NAND+利基型DRAM),SPI NOR Flash全球市占率第二。AI端侧推理推动代码存储需求+国际大厂削减2D NAND产能转向3D,SLC NAND供给缺口明显,美光CEO确认DRAM/NAND供需紧张延续至2027年后,公司直接受益于存储涨价周期。
通过ISSI布局全球DRAM市场,2025年报显示存储芯片收入占比61.4%,为公司最大收入来源。年报明确指出:AI基础设施建设使HBM产能趋紧,传统DRAM产能受大幅挤压,引发DRAM芯片缺货涨价潮,公司DDR4/LPDDR4等产品直接受益于供需紧张格局延续至2027年之后。近5日主力净流入6.36亿元,资金面验证逻辑。
中国大陆少数同时提供NAND Flash(65.2%)、NOR Flash(3.6%)、DRAM(5.8%)及MCP(25.0%)完整解决方案的芯片设计公司。1xnm先进制程SLC NAND已量产,车规级NAND/NOR在多种车型中规模量产。美光表态供需紧张至2027年后,公司作为国产存储芯片设计稀缺标的直接受益于涨价和国产替代双重驱动。
国内存储模组与封测一体化龙头,嵌入式存储收入占比60.9%,PC存储32.7%,先进封测1.5%。与全球NAND/DRAM原厂(含美光等)深度合作,公告披露公司坚定实施产能扩张战略,2026年底先进封测产能爬坡。AI驱动存储供需紧平衡格局下,公司作为研发封测一体化厂商直接受益于晶圆涨价向模组端传导及封测订单增长。
主营NOR Flash和EEPROM等非易失性存储器芯片,芯片产品收入占比100%。同时布局SLC NAND Flash和MCP(NAND+DRAM组合)产品线,车规级产品通过AEC-Q100认证。存储行业超级周期下,公司NOR Flash和SLC NAND产品受益于供给偏紧格局,海外大厂退出中低容量市场为公司提供渗透空间。
全球领先半导体存储品牌企业(含雷克沙等品牌),100%收入来自存储业务:嵌入式44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%。AI手机趋势带动单机NAND/DRAM容量持续提升(据CFM预测2025年手机平均NAND超220GB、DRAM超8GB),美光CEO确认供需紧张格局延续,公司作为下游模组品牌商充分受益涨价周期。
国内首家闪存主控芯片上市公司,100%收入来自存储业务(SSD 42.5%、嵌入式34%、移动存储13.7%、内存条9.7%)。公告中明确提及全球DRAM/NAND晶圆供应商仅三星、海力士、美光等少数原厂,晶圆市场呈寡头垄断特征。美光确认供需紧张持续,晶圆端涨价将直接推升公司存储模组产品ASP和利润率。
数据存储主控芯片收入占比87.6%,是SSD等存储产品的核心零部件(存储器的大脑)。存储主控芯片与NAND Flash颗粒搭配使用,存储需求爆发直接拉动主控芯片出货量。美光供需紧张本质是存储颗粒供不应求,公司将同步受益于下游模组厂加大采购和备货。
国内电子特气龙头,公司简介明确已进入美光科技、英特尔、台积电、SK海力士等全球领先半导体企业供应链体系。年报披露高纯三氟甲烷等电子特气是3D NAND制程、DRAM存储芯片、HBM高带宽内存的核心刚需耗材。公司深度参与美光等存储原厂扩产配套,供需紧张格局直接转化为电子特气订单增长。
闪存盘发明者,被称为A股存储第一股。闪存应用产品收入占比70.9%,闪存控制芯片及其他27.2%。产品覆盖SSD、DDR、嵌入式存储和移动存储全品类。2025年报指出原厂DDR5和HBM产能分配挤压传统DRAM供给,带动2026年全球DRAM供应增长15%-20%,公司作为存储品牌商直接受益行业景气。
半导体材料供应商,2025年报披露其开发的3D NAND存储芯片用高选择比氮化硅蚀刻液达到世界最高水准(选择性蚀刻速率2000:1),报告期内蚀刻液市场应用规模同比增长超80%。DRAM/3D NAND扩产直接拉动蚀刻液等关键材料需求,公司作为国产替代核心供应商深度受益。
半导体存储器件测试设备收入占比55.6%,是国内领先的存储测试平台。2025年报明确提及受AI服务器对HBM、服务器DRAM及企业级SSD需求快速提升影响,全球存储产业已演化为AI需求驱动下的结构性紧平衡格局。存储原厂扩产将直接带动公司测试设备订单增长。
半导体存储器已成为核心主业,2025年报显示半导体存储器收入占比89.8%,利润贡献61.1%。产品涵盖DDR3/4/5、LPDDR4X等DRAM产品及eMMC、BGA NAND、UFS等NAND产品。已采用长江存储NAND和长鑫存储DRAM方案,存储全系列产品线受益于供需紧张格局下的量价齐升。
国内知名独立第三方芯片测试服务商,研发项目涵盖HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发。存储芯片产能紧张伴随晶圆出货量增加,带动后端测试需求同步增长。公司作为专业测试服务商,在存储芯片扩产周期中为原厂和封测厂提供测试产能补充,直接受益行业景气度提升。
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