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美光科技重燃AI涨势 欧洲芯片股攀升

内存 高带宽存储器HBM 半导体
【美光科技重燃AI涨势 欧洲芯片股攀升】在美光科技公布强劲的业绩并表示芯片短缺将持续到2027年之后,欧洲半导体公司股价大幅上涨,荷兰半导体设备制造商阿斯麦和规模较小的竞争对手ASM International的股价分别上涨了5.1%和6.6%。荷兰半导体组装设备供应商BE Semiconductor Industries的股价上涨了5.5%。德国芯片制造商英飞凌科技上涨了6.2%。意法半导体股价上涨了4.5%。

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国内存储模组与先进封测一体化龙头,嵌入式存储+PC存储收入占比超93%。2025年报详细分析美光在DRAM(25.7%)和NAND Flash(13.0%)市场份额及竞争格局,并指出HBM市场2025年达307.5亿美元、同比增超100%。缺货到2027年直接利好存储模组提价与国产替代。
88%
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全球领先的半导体存储品牌企业,嵌入式存储44%/SSD 24.5%/内存条9.7%覆盖全场景。NAND Flash和DRAM均需从美光、三星、SK海力士采购原片,芯片缺货到2027年推动存储价格上涨,公司凭借品牌和渠道能力直接受益于行业景气上行,海外收入占比66.8%。
88%
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国内存储芯片设计龙头,存储芯片收入占比71.3%,NOR Flash全球市占率第二。与美光同为存储芯片设计商,共享行业景气信号。美光业绩强劲+缺货到2027年验证存储行业高景气,公司在DRAM领域同步布局,国产替代空间巨大。近5日主力净流出26亿元,市场尚未充分反应。
87%
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通过ISSI从事DRAM存储芯片设计,存储芯片收入占比61.4%。与美光在DRAM市场直接竞争,美光DRAM份额25.7%为全球第三,缺货延续到2027年加速国产客户导入。公司存储芯片海外收入占比82.7%,是存储国产替代的核心受益标的。
87%
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全球内存接口芯片龙头,内存接口芯片收入占比94.2%。美光此前表示AI服务器DRAM需求是普通服务器8-10倍、NAND需求3-5倍,直接拉动DDR5内存接口芯片用量。缺货到2027年意味着下游服务器厂商加速备货,需求确定性高增长。
85%
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存储模组厂商(SSD 42.5%/嵌入式34%/内存条9.7%),公告中明确将美光列为与三星、SK海力士并列的三大核心DRAM/NAND原厂供应商,并引用美光预测AI服务器DRAM需求为普通服务器8-10倍。公司自研主控芯片,缺货到2027年直接支撑产品定价。
85%
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国内电子特气龙头,已进入美光科技、英飞凌、SK海力士、台积电等全球半导体供应链。2025年报明确指出三星、SK海力士、美光将70%新增产能投向HBM,且公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气,直接受益于HBM爆发。
83%
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全球封测龙头(营收99.6%来自芯片封测),拥有HBM所需的2.5D/3D封装、晶圆级封装等先进封装能力。存储芯片紧缺推动存储原厂加大资本开支,封测需求随之增长。美光HBM扩产直接拉动先进封装配套需求。
82%
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国内封测龙头(收入97.6%来自集成电路封装测试),与AMD深度绑定,具备HBM封装配套能力。存储芯片缺货推动下游算力芯片/服务器备货增加,大基金二期重点持股企业将在国产替代浪潮中持续受益。
82%
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国内半导体设备龙头,电子工艺装备收入占93.3%,产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等核心环节。ASML涨5.1%验证全球半导体设备高景气,美光缺货到2027年意味着全球存储厂商扩大资本开支,国产设备替代空间巨大。
82%
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国产刻蚀设备龙头,半导体设备收入100%。等离子体刻蚀设备是3D NAND和HBM制造关键设备,美光HBM扩产主要受限于TSV刻蚀产能。公司CCP/ICP刻蚀已覆盖5nm以下逻辑及3D NAND量产,直接受益于全球存储扩产周期。
82%
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国内IGBT模块龙头(IGBT模块收入83.6%),全球排名第五。英飞凌(新闻中涨6.2%)是公司最主要国际竞争对手,公司公告中多次将英飞凌列为首要对标企业。英飞凌领涨映射至A股功率半导体板块,缺货到2027年推动国产IGBT加速导入。
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国内半导体清洗设备龙头,产品已覆盖DRAM 10nm技术节点并在DRAM上有70多步应用。美光HBM/DRAM扩产直接拉动清洗设备需求,公司SAPS/TEBO技术已用于19-18nm DRAM工艺评估,国产替代逻辑清晰。
78%
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半导体材料平台型企业(半导体业务收入31.4%,含前驱体/光刻胶/HBM材料),具备HBM概念标签。存储原厂扩产推动半导体材料用量增长,公司前驱体材料已进入海力士、三星等存储大厂供应链。
78%
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国内环氧塑封料龙头(收入占比93.5%),HBM封装材料概念。全球存储扩产(三星、SK海力士、美光70%新增产能投向HBM)直接拉动高端封装材料需求,公司作为国产替代先锋将持续受益。