IBM宣布实现全球首款亚1纳米芯片技术突破，预计五年内量产
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IBM研究部门宣布已生产出全球首款小于1nm（0.7nm/7埃节点）芯片，采用开创性三维纳米栈架构。新芯片设计相较其2纳米制程，性能最高可提升50%，能效提高70%，可在指甲大小芯片上集成近1000亿个晶体管，密度约为此前2nm芯片的两倍。该技术预计最快五年内可实现量产。受此消息影响，IBM美股盘前涨超4%。
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中
92%
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国内等离子体刻蚀设备龙头，CCP/ICP刻蚀设备覆盖65nm至3nm及更先进工艺（2025年报）。IBM 0.7nm三维纳米栈架构需要超高深宽比刻蚀，中微作为唯一实现3nm以下刻蚀量产的国产设备商，是国产替代的核心受益方。近5日主力资金净流入5366万元（6月25日）。
北
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国内半导体设备平台型龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等全系列，电子工艺装备收入占比93.3%（2025年报）。亚1nm制程的刻蚀+薄膜沉积工艺步骤倍增，北方华创作为国内品类最全的设备商，直接受益于先进制程扩产。5日主力净流入9087万元。
长
88%
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全球OSAT前三，XDFOI Chiplet高密度多维异构集成工艺已量产（2025年报）。IBM 0.7nm芯片采用三维纳米栈架构，正是2.5D/3D先进封装的核心应用方向，长电作为全球先进封装技术最全面的中国封测龙头直接受益。5日主力净流入26.4亿元，市场高度关注。
拓
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国内薄膜沉积设备龙头，PECVD/ALD/SACVD/HDPCVD全系列覆盖（2025年报）。三维纳米栈架构本质是3D垂直堆叠，对ALD原子级薄膜沉积提出极高要求，拓荆是国产唯一可提供全系列CVD/ALD设备的企业，收入96.6%来自半导体设备。
先
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国内少数已量产供应7nm及以下国产刻蚀设备关键零部件的企业，收入96.5%来自半导体行业（2025年报）。亚1nm对刻蚀设备精度要求指数级提升，关键零部件的精密制造是核心瓶颈，先锋精科是刻蚀设备龙头的核心供应链环节。
通
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国内领先封测企业，具备2.5D/3D集成、晶圆级扇出封装、TSV硅通孔等先进封装能力（2025年定增文件）。三维堆叠架构是通富微电核心技术方向，公司深度绑定AMD等国际大厂。5日主力净流入9183万元。
华
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国产EDA龙头，拥有先进封装EDA工具，EDA软件销售占比81.1%（2025年报）。0.7nm芯片设计需要全新的EDA工具链支撑，华大九天作为国内唯一可提供全流程EDA的厂商，是国产替代生态的关键环节。5日主力净流入7610万元。
盛
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国内半导体清洗设备龙头，同时布局先进封装电镀和湿法设备。年报显示其面板级先进封装负压清洗设备在2.5D/3D封装应用效果突出。亚1nm芯片对晶圆表面洁净度要求极高，单晶圆清洗步骤大幅增加，盛美差异化竞争策略覆盖前道+先进封装。
华
82%
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国内封测三强之一，封装产品涵盖2.5D/3D、TSV、Bumping、Fan-Out等先进封装全系列（2025年报）。正加快推进板级封装、2.5D等平台技术研发，三维纳米栈架构与华天先进封装技术路线高度一致。
芯
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国内领先的半导体IP授权和Chiplet芯片定制平台。年报明确将Chiplet技术列为核心方向，通过2.5D/3D先进封装集成。IBM的三维纳米栈架构与Chiplet异构集成理念一致，芯原作为国内Chiplet生态核心受益。
晶
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全球晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）主要提供者，年报明确提及受益于3D堆叠技术利用TSV实现最短垂直互连。三维纳米栈架构的核心是垂直堆叠，晶方科技在TSV和晶圆级封装领域技术积累深厚。
概
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国内首家EDA上市公司，DTCO（设计与工艺协同优化）EDA解决方案覆盖制造和设计两端（2025年报）。亚1nm需要全新的器件建模和工艺仿真，概伦电子在SPICE建模和器件特性测试领域具有国际竞争力。
中
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国内光刻气龙头，已获日本GIGAPHOTON（全球EUV/DUV光刻光源龙头）合格供应商认证（2025年8月公告）。EUV光刻是亚1nm制造的核心工艺，中船特气的高纯电子特气收入占比85.2%，是半导体制造的核心材料供应商。
广
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专注芯片成品率提升的EDA+晶圆级测试设备供应商（2025年报）。0.7nm工艺的良率控制是量产最大挑战，广立微的WAT测试设备和成品率提升方案是亚1nm量产不可或缺的配套环节。
鼎
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建成国内首条KrF/ArF光刻胶全流程量产线（2026年3月投产公告），半导体业务收入占比57%。0.7nm节点需要更高分辨率的ArF浸没式光刻胶，鼎龙是国内光刻胶国产替代的领军企业。
安
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国内CMP抛光液龙头，化学机械抛光液收入占比81.5%，产品覆盖14nm-7nm等先进制程（2025年报）。0.7nm芯片多层堆叠结构对CMP平坦化精度要求大幅提升，安集作为国内唯一规模量产的CMP抛光液供应商直接受益。