财联社6月26日电，韩国KOSPI指数跌超4%，现报8563.84点。三星电子跌超5%，SK海力士跌近5%。
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财联社6月26日电，韩国KOSPI指数跌超4%，现报8563.84点。三星电子跌超5%，SK海力士跌近5%。
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香
92%
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全资子公司联合创泰是SK海力士电子元器件授权分销商（公告披露），拥有SK Hynix、MTK等一线品牌代理资格，电子元器件分销收入占比94.2%，国外收入85.3%。SK海力士股价暴跌直接影响其代理产品需求预期，但又强化国产替代替代逻辑。近5日主力净流入2819万元，资金面有支撑。
华
88%
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年报明确披露已进入三星电子、SK海力士全球领先半导体企业供应链体系（客户覆盖率达90%以上）。深度布局HBM产业链，为TSV硅通孔工艺提供先进刻蚀气体，精准卡位HBM关键环节。三星/海力士波动直接影响其海外订单预期。
大
85%
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年报明确披露'在使用三星、海力士等国际存储企业产品方案的同时，加强了国产厂商长江存储、长鑫存储的方案布局'。半导体存储收入占比89.8%，既是三星/海力士产品方案用户，又通过国产替代布局对冲风险。
北
85%
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存储芯片收入占比61.4%，年报深度讨论三星/海力士/HBM市场重构：'三星、美光、海力士等存储大厂纷纷将更多产能转向HBM产品，带来DRAM产能重构，传统DRAM产品产能严重不足'。旗下北京矽成（ISSI）与三星/海力士在利基型DRAM市场有直接竞争，受益于格局变化。近5日主力净流入13亿元，资金面坚定看好。
佰
82%
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科创板存储芯片龙头，年报引用TrendForce数据指出国产DRAM份额仅5%、NAND份额不足10%，发展前景巨大。公司全面布局HBM先进封装（FOMS系列），拥有'高性能存储+先进封测'双轮驱动模式。三星/海力士承压将加速下游客户导入国产存储方案。
兆
82%
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国内存储芯片龙头，存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash全球第二、累计出货超200亿颗），同时布局利基型DRAM。年报指出GPU、存储芯片需求升温推动行业增长。与三星/海力士在NOR Flash/利基型DRAM领域存在直接竞争，其承压利好国产替代逻辑加速。
精
80%
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半导体存储器件测试设备收入占比55.6%，是国内头部半导体存储厂商的主力供应商，核心产品成功实现进口替代。公司研发涵盖HBM存储芯片集成化测试系统。存储测试设备是韩国存储产业关键配套环节，三星/海力士波动加速国产测试设备导入。
通
78%
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公告明确存储芯片封测能力已全面覆盖FLASH、DRAM中高端产品，与领军企业建立长期稳定合作关系。营收97.6%来自集成电路封装测试。存储封测是韩国存储产业链重要环节，三星/海力士价格波动将推动存储封测产能向国内转移。
江
78%
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全球领先的半导体存储品牌企业，嵌入式存储/固态硬盘/内存条四大产品线，收入100%来自存储业务。与三星/海力士在终端存储产品市场直接竞争，其产品方案部分采用三星/海力士晶圆。三星/海力士承压将加速国产存储品牌替代进程。
上
75%
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年报披露针对3D NAND、DRAM存储工艺需求的蚀刻类配方型化学品技术积极布局，产品用于存储器芯片制造的氮化硅/钛蚀刻系列，集成电路材料收入占比76.3%。属于存储芯片制造关键耗材环节，受益于国产存储扩产替代韩国产能。
微
75%
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年报披露ALD与高端CVD设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线，对3D DRAM、3D NAND技术迭代具有关键支撑作用。半导体设备收入占比33.5%，是香农芯创生态伙伴企业。韩国存储产业承压将加速国内存储晶圆厂设备国产化。
德
73%
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国内存储主控芯片设计及存储模组企业，收入100%来自存储业务（固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%）。年报指出国产DRAM/NAND份额不足5%/10%，国产化加速为独立存储器厂商带来契机。三星/海力士下行周期利好国产存储模组份额提升。
东
73%
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国内少数同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的公司，NAND产品收入65.2%。持续拓展DDR3、LPDDR4x等DRAM产品线。国产存储芯片设计直接对标三星/海力士同类产品，受益于存储国产替代加速。
利
72%
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公告明确研发项目包括'HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发'，是国内知名独立第三方芯片测试服务商。集成电路测试收入95.9%。HBM测试是三星/海力士核心业务的技术配套环节，国产测试方案需求将随产业格局变化提升。
普
70%
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公告显示公司产品广泛应用于三星、OPPO、vivo等品牌，是全球NOR Flash和EEPROM主要供应商之一。收入100%来自芯片产品。公司DRAM+NAND MCP产品面向手机/IoT领域，与三星存储业务存在供应链及竞争双重关系。
神
70%
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年报深度分析SK海力士业务：'预计2026年销售额突破165万亿韩元、营业利润超100万亿韩元，核心驱动力来自HBM爆发，资本支出增至30万亿韩元'。公司是半导体级单晶硅材料供应商，与韩国存储产业链高度关联。