光智科技：拟3.01亿元增资收购先锐科技50.08%股权 标的公司年产40吨磷化铟建设项目已取得环评批复
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【光智科技：拟3.01亿元增资收购先锐科技50.08%股权 标的公司年产40吨磷化铟建设项目已取得环评批复】财联社6月26日电，光智科技(300489.SZ)公告称，公司拟与清远先导、先锐科技签署投资协议，以增资形式投资先锐科技，取得其50.0832%股权，实现控股。本次增资总金额为3.01亿元，增资完成后，先锐科技将成为公司控股子公司，纳入合并报表。标的公司从事Ⅲ-Ⅴ族化合物材料业务，通过收购整合，公司将Ⅲ-Ⅴ族化合物材料纳入产品体系，降低对传统红外业务的依赖，提升高端产品营业收入占比，提升公司整体盈利水平与抗风险能力。小财注：据清城区人民政府官网，先锐科技年产40吨磷化铟建设项目已取得环评批复。
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光
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事件直接收购方，公告拟3.01亿元增资先锐科技取得50.08%股权实现控股，将年产40吨磷化铟（环评已批复）的III-V族化合物材料纳入产品体系，降低对传统红外业务依赖。近5日主力资金净流入9.51亿元，市场高度关注该资产整合方向。
先
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与光智科技同受实控人朱世会控制（通过先导科技集团）。2026年3月收购报告书摘要明确披露朱世会持有光智科技股份。先导科技集团具备高纯材料-衬底-外延-芯片全产业链，在清远有产业基地，与先锐科技磷化铟业务高度协同，是同一集团内资产整合的间接受益方。
云
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国内磷化铟直接竞争对手。2026年4月公告子公司云南鑫耀实施高品质磷化铟单晶片建设项目，年产45万片（折合4英寸）InP单晶片，投资1.89亿元。2025年报化合物半导体材料收入占比12.9%，产品包括磷化铟单晶及晶片，与先锐科技形成同赛道竞争。
兆
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磷化铟材料核心下游用户。2026年3月公告投资建设年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目（一期），明确建设砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线，已配置20腔兼容MOCVD设备。磷化铟产能扩充将直接受益其大规模采购需求。
源
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国内领先光芯片IDM企业，年报明确披露基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的光芯片作为激光雷达的核心部件，InP是公司生产激光器芯片的关键衬底材料。数据中心产品收入占比65.4%，近5日主力资金净流入1.4亿元。
光
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2025年报明确光调制核心技术聚焦硅光(SiPh)、磷化铟(InP)和铌酸锂三大材料平台，InP是公司超高速光通信调制器芯片与模块的关键材料平台，产品应用于1.6T以上高速光模块，与磷化铟材料扩产存在直接技术关联。
中
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国产MOCVD设备龙头，年报明确MOCVD设备是目前化合物半导体材料外延的核心装备；InP外延片生长完全依赖MOCVD设备。先锐科技年产40吨磷化铟项目及行业扩产将直接拉动MOCVD设备采购需求。