涉嫌操纵DRAM价格及供应 三星、SK海力士和美光在美遭集体诉讼
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【涉嫌操纵DRAM价格及供应 三星、SK海力士和美光在美遭集体诉讼】财联社6月29日电，随着全球内存短缺危机加剧，美国当地消费者和小型企业已采取法律行动。据悉，全球最大的三家内存供应商——三星、SK海力士和美光已因涉嫌操纵内存价格并限制全球供应而遭到集体诉讼。诉讼于6月25日在在美国加利福尼亚州联邦法院提起。诉状指出，这三家公司几乎控制着全球DRAM(动态随机存取存储器)市场的全部供应，却在价格大幅上涨期间限制传统DRAM产品供应，进一步加剧了当前的内存短缺危机。
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北
90%
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全资子公司北京矽成（ISSI）是国内最大DRAM芯片设计企业，存储芯片收入占61.4%（2025年报）。年报详析三星/SK海力士/美光将产能转向HBM致传统DRAM供给受挤。三大厂遭诉讼加速客户寻求非韩/非美DRAM替代，公司作为中国DRAM设计龙头直接受益。
兆
85%
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存储芯片收入占比71.3%（2025年报），布局利基型DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4）。与长鑫存储深度合作，2026年预计采购DRAM产品8.25亿美元。年报指出海外大厂加速退出利基DRAM市场，三大厂诉讼进一步推动国产DRAM导入机遇。
东
85%
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中国大陆少数同时提供NAND Flash+NOR Flash+DRAM完整存储芯片解决方案的公司（2025年报）。DRAM系列收入占5.8%，涵盖标准型与低功耗型产品。三大厂诉讼可能约束其供应行为，公司作为本土DRAM替代方案提供方直接催化。
澜
82%
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全球DDR5内存接口芯片龙头，收入94.2%来自内存接口芯片（2025年报）。年报明确披露全球DRAM约90%份额由三星/SK海力士/美光占据且是公司主要下游客户。三大厂诉讼若改变DRAM市场格局，公司将随国产存储生态扩张获新增长极。
佰
78%
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半导体存储器研发封测一体化企业，嵌入式存储收入占60.9%（2025年报）。年报引用TrendForce指出国产DRAM份额仅约5%，明确以长鑫/长存为代表的本土原厂迎来历史机遇。作为本土存储模组龙头，直接受益客户寻求三大厂外供应渠道。
江
75%
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全球领先半导体存储品牌，100%收入来自存储业务，其中DRAM内存条收入占9.7%（2025年报）。嵌入式/固态/内存条全产品线覆盖。三大厂诉讼为国产存储模组厂商提供加快市场份额替代的战略窗口。