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兆易创新:公司为无晶圆厂模式 存在上游合作的晶圆厂产能供给进一步紧张的风险

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【兆易创新:公司为无晶圆厂模式 存在上游合作的晶圆厂产能供给进一步紧张的风险】兆易创新(603986.SH)公告称,公司所处存储芯片行业历史上呈现显著的周期性波动特征,目前产品价格已处于历史高位,继续大幅上涨的趋势不可持续,行业供给与需求终将走向再平衡。未来,随着宏观经济环境、行业周期、市场供需关系等多重因素的变化,主要产品价格可能出现相当幅度的回落,届时对公司存储业务的产品售价、毛利率均将产生较大负面影响,从而导致公司整体盈利能力下降,存在公司经营业绩下降的风险。公司目前所经营的存储产品属于利基存储产品,即主要供给的下游为除手机、PC、服务器以外的广泛且分散的市场,如消费、工业、网通、汽车等领域。当前相关产品价格的上涨,主要来自于主流存储市场围绕AI需求的显著增加,使得国际存储大厂将经营重心切换至相关产品领域,利基存储市场主要间接受益于供应紧张。与主流存储市场不同,利基存储市场的下游需求总量相对稳定,在行业价格快速上行的过程中,下游需求已经受到一定程度的抑制。后续伴随利基存储市场产能边际增加,价格将出现相当幅度的回落。公司为无晶圆厂模式,在当前利基存储市场整体供应短缺的背景下,存在上游合作的晶圆厂产能供给进一步紧张的风险。

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88%
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直接竞争对手。主营NOR Flash和EEPROM非易失性存储器芯片(2025年报芯片产品收入占比100%),与兆易创新利基存储同赛道,同为Fabless模式。年报明确披露「利基非易失性存储战略布局」(688766_20260321_EP9L),下游覆盖消费/工业/汽车等相同市场,共享行业周期和上游晶圆产能风险。
87%
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直接竞争对手。主营NOR Flash存储芯片(2025年报存储芯片收入占86.3%),Fabless模式。2026年一季报明确披露「主要产品NOR FLASH量价齐升,行业景气度提升」(2026-04-23公告),与兆易创新处于同一利基存储价格周期,共同面临产品价格回落及上游产能紧张风险。
82%
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通过全资子公司矽成(ISSI)运营存储业务,2025年报存储芯片收入占比61.4%,产品涵盖SRAM、DRAM和NOR/NAND Flash,车规级存储全球领先。年报明确提及「利基型DRAM芯片受存储超级周期影响」(2025年报),与兆易创新利基DRAM业务直接重合,共同面对Fabless模式下上游代工产能及价格周期风险。
75%
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中国大陆少数同时提供NAND Flash(65.2%)、NOR Flash(3.6%)、DRAM(5.8%)完整存储芯片解决方案的Fabless设计公司(2025年报),与兆易创新在利基存储全赛道竞争,产品面向消费/工业/汽车等相同应用领域,同受利基存储价格周期波动和上游晶圆产能紧张风险影响。