机构：小容量DDR4/DDR3价格走高 NAND现货价持续下跌
闪存
内存
【机构：小容量DDR4/DDR3价格走高 NAND现货价持续下跌】根据TrendForce最新发布的存储现货价格趋势报告，本周DRAM现货价格在小容量DDR4和DDR3领域呈现上涨势头，而整体市场则继续横盘整理。NAND闪存方面，供应商正在调整报价以优化库存水平，但买家仍不愿接受当前价格，512Gb TLC Wafer现货价格持续下跌。
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6 只 · 按关联度排序
北
92%
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存储芯片收入占比61.4%（2025年报），产品覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4等多种利基型DRAM，容量涵盖16Mb~32Gb。2025年报明确指出三星/美光/海力士将产能转向HBM，传统DRAM产能受大幅挤压，尤其DDR4/LPDDR4产能严重不足，引发DRAM缺货和涨价潮。公司作为国内利基型DRAM龙头，直接受益于小容量DDR4/DDR3价格上行。
兆
90%
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存储芯片收入占比71.3%（2025年报），已推出DDR4、DDR3、LPDDR4等多款利基型DRAM产品，DDR4 8Gb在TV、工业等领域客户导入成效显著。2025年报披露自Q2起利基型DRAM市场供不应求，公司产品量价齐升，毛利率季度环比明显改善，DDR4产品占比持续提升。
大
88%
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半导体存储器收入占比89.8%（2025年报），通过全资子公司大为创芯开展DRAM业务，主力产品包括DDR3、DDR4、LPDDR4X商规/宽温级等模组。2025年报披露DDR4/LPDDR4X已与国产CPU平台完成适配并批量交付，进入国内运营商供应体系，出货量显著增长。
东
83%
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2025年报明确布局利基型DRAM，当前以DDR3、小容量DDR4及LPDDR4X等产品为主，聚焦消费电子、工业控制、汽车电子三大领域。公告指出三星/SK海力士/美光持续将产能转向DDR5/HBM，利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为国内供应商创造战略发展机遇。
佰
75%
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PC存储产品（含DRAM模组DDR4和DDR5）收入占比32.7%（2025年报），提供SATA SSD、PCIe SSD及DRAM模组等完整PC存储解决方案。DRAM价格上涨直接提升公司存储模组产品的出货均价与库存价值，带动PC存储业务盈利能力改善。
德
72%
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内存条类产品覆盖DDR3、DDR4及DDR5系列规格（RDIMM/SODIMM/UDIMM等），2025年报指出AI驱动存储需求全面爆发，行业量价齐升、供不应求。DRAM涨价周期下内存条业务收入（占比9.7%）有望受益于价格上行和出货增长。