东芯股份：Q2利基存储产品涨价态势延续 预计下半年价格仍将上行
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【东芯股份：Q2利基存储产品涨价态势延续 预计下半年价格仍将上行】东芯股份(688110.SH)发布投资者关系活动记录表公告，Q2受益于海外三星、美光、铠侠、海力士等原厂逐步退出利基型存储市场，供给端呈现明显收缩态势；与此同时，下游网络通信、安防监控、消费电子、工业控制、汽车电子应用领域需求持续复苏，市场供需格局失衡的状态短期仍将延续，利基型存储产品价格呈现上涨态势。展望全年，随着海外原厂产能调整效应进一步释放，预计下半年利基型存储芯片市场价格仍将保持上行趋势。
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东
95%
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新闻直接主体。公司发布投资者关系活动记录确认Q2涨价延续并预计H2继续上行。公司主营NAND Flash(65.2%)、MCP(25.0%)、DRAM(5.8%)、NOR Flash(3.6%)等利基型存储芯片，是国内少数能同时提供NAND/NOR/DRAM完整存储芯片解决方案的设计企业，直接受益于海外原厂退出带来的涨价周期。
兆
92%
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同赛道直接竞品。存储芯片收入占比71.3%，产品涵盖NOR Flash（全球第二）、SLC NAND Flash和利基型DRAM，与东芯产品线高度重叠。2025年报明确将"专用型存储（NOR Flash/SLC NAND/利基型DRAM）"列为核心业务，海外原厂退出利基市场形成的供给缺口直接利好兆易创新的市场份额与定价能力。
恒
88%
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同赛道纯正竞品。NOR Flash存储芯片收入占比86.3%，2025年报显示主营产品为NOR Flash存储芯片及大容量利基存储业务。产品与东芯高度重叠（同为利基NOR Flash赛道），海外原厂退出带来的供给收缩与涨价趋势直接推动公司业绩弹性。
普
88%
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同赛道直接竞品。主营NOR Flash、EEPROM和SLC NAND Flash存储芯片，产品线与东芯在NOR/SLC NAND领域高度重叠。2025年报披露公司聚焦非易失性存储器芯片，产品应用于物联网、汽车电子、安防等领域，与新闻所述下游应用复苏方向一致，涨价周期中直接受益。
北
85%
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利基DRAM同赛道竞品。存储芯片（利基型DRAM/SRAM）收入占比61.4%，通过ISSI布局车规/工规利基DRAM。2025年报披露存储芯片收入贡献超六成，海外收入占比82.7%。三星/美光/海力士将产能倾斜至DDR5/HBM，在利基DRAM市场形成供给缺口，北京君正作为国内利基DRAM龙头直接受益。
佰
82%
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存储模组受益标的。嵌入式存储收入占比60.9%、PC存储32.7%，属研发封测一体化存储模组厂商。2025年报指出"海外头部存储原厂在产能上更倾向优先保障北美客户"，印证供给端收紧逻辑。存储芯片涨价周期中，模组厂商库存价值重估叠加产品涨价传导，收入和利润弹性显著。