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瑞银大幅上调存储芯片价格预期,预计DRAM/NAND涨价周期将延续至2027年,供需缺口达30年罕见水平

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瑞银最新行业调研显示,2026年下半年存储芯片价格上行空间进一步扩大。其中DDR合约价格预期被大幅上调:2026年第三季度环比上涨32%(此前预期17%),第四季度上涨18%(此前12%),在第二季度已大幅上涨67%的基础上继续走强。NAND同样上修,预计第三季度环比上涨30%,第四季度上涨12%。分析认为,DRAM行业供需紧张至少持续至2028年上半年;2027年芯片需求增长约36.2%,明显高于供给增长的19.3%,若不考虑下游库存回补,2027年供需缺口将从2026年的-8.1%进一步扩大至-13.6%,供需失衡程度达到过去30年罕见水平。行业收入预计2026年达9920亿美元,2027年升至1.76万亿美元。主要风险在于下游客户尤其是大型云厂商的持续资本支出承受能力。

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A股存储芯片设计龙头,2025年报显示存储芯片收入占比71.3%、利润占比76.0%。产品覆盖NOR Flash(全球第二)、SLC NAND及利基型DRAM。公司公告明确受益于"海外大厂退出2D NAND导致供给缺口、SLC NAND量价齐升"。国盛证券2026-05-07研报指出"利基存储全面涨价"。瑞银预期DDR Q3+32%、NAND Q3+30%,直接增厚盈利弹性。
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通过全资子公司北京矽成(ISSI)布局DRAM,2025年报存储芯片收入占比61.4%、利润占比57.6%,是利基型DRAM(SRAM兼容)全球核心供应商。DRAM涨价周期中公司直接受益,瑞银预期DDR Q3环比+32%、Q4+18%,供需缺口至2028年上半年,公司主力产品全面处于涨价通道。
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全球半导体存储品牌企业,2025年报显示100%营收来自存储业务(嵌入式44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%)。公告引用CFM数据:2026年服务器DRAM需求同比+40%,NAND同比+50%。DRAM/NAND涨价周期中,公司既享受库存增值又受益出货量增长,收入和利润弹性显著。
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国内少数同时提供NAND Flash(收入占比65.2%)、NOR Flash和DRAM完整解决方案的芯片设计公司。公告明确指出"国际三大原厂持续将产能向DDR5/HBM倾斜,利基型DRAM形成显著供给缺口"。在瑞银所述30年罕见供需失衡背景下,公司全产品线直接受益于存储涨价周期。
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嵌入式存储收入占比60.9%、PC存储32.7%,研发封测一体化模式。公告引述TrendForce数据:国产DRAM份额约5%、NAND低于10%,国产替代空间巨大。获国家大基金二期战略投资,产品覆盖消费级至企业级存储,DRAM/NAND涨价周期中库存增值效应显著,量价齐升逻辑明确。
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全球内存接口芯片龙头,2025年报显示内存接口芯片收入占比94.2%、利润占比99.2%。DDR5内存接口芯片与DRAM出货量直接挂钩,DRAM涨价周期伴随出货量增长和DDR5渗透率提升,每根DRAM模组均需配置接口芯片,公司作为DDR5核心供应商确定性受益于行业景气上行。