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机构:全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度

闪存 内存
【机构:全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度】根据集邦咨询最新存储器产业调查,2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,原厂议价能力有增无减,集邦咨询据此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度,预估整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的季增55-60%,改为上涨90-95%,NAND Flash合约价则从季增33-38%上调至55-60%,并且不排除仍有进一步上修空间。

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DRAM 模组及 NAND 存储解决方案核心厂商,2025年报显示嵌入式存储收入占比60.9%、PC存储32.7%并拥有存储封测能力。DRAM合约价季涨90-95%、NAND季涨55-60%直接推升公司各产品线售价与存货价值,利润弹性最大的一线标的。
92%
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100%营收来自存储业务(嵌入式44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%、内存条9.7%),全球领先半导体存储品牌企业。DRAM/NAND价格大幅上修直接提升各产品线毛利率和存货价值,且公司自研SLC NAND Flash芯片已量产。
90%
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国内存储芯片设计龙头,2025年报显示存储芯片收入占比71.3%(含NAND Flash、NOR Flash、利基型DRAM),SPI NOR Flash全球市占率第二。存储涨价周期直接提振公司存储芯片ASP与利润率,且SLC NAND受益于原厂产能转向3D NAND带来的供给缺口。
90%
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通过子公司ISSI经营DRAM等存储芯片,2025年报显示存储芯片收入占比61.4%,车规级DRAM在全球车规存储市场占据重要产业地位。DRAM合约价季涨90-95%直接增厚公司存储业务利润,是A股最纯正的DRAM设计标的。
88%
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国内少数能同时提供NAND Flash(收入占比65.2%)、DRAM(5.8%)、NOR Flash(3.6%)完整存储芯片解决方案的公司(2025年报)。NAND季涨55-60%及DRAM季涨90-95%直接拉动其核心产品ASP和毛利水平。
87%
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100%营收来自存储业务(固态硬盘42.5%、嵌入式34%、移动存储13.7%、内存条9.7%),聚焦闪存主控芯片与存储模组,主控芯片+固件两大核心技术平台自主可控。DRAM/NAND涨价直接驱动公司存储模组产品售价与利润率提升。
85%
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国内高端存储芯片封测龙头,2025年报显示存储半导体收入占比26%,产品涵盖DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5、NAND FLASH等全品类。作为国内唯一能大规模封测DRAM/NAND的央企背景企业,量价齐升直接带动封测订单量和定价空间。
85%
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全球DDR5内存接口芯片龙头,内存接口芯片收入占比94.2%(2025年报),客户为三星、海力士、美光三大DRAM原厂。DRAM价格与出货量双增直接拉动内存接口芯片需求,且DDR5渗透率提升带来MRCD/MDB芯片量价齐升增量。