Wolfspeed对纳微半导体提起专利侵权诉讼
氮化镓
第三代半导体
【Wolfspeed对纳微半导体提起专利侵权诉讼】Wolfspeed已向美国特拉华州联邦地区法院对纳微半导体（Navitas Semiconductor）提起专利侵权诉讼。该诉讼指出，纳微半导体的一系列产品侵犯了Wolfspeed的多项专利，被指控侵权的产品涵盖了纳微半导体的主要产品线，包括其氮化镓（GaN）基FET——如GaNFast®、GaNSlim™和GaNSafe®产品系列——以及纳微半导体的GeneSiC™MOSFET和SiCPAK®模块。
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天
93%
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全球导电型碳化硅衬底龙头，2025年市场份额27.6%位居全球第一（富士经济2026年3月报告）。SiC衬底收入占比99.6%，直接与Wolfspeed在全球SiC衬底市场正面竞争。Wolfspeed陷入专利诉讼将加速下游客户向国产衬底供应商切换，天岳先进国外收入占46.4%已深度参与全球供应链，最直接受益于替代逻辑。
三
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国内化合物半导体全产业链龙头，通过湖南三安半导体布局SiC衬底+器件，8吋SiC衬底规划产能48万片/年；集成电路芯片（含SiC/GaN器件）收入占比16.2%。与意法半导体合资建设安意法SiC项目，深度绑定全球产业链。年报明确将SiC和GaN功率器件列为核心战略方向，直接受益于海外SiC/GaN龙头诉讼带来的国产导入加速。
斯
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国内新能源汽车主电机控制器用大功率车规级IGBT/SiC模块主要供应商，2024年车规级模块配套超300万套。产品含SiC模块，可转债问询回复披露车规级GaN模块产业化项目。Omdia 2023报告显示全球IGBT模块市场第五。海外SiC/GaN供应链不确定性将加速下游车厂/新能源客户导入其国产SiC模块。
晶
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通过并购整合以色列VisIC公司，有效布局氮化镓（GaN）功率模块的设计与开发技术能力（2025年报明确披露）。VisIC专注车用高功率GaN技术，与Navitas被诉的GaNFast®、GaNSlim™等产品直接竞争。是A股中唯一通过并购直接持有GaN功率模块核心设计能力的公司，在GaN赛道国产替代中占据独特生态位。
华
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国内功率半导体IDM龙头，全力推进SiC MOSFET/二极管及模块全产业链技术攻关与规模化生产，加速GaN器件在AI数据中心等领域的产业化（2025年报）。年报引用Omdia数据：2025年全球SiC和GaN功率半导体市场规模已突破80亿美元。产品与方案收入占54.5%，分立器件含SiC/GaN产品线，是国产替代的重要参与者。
中
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全球氮化镓基MOCVD设备市场份额最大的供应商（2025年报）。新型GaN功率器件MOCVD设备已发往下游客户量产验证，为GaN功率器件外延设备国产化做好准备；同时启动SiC功率器件外延设备开发，多款MOCVD新产品已进入客户端验证并获批量订货。2026Q1营收同比+34.13%，国产SiC/GaN产业扩张直接拉动其设备需求。
士
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子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线在2025年下半年产出逐步增加，预计2026年实现满产（2025年报）。已开发多种规格SiC功率器件芯片，覆盖汽车、新能源、工业等应用。器件收入占48.9%，是国内少数具备SiC芯片量产能力的IDM企业，受益于海外SiC龙头诉讼引发的国产替代窗口。