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高盛:AI或引爆美国通胀 存储暴涨是核心推手

【高盛:AI或引爆美国通胀 存储暴涨是核心推手】高盛最新研究表明,美国很可能将首当其冲地受到由人工智能(AI)引发的全球通胀浪潮的冲击。这家华尔街巨头对AI热潮如何推高全球消费者价格进行了分析。由于供应受限,内存芯片和半导体等关键零部件的价格被推高。高盛经济学家Megan Peters撰文指出,美国可能会遭受最严重的通胀冲击。根据高盛的估计,AI每年使美国核心个人消费支出(PCE)通胀率(美联储偏好的通胀指标)上升约20个基点。到今年年底,预计这股通胀压力将增加一倍以上,对核心PCE的推升幅度将达到50个基点。

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全球领先半导体存储品牌,2025年报显示存储业务收入占比100%(嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%)。存储涨价周期中产品售价直接受益,海外收入占66.8%,提价弹性充足。
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2025年报显示存储芯片收入占比71.3%(NOR Flash+利基型DRAM),SPI NOR Flash全球市占率第二。存储涨价直接提升其产品ASP与毛利率,海外收入占69.5%,充分受益全球存储涨价周期。
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存储模组+封测一体化,2025年报嵌入式存储60.9%、PC存储32.7%。年报明确指出HBM市场规模2026年同比增长超90%逼近600亿美元,AI驱动存储需求爆发,公司已布局HBM相关先进封测。
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通过收购ISSI成为国产DRAM龙头,2025年报显示存储芯片收入占比61.4%。其DRAM产品覆盖汽车、工业、通信等利基市场,存储涨价直接提升盈利能力,海外收入占比82.7%凸显全球定价属性。
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全球内存接口芯片龙头,2025年报内存接口芯片收入占比94.2%。DDR5内存接口芯片是服务器内存模组核心配套,存储涨价驱动DDR5渗透率加速,直接带动其接口芯片出货量和ASP双升,海外收入占71.5%。
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国内少数同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的公司,2025年报NAND系列65.2%、MCP系列25.0%、DRAM系列5.8%。三大产品线均处于涨价周期,弹性充分。
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闪存盘发明者,被称为存储第一股。2025年报显示闪存应用产品收入70.9%、闪存控制芯片27.2%,合计存储相关收入约98%。海外收入占比58.1%,存储涨价周期中库存增值和产品提价直接受益。
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EEPROM存储芯片龙头,2025年报存储类芯片收入占比87.6%(EEPROM),产品广泛应用于内存模组SPD、汽车电子等。存储涨价周期中内存模组SPD需求同步提升,海外收入占53.5%。
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主营NOR Flash存储芯片设计,2025年报存储芯片收入占比86.3%。NOR Flash在汽车电子、物联网等领域需求旺盛,存储涨价周期中直接受益于产品提价,是国内NOR Flash主要供应商之一。
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非易失性存储芯片设计公司,2025年报芯片产品(NOR Flash+EEPROM)收入占比100%。超低功耗NOR Flash技术领先,客户覆盖三星、OPPO、vivo等,存储涨价直接提升公司出货均价与毛利。
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央企存储封测龙头,2025年报存储半导体业务收入占比26%,产品包括DDR3/4/5、LPDDR3/4/5、NAND FLASH、eMMC等存储芯片封测。存储涨价驱动存储厂扩产,封测需求增长,产能利用率提升直接受益。
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2025年报半导体业务收入占比39.4%,拥有覆盖NOR/NAND/DRAM的CP测试(2.5D MEMS探针卡)、FT测试(JH8800)设备,并推出JH5520 HBM BI测试系统。存储涨价驱动存储厂资本开支扩张,测试设备采购需求随之增长。