【美银：SK海力士2028年新增产能或仅为计划的六分之一】美银当地时间7月14日发布报告称，由于技术升级导致旧厂关闭，韩国年均晶圆产能实际增速将低于10%，远不及官方设定的2030年翻倍目标。SK海力士到2028年的新增内存产能可能仅为原计划的六分之一。此外，三星与SK海力士在光州和全罗新建大型晶圆厂的建设及设备铺设周期恐拉长至十年。
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香
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2025年报明确披露"目前第一大供应商为SK海力士"，子公司联合创泰是SK海力士核心代理商（华鑫证券2026-03-22研报确认）。SK海力士产能扩张大幅缩减将影响其分销货源，但存储涨价周期亦带动分销收入增长，是A股与SK海力士绑定最直接的公司。
佰
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2025年报披露与SK海力士等主要存储晶圆原厂签订长期供货协议；2026Q1营收同比+341%，直接受益于存储价格持续上涨。DRAM市场SK海力士占33.2%份额，其产能缩减将进一步推升存储价格，利好公司存储模组业务。
兆
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2025年报指出国际大厂削减2D NAND产能形成供给缺口，价格显著上涨；存储芯片收入占71.3%（NOR Flash全球第二、SLC NAND），韩国厂商扩产放缓将延长存储涨价周期，直接改善公司产品定价环境。
华
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2025年报披露韩国子公司具备开发HBM所需高导热EMC技术能力，有望直接切入全球AI算力芯片供应链；GR910系列已在NAND Flash实现批量供货。HBM堆叠层数持续增加（SK海力士已展出16层HBM4），封装材料需求倍增。
北
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2025年报显示存储芯片收入占61.4%（通过ISSI，主营DRAM/SRAM），收入82.7%来自海外。SK海力士/三星产能扩张放缓将延长利基型DRAM涨价周期，公司作为国内利基型存储龙头直接受益。
东
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2025年报刊出三星MLC产品进入EOL阶段、SK海力士等缺乏扩产动力，加速全球2D NAND产能出清，为国内厂商带来结构性市场机遇。公司是国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整解决方案的芯片设计企业。
神
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2025年报详细讨论SK海力士HBM市场增长及2026年30万亿韩元资本支出计划；大直径硅材料产品直供日本、韩国等半导体强国知名硅零部件厂商，是韩国半导体供应链的重要材料供应商。
雅
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半导体前驱体材料（High-k、硅基等）广泛运用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程；构建中韩双研发部门跟踪前沿技术；电子材料收入占比59%，HBM概念板块，是存储芯片制造环节关键材料供应商。
德
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募集说明书披露NAND Flash和DRAM晶圆供应商仅三星电子、海力士、美光等少数原厂；存储模组业务收入100%。韩国原厂产能扩张低于预期将延长晶圆供应紧张态势，推升存储模组售价。
拓
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2025年报指出薄膜沉积设备是3D NAND、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑；混合键合技术将被引入HBM更高堆叠层数，公司PECVD/ALD设备已广泛应用于国内存储芯片制造产线。
艾
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2025年报明确指出SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品，HBM堆叠层数每翻一番光刻工艺次数翻倍，形成超线性增长；公司光刻胶及配套试剂收入占22.9%，是HBM先进封装材料供应商。
朗
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2025年报刊出2026年全球存储市场规模预计同比+64.15%至3,772亿美元，DRAM/NAND供应增长远不及需求增速、价格持续上涨的判断；公司闪存应用产品收入占70.9%，直接受益于存储涨价周期。
联
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球形硅微粉是HBM先进封装（MUF工艺）的关键填料，公司为国内硅微粉龙头（国家制造业单项冠军）；产品进入HBM/Chiplet封装供应链，HBM堆叠层数提升将增加单位芯片填料用量。