力积电总经理朱宪国在7月14日业绩说明会上表示，公司自本月（7月）起将存储代工报价上调45%，相关产能预计2026年11月投产，有望拉动营收并提升盈利。公司自主研发的OneX DRAM工艺已于6月进入小批量试产，持续推进良率优化与客户认证；和美光联合开发的OneP工艺计划明年一季度完成设备进场，目标2028年年中量产。
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兆
92%
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中国大陆存储芯片设计龙头，存储芯片收入占比71.3%（2025年报），产品覆盖NOR Flash、NAND及利基型DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4）。力积电存储代工报价上调45%，标志DRAM代工产能持续紧缺，兆易创新作为国内利基DRAM市占率第二的企业直接受益于涨价周期。公司2025年报披露"利基型DRAM量价齐升，毛利率季度环比改善明显"；国盛证券2026-05-07研报指出"利基
北
90%
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通过全资子公司ISSI（北京矽成）布局全球利基型DRAM市场，存储芯片收入占比61.4%（2025年报），产品广泛应用于汽车、工业、通信等领域。力积电45%涨价强化了利基DRAM供给紧缺格局，北京君正作为国内利基DRAM头部企业充分受益。东方证券2026-05-11研报指出"深度受益利基存储紧缺，车规DRAM市场份额有望提升，迎来更长涨价周期"。
佰
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国内存储模组及封测龙头，产品涵盖嵌入式存储（60.9%）、PC存储（32.7%）等。2026Q1季报披露"存储行业进入高度景气周期，AI算力与国产替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨，公司受益显著"，营收同比增341.5%。公司年报明确"与全球主要NAND和DRAM供应商及晶圆代工厂保持长期深入合作"。力积电涨价信号确认存储行业供不应求，佰维存储作为产业链下游直接受益。
江
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全球领先的半导体存储品牌企业，产品线覆盖嵌入式存储(44.0%)、固态硬盘(24.5%)、内存条(9.7%)等全线DRAM/NAND产品。与全球存储晶圆原厂保持稳定采购关系。力积电存储代工报价上调45%直接反映存储晶圆端涨价趋势，江波龙作为存储模组品牌商，其产品售价随行就市，涨价周期中库存价值重估和毛利弹性显著。
华
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全球第五大、中国大陆第二大的纯晶圆代工企业，特色工艺平台覆盖嵌入式/独立式非易失性存储器代工（2025年报披露）。力积电存储代工大幅涨价45%，下游客户成本压力上升后将寻求更低成本的代工选项，华虹的独立式非易失性存储器代工平台具备直接替代能力。中邮证券2026-05-29研报指出其"独立式非易失性存储器收入同比增长33.2%"，12英寸产能加速爬坡。
东
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中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整存储芯片解决方案的企业。DRAM产品收入占比5.8%但增长可期。力积电涨价带动存储晶圆整体涨价，东芯股份的NAND（65.2%）和MCP（25.0%）产品受益于全行业涨价趋势，且作为国内存储芯片设计公司有望在国产替代浪潮中获得更多订单机会。
澜
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全球内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占比94.2%（2025年报）。力积电DRAM代工涨价及OneX DRAM工艺推进，反映DRAM市场需求旺盛和技术升级趋势。澜起科技的内存接口芯片（包括DDR5 RCD/MDB等）与DRAM颗粒配套使用，DRAM出货量增长和规格升级直接拉动其收入。公司作为DDR5接口芯片全球主要供应商，受益于DRAM产业链量价齐升。