复旦大学在《科学》（Science）发表“量子闪存”技术，首次实现室温单电子非易失性存储，并计划在1到3年内实现产品落地。
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队在《Science》发表重磅成果，其发明的“量子闪存”（QuantumFlash）技术成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）环境下清晰观测到单电子的非易失性存储行为，彻底打破了“单电子存储无法实现”的传统认知，开创了单电子量子存储的全新理论体系。团队已系统性打通从底层材料、器件创新到高端芯片集成与应用的全链条，计划1到3年内实现产品落地，成立公司对接人工智能头部客户，引入战略合作伙伴并借助政府支持推进产业化。
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复旦大学体系内唯一集成电路设计上市平台，2025年ESG报告明确披露"与复旦大学微电子学院的深度协同，构建了产学研用一体化创新体系"。公司非挥发存储器（非易失性存储）为核心业务之一，2025年报显示收入占比26.2%，是国内领先的高可靠性非挥发存储器供应商。量子闪存由复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室研发，复旦微电作为同体系IC设计平台，最有望承接该技术的产业化落地。
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2025年报明确披露"公司与复旦大学开展产学研深度合作，在新能源汽车用SiC MOSFET关键技术研发方面取得阶段性重要进展，共同突破三大核心技术领域，申请1项发明专利并获授权"。虽合作领域为功率器件而非存储，但证明了其已进入复旦大学产学研合作体系，若量子闪存技术产业化需要半导体封测/器件制造能力，公司具备协同基础。
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国内存储芯片龙头，2025年报显示存储芯片收入占71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二（弗若斯特沙利文数据）。主营NOR Flash/SLC NAND Flash/利基型DRAM等非易失性存储器，与量子闪存同属非易失性存储技术赛道。技术路线变革对其现有存储业务构成潜在影响，同时具备参与新型存储产业化的研发能力和产业链地位。
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通过全资子公司北京矽成（ISSI）布局存储芯片，2025年报显示存储芯片收入占61.4%，产品涵盖SRAM、DRAM等。是中国领先的存储芯片设计企业之一，与量子闪存技术同属存储芯片赛道，在新型存储技术产业化进程中存在技术对标与潜在合作空间。
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主营NOR Flash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片（2025年报显示芯片产品收入占比100%），总部位于上海，是全球NOR Flash和EEPROM主要供应商之一。量子闪存作为全新非易失性存储技术路线，与公司现有产品技术同属非易失性存储赛道。
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主营NOR Flash存储芯片和MCU芯片，2025年报显示存储芯片收入占86.3%，是专注于非易失性存储芯片的IC设计企业。量子闪存技术的室温单电子非易失性存储突破，对现有NOR Flash技术路线构成远期影响与对标价值。
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上海本地存储芯片设计企业，是大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的公司（2025年报显示NAND收入占65.2%）。公司在"存、算、联"一体化领域布局技术创新，与量子闪存技术面向AI存算融合的方向存在交集。