韩国海关公布的7月1日至20日初步数据显示，韩国出口总额达549亿美元，同比增长52.3%，实现贸易顺差122亿美元。其中半导体出口继续领跑，激增180%至221亿美元；对华出口同比近乎翻倍，达133亿美元；对美出口增长39.6%。截至7月20日，韩国今年累计出口额5512亿美元，同比增长48.7%，仅汽车出口下降10.6%。数据表明AI热潮驱动的半导体高景气仍在加速。
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华
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公司年报确认已进入三星、SK海力士等全球领先半导体企业供应链体系。公司为HBM核心TSV刻蚀提供高纯三氟甲烷、全氟丁二烯等高端电子特气，2026年HBM市场规模预计546亿美元（+58%），三星/SK海力士将70%新增产能投向HBM，公司直接受益于HBM爆发带来的特气需求增量。
澜
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公司年报披露：全球首发CXL MXC芯片，三星电子及SK海力士推出的CXL内存产品均采用其MXC芯片；2025年首批CXL 2.0合规供应商清单中，三星和SK海力士受测产品均搭载其MXC芯片。公司内存接口芯片收入占比94.2%，直接受益于韩国存储巨头AI内存产品放量。
佰
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公司年报明确存储晶圆产能集中于三星、SK海力士等原厂，公司根据生产需求直接采购。嵌入式存储收入占比60.9%，PC存储32.7%，AI服务器存储/HBM相关产品线完整。存储芯片国产化率仅5%-10%，韩国出口激增验证行业高景气，公司作为模组厂商直接受益于涨价传导。
神
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公司年报直接引用SK海力士2026年销售额预计突破165万亿韩元、HBM爆发式增长、资本支出增至30万亿韩元以上。公司硅零部件产品用于存储芯片等离子刻蚀，是核心耗材，硅零部件营收占比54.1%，终端主要应用于存储芯片制造厂，直接受益于韩国存储扩产。
兆
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公司年报确认存储芯片营收同比增长26.41%，存储芯片收入占比71.3%（其中NOR Flash全球市占率第二）。利基型DRAM及SLC NAND受益于三星/SK海力士转向HBM造成的供给缺口，产品价格在2025年下半年开启上涨，是存储周期上行的核心A股受益标的。
东
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公司年报指出三星、SK海力士、美光持续将产能向HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为中国大陆供应商创造战略机遇。公司是国内少数同时提供NAND、NOR、DRAM完整解决方案的企业，NAND收入占比65.2%，直接填补韩系产能转移留下的市场空白。
艾
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公司年报明确产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装核心工艺（TSV、RDL、Bumping电镀液），在封装领域市占率约30%。SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品，堆叠层数翻倍使光刻工艺呈乘数增长，公司电镀液/光刻胶作为HBM封装刚需材料直接受益。
江
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公司是全球领先半导体存储品牌企业（FORESEE、Lexar），嵌入式存储收入占比44%，固态硬盘24.5%，内存条9.7%。2025年营收100%来自存储业务，境外收入占比66.8%。存储价格上行周期中作为品牌厂商直接受益于量价齐升，韩国出口180%增速验证行业高景气。
拓
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公司年报指出薄膜沉积设备是3D NAND、DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑。3D NAND向更高层数演进直接增加薄膜沉积工序数量，SK海力士30万亿韩元年 capex 投向存储扩产，公司作为国内PECVD/ALD龙头将受益于全球存储设备采购浪潮。
中
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公司刻蚀设备是3D NAND、DRAM和HBM制造的核心设备。3D NAND向300层演进、HBM的TSV深硅刻蚀工艺直接拉动刻蚀设备需求。全球半导体设备销售额2025年增长15%至1351亿美元，存储扩产是主要驱动力，公司作为国产刻蚀设备龙头持续受益。
通
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公司年报披露通过TSV硅通孔与硅中介层技术实现HBM封装，掌握2.5D/3D异构集成、晶圆级封装等先进封装能力。AI服务器DRAM需求量是普通服务器8倍、NAND是3倍，HBM正从8层向12/16层演进，公司作为国内封测龙头深度参与HBM封装产业链。
上
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公司年报披露针对3D NAND/DRAM存储工艺需求的蚀刻类配方型化学品重点布局，包括氮化硅/钛蚀刻系列产品。集成电路材料收入占比76.3%，用于存储芯片制造的电子化学品和配套设备是核心业务，韩国存储扩产带动上游材料需求持续增长。
普
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公司年报指出存储超级周期由AI驱动，国际IDM大厂将产能优先分配给高端产品使通用内存供应缩减，推动量价齐升。公司存储系列芯片营收17.87亿元（+26.10%），已实现韩国、日本、美国等多国知名大客户导入，出货量71.83亿颗（+6.06%）。
长
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公司是全球领先的芯片成品制造企业，拥有2.5D/3D封装、系统级封装等先进技术，广泛应用于AI、高密度存储等领域。公司在中国、韩国、新加坡设有八大生产基地，境外收入占比78.3%，韩国存储扩产和HBM封装需求增长直接利好公司先进封装业务。