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分析指出市场对SK海力士LTA合同存在误读,不应混淆“牺牲”与“投资”。随着2026年下半年供应短缺加剧,DRAM需求满足率将处于75%-80%;2027年将进一步降至60%区间,即使仅...
营收97.5%来自集成电路(存储器),2025年报详细引用了三星、SK海力士在DRAM市场的份额数据(32.6%/33.2%),直接采购其DRAM晶圆。DRAM满足率降至60%区间将导致晶圆采购成本上升但成品售价更快上涨,公司作为研发封测一体化厂商,库存溢价和量价齐升逻辑明确。
内存接口芯片收入占比94.2%,DDR5内存接口芯片全球龙头。DRAM大规模扩产和DDR5渗透率提升直接拉动其内存接口芯片及MRCD/MDB/CKD等新品需求。2025年报显示DDR5已取代DDR4成为主流,DRAM产能扩张将带动配套接口芯片出货量同步增长。
子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》(2025.7-2030.6),专门为SK海力士DRAM产品提供后工序服务,采用'全部成本+约定收益(总投资额10%+超额收益)'模式。SK海力士DRAM产能扩张直接增加海太半导体的服务量,关联交易金额持续增长。
100%营收来自存储业务(Flash+DRAM),2026年2月定增问询回复公告明确写道'AI服务器需求爆发,采购量超过原厂供应能力,非服务器市场面临严重的存储供应紧缺,存储价格快速上涨'。DRAM满足率进一步下降至60%将直接推升其内存条和嵌入式存储产品售价与利润率。
存储芯片收入占71.3%,布局利基型DRAM产品线。2025年报明确:'国际头部公司加速向HBM/DDR5迁移,放弃或减少利基型产品生产,行业竞争格局改善,利基型DRAM价格大幅上涨'。DRAM紧缺的外溢效应使公司直接受益,华安证券2026-04-30研报指出其利基DRAM量价齐升。
存储芯片(通过ISSI经营车规/工规DRAM、SRAM)收入占比61.4%。2025年报显示存储芯片贡献57.6%利润。DRAM全球紧缺背景下,车规利基型DRAM迎来更长涨价周期,东方证券2026-05-11研报指出'AI算力挤占利基存储产能,紧缺局面有望持续,公司车规DRAM市场份额有望提升'。
电子元器件分销收入占比94.2%,2025年报明确披露'公司第一大供应商为SK海力士,采购产品为数据存储器',拥有SK海力士分销代理资格。DRAM供应紧缺+涨价直接提升分销商存货价值和利润率,且公司作为SK海力士在中国的重要分销渠道,量价齐升逻辑清晰。
存储半导体业务收入占比26%,是国内高端存储芯片封测龙头。2025年报明确产品包括DRAM、DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5等。DRAM紧缺推动存储原厂加大封测外包,公司作为沛顿科技(内存封测)运营主体,直接受益于DRAM封测订单量增长。
100%营收来自存储模组产品,内存条类产品收入占9.7%。2026年3月定增预案公告明确提示'DRAM存储晶圆供应商只有三星电子、海力士等少数原厂,晶圆供应紧缺是公司核心风险'。DRAM满足率降至60%将强化涨价预期,公司存储模组库存溢价和售价提升直接受益。
布局利基型DRAM产品线(DDR3(L)、LPDDR1/2/4X),DRAM系列收入占比5.8%且快速增长。2025年报指出:'国际大厂加速向先进DRAM主导的时代迈进,国内存储厂商迎来结构性市场机遇'。DRAM紧缺导致下游客户寻求国产替代方案,公司作为少数国产DRAM芯片设计公司直接受益。
公告明确公司'通过硅通孔(TSV)与硅中介层技术,实现HBM与图形处理器的高密度集成',募投项目包括存储芯片封测产能。HBM是SK海力士的核心增长产品,DRAM紧缺加速HBM扩产,公司作为国内稀缺的HBM先进封装厂商间接受益。
存储类芯片收入占比87.6%,SPD(串行存在检测)芯片主要配套DDR5内存模组。DDR5内存模组每根需配1颗SPD芯片,DRAM扩产和DDR5渗透率提升直接拉动SPD芯片需求,普冉股份年报中也证实SPD芯片受益于DDR5渗透率提升。
半导体材料收入占比31.4%,前驱体材料'广泛运用于3D NAND、DRAM内存芯片和逻辑芯片等先进制程',HBM概念股。DRAM/HBM产能扩张增加对High-K前驱体等材料的耗用,公司作为国内前驱体龙头,韩国双研发中心服务全球存储客户。
球形硅微粉收入占比58.4%,用于HBM先进封装中的EMC(环氧塑封料)填料。公司是工信部专精特新'小巨人','MUF封装用电子级超细高纯球形二氧化硅'入选省重点推广目录。HBM和先进DRAM封装产能扩张带动高端硅微粉需求增长。
集成电路封装测试龙头,产品覆盖存储芯片封装。随着DRAM产能扩张和先进封装(如Fan-Out、TSV)需求增长,公司作为国内三大封测厂之一,存储芯片封装订单有望受益于行业景气度提升。
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