兆易创新：拟使用5亿元A股募集资金向全资子公司增资实施DRAM项目
【兆易创新：拟使用5亿元A股募集资金向全资子公司增资实施DRAM项目】财联社7月21日电，兆易创新(603986.SH)公告称，公司召开第五届董事会第十三次会议，审议通过了《关于使用A股部分募集资金向全资子公司增资以实施DRAM募投项目的议案》，同意公司使用A股募集资金5亿元向全资子公司珠海横琴芯存半导体有限公司（简称“珠海芯存”）增资，以实施DRAM募投项目。该事项无需提交股东会审议。增资完成后，珠海芯存注册资本由1.5亿元变更为2亿元，仍为公司全资子公司。
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兆
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本次公告直接主体，拟使用5亿元A股募集资金向全资子公司珠海芯存增资实施DRAM项目。存储芯片收入占比71.3%（2025年报），利基型DRAM产品含DDR3L/DDR4/LPDDR4等，与长鑫科技2026年关联交易预计8.25亿美元（约57.11亿元）用于DRAM代工。
澜
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内存接口芯片收入占比94.2%（2025年报），是服务器DRAM内存模组的核心逻辑器件。全球DRAM市场三星、海力士、美光三家占90%份额，均为公司主要下游客户。DRAM产业扩张直接带动内存接口芯片及配套芯片需求增长。
通
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兆易创新的封测服务供应商，2025年报中明确列举获兆易创新等近40家客户嘉奖。子公司通富通科定位于存储芯片封测基地，覆盖多层堆叠封装等技术。兆易创新DRAM项目扩产将直接增加封测需求，通富微电作为其供应商直接受益。
精
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半导体业务收入占比39.4%（2025年报），BI产品线覆盖FLASH和DRAM类，已适配DDR4/DDR5/LPDDR4/LPDDR5等主流存储器件的测试需求，产品满足DRAM存储器件的高速老化测试。兆易DRAM扩产将拉动存储测试设备采购。
北
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存储芯片收入占比61.4%（2025年报），通过全资子公司北京矽成拥有DRAM产品线（DDR3/DDR4/LPDDR4等），与兆易创新处于利基型DRAM同赛道，共享行业景气上行周期。海外大厂退出利基DRAM市场带来行业供需改善。
佰
82%
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存储封测一体化厂商，2025年报明确提及'本土DRAM/NAND颗粒供应增长将带动封测需求'，DRAM封测为核心业务之一。公司嵌入式存储收入占60.9%，先进封测服务对外输出。兆易DRAM扩产带动本土存储产业链封测配套需求增长。
东
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中国大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，DRAM系列产品收入占比5.8%（2025年报）。与兆易创新同属存储芯片设计赛道，受益于本土DRAM产业发展及国产替代趋势。
中
75%
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电子束关键尺寸量测设备和高深宽比刻蚀结构量测设备（X光技术）主要应用于先进存储芯片制造（含DRAM），可对关键尺寸和高深宽比结构进行精确量测。兆易DRAM项目推进将带动存储产线对检测量测设备的需求。