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长鑫科技：将于7月27日在科创板上市

半导体 国产芯片 内存
【长鑫科技：将于7月27日在科创板上市】财联社7月23日电，长鑫科技(688825.SH)公告称，公司股票将于2026年7月27日在上海证券交易所科创板上市。本次发行价格为8.66元/股，发行后总股本为668.81亿股(超额配售选择权行使前)。

相关股票

12 只 · 按关联度排序
中
中船特气 688146 供应链
90%
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2025年报明确将长鑫存储列为终端客户（高纯三氟化氮、六氟化钨等电子特气供应商），集成电路与显示行业收入占比79.8%。长鑫上市募资扩产将直接拉动电子特气采购需求。
通
通富微电 002156 供应链
85%
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2025年报显示为长鑫集电（北京）存储技术和长鑫新桥存储技术提供集成电路封装测试服务，交易金额分别为157.4万和138.2万元；公司董事同时在长鑫子公司任董事，封测为长鑫DRAM后道配套。
兆
兆易创新 603986 供应链
85%
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招商证券2026-05-06研报确认2026年兆易与长鑫科技关联交易采购额达57.11亿元，兆易从长鑫采购DRAM晶圆用于利基型DRAM芯片销售，Q1 DRAM收入环比翻倍以上增长。
佰
佰维存储 688525 供应链
85%
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2025年报明确将合肥长鑫列为DRAM晶圆原厂（与三星、SK海力士同列），公司嵌入式存储（收入占比60.9%）和PC存储产品向长鑫采购DRAM晶圆/芯片作为核心原材料。
长
长电科技 600584 供应链
82%
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年报披露长鑫科技集团为关联方（关联自然人担任董事），存在日常关联交易；封测服务覆盖DRAM和Flash等存储芯片，拥有20多年memory封装量产经验，为长鑫DRAM提供封装测试配套。
精
精测电子 300567 供应链
78%
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拥有存储芯片BI测试设备（JH5302/JH5400等）专用于NAND、UFS、eMMC、DRAM等存储器老化测试；半导体业务收入占比39.4%，长鑫上市扩产将带动存储测试设备采购。
中
中微公司 688012 供应链
75%
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年报强调存储器技术向3D架构演进使刻蚀和薄膜沉积设备成为核心关键设备；公司等离子体刻蚀设备是DRAM制造必需，作为国产刻蚀设备龙头直接受益于长鑫产能扩张的设备采购。
神
神工股份 688233 供应链
73%
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年报披露已进入中国主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备厂的供应链；硅零部件（收入占比54.1%）用于存储芯片刻蚀环节，长鑫作为国内最大DRAM厂是其核心目标客户。
盛
盛美上海 688082 供应链
72%
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国内半导体清洗设备龙头，单片兆声波清洗设备等产品是DRAM制造前道工艺必需设备；中国大陆收入占比99.4%，长鑫上市扩产将直接拉动清洗设备需求。
中
中科飞测 688361 供应链
72%
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年报明确高深宽比刻蚀结构量测设备主要应用于先进存储芯片制造；公司检测和量测设备覆盖国内28nm及以上制程，长鑫DRAM量产及工艺升级将带来量测设备采购需求。
澜
澜起科技 688008 生态系统
68%
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内存接口芯片（收入占比94.2%）是DDR5 DRAM模组核心配套芯片；长鑫DRAM出货量增长将扩大DDR5内存模组生态，带动内存接口芯片需求，公司直接受益于国产DRAM产业链成熟化。
北
北京君正 300223 相关概念
65%
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存储芯片收入占比61.4%（通过ISSI经营利基型DRAM和SRAM），与长鑫同属国产存储芯片赛道；长鑫上市提升国产存储板块估值，且DRAM产能扩张有利于缓解利基型DRAM供给紧张。