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财联社7月29日电,SK海力士第二季度营业利润为60.54万亿韩元(约合420亿美元),预期为64.22万亿韩元。第二季度收入为79万亿韩元(约合543亿美元),预期为84万亿韩元。二季...
控股子公司海太半导体是SK海力士的后工序服务(封测)供应商。2025年7月已完成《第四期后工序服务合同》签署,以'全部成本+约定收益(总投资额10%+超额收益)'模式为SK海力士提供半导体后工序服务,合同期至2030年6月。半导体封测业务收入占公司15.3%。
SK海力士是公司第一大供应商,公司作为授权分销商代理分销SK海力士的数据存储器DRAM及NAND产品。2025年报明确披露'公司目前第一大供应商为SK海力士,向SK海力士采购数据存储器',联合创泰已与SK海力士建立稳定合作,覆盖国内核心互联网企业客户。电子元器件分销收入占94.2%。
已进入SK海力士全球供应链体系,年报明确披露'进入了英特尔、美光科技、台积电、SK海力士、英飞凌、三星等全球领先半导体企业的供应链体系'。2025年报强调'为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气,直接受益于HBM爆发',对公司8寸以上晶圆制造客户覆盖率超90%。
直接向SK海力士供应电子级氯气等电子化学品。2025年报明确'SK海力士(无锡)实现了氯气直销模式,实现代理和直销双重模式',同时通过代理模式向SK海力士销售产品。公司主营电子湿化学品和电子特气,集成电路客户收入占比71.2%,概念板块包含'HBM'和'电子特气'。
拟在韩国建设超高纯溅射靶材生产基地,2025年12月增发预案明确'实现对SK海力士、三星等重要客户覆盖,提升公司属地化服务能力'。公司是国内超高纯溅射靶材龙头,产品用于半导体晶圆制造,超高纯靶材收入占61.9%,境外收入占34.1%。
存储模组与先进封测一体化公司,嵌入式存储收入占60.9%、PC存储占32.7%,直接受益于SK海力士DRAM ASP环比涨30%、NAND ASP环比涨50~55%的涨价周期。年报引用TrendForce数据详细分析SK海力士市场份额,公司具备HBM相关封测能力。
全球首款CXL内存扩展控制器(MXC)芯片被SK海力士采用于其CXL内存产品。2025年报明确'SK海力士推出的CXL内存产品均采用公司的MXC芯片',双方在内存接口领域深度合作。公司内存接口芯片收入占94.2%,是DDR5世代的核心供应商。
国内存储芯片设计龙头,存储芯片(NOR Flash/SLC NAND/利基型DRAM)收入占71.3%,SPI NOR Flash全球市占率第二。涨价周期下存储业务弹性最大,年报确认'存储芯片需求升温、价格上涨成为行业主要驱动力'。
通过ISSI从事DRAM芯片设计,存储芯片收入占61.4%。2025年报详细分析'海力士等存储大厂将产能转向HBM,传统DRAM产能受挤压,引发DRAM芯片缺货和涨价潮',公司直接受益于DRAM涨价及国产替代趋势。
自主研发HBM老化测试设备(JH5520 HBM BI测试系统),面向HBM封装老化测试。半导体业务收入占39.4%,年报明确'AI/高性能计算推动先进封装增长',HBM扩产直接拉动公司半导体检测设备需求。
国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整解决方案的芯片设计公司,NAND占65%、MCP占25%。年报明确指出'SK海力士等国际三大原厂持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM倾斜,在利基型DRAM市场形成供给缺口,为公司创造战略发展机遇'。
全球领先的半导体存储品牌企业,产品覆盖嵌入式存储(44%)、固态硬盘(24.5%)、移动存储(21.5%)和内存条(9.7%)。DRAM/NAND涨价周期直接推升产品售价和库存价值,公司从晶圆采购到品牌销售的垂直整合模式弹性更大。
为HBM 2.5D/3D封装等前沿领域提供检测量测设备。2025年报明确'为先进存储以及HBM 2.5D/3D封装等前沿领域客户提供覆盖光学+电子束+X光的一站式良率管理解决方案',硅通孔铜填充空隙量测设备直接用于HBM芯片制造。
先进封装用光刻胶及配套试剂供应商。年报引用'SK海力士已展出全球首款16层HBM4样品'并分析HBM堆叠从8层到16层演进使光刻工艺次数翻倍,公司产品直接受益于HBM产能扩张带来的超线性需求增长。半导体行业收入占92.4%。
半导体薄膜沉积设备龙头,年报明确'薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑'。公司PECVD/ALD设备已广泛应用于国内存储芯片产线,SK海力士扩产及存储涨价将拉动国内存储厂设备采购。
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