SK海力士在7月29日电话会中释放关键供应信号：AI及先进存储主要客户持续提出增加供货需求，存储器供应紧张态势预计将持续较长时间。同时，公司表示除已公布的投资计划外，暂无新增晶圆厂建厂的详细规划，且韩国股票转换为ADR的规模或将受限。这意味着HBM及先进DRAM的供给刚性增强，产能紧缺周期可能超预期。
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香
95%
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公告明确披露"第一大供应商为SK海力士"、"SK海力士是联合创泰的核心供应商"，子公司联合创泰是SK海力士授权分销商，电子元器件分销收入占比94%。2026Q1营收同比增长200.6%，自主品牌"海普存储"企业级SSD/DRAM已量产，直接受益于存储供应紧张带来的涨价与需求溢出。
太
93%
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控股子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》（2025.7-2030.6），以"全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）"模式独家为SK海力士提供12英寸10nm级晶圆封装测试后工序服务，产量全部销往SK海力士。SK海力士无新增晶圆厂规划意味着现有封测线将更密集运转，直接利好海太半导体业务量。
雅
92%
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光大证券2026年3月研报指出：公司是全球HBM前驱体市占率18%的核心供应商，且是SK海力士的独家供应商。前驱体材料广泛用于3D NAND、DRAM等先进制程，概念板块含"高带宽存储器HBM"。HBM供给刚性直接拉动前驱体材料需求，独家地位排他性受益，近4日主力净流入9.7亿元。
华
88%
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公司档案明确披露已"进入SK海力士等全球领先半导体企业的供应链体系"，是国内8寸以上晶圆厂覆盖率超90%的电子特气龙头。2025年报指出AI驱动下HBM对电子特气需求强劲，光刻及其他混合气体收入占比22%。SK海力士产能利用率提升将直接带动特气采购量增长。
佰
85%
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科创板存储芯片研发封测一体化厂商，HBM概念股。2025年报预计2026年全球存储市场规模达5,516亿美元（同比+134%）。2026Q1营收同比增341.53%，明确"受益于AI算力爆发与存储行业进入高景气周期"。嵌入式存储收入占比60.9%，存储涨价周期下库存升值弹性大。
澜
83%
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内存接口芯片收入占94.2%，DDR5内存接口芯片全球主力供应商。DRAM供给刚性涨价周期中，服务器内存模组升级加速直接拉动DDR5接口芯片及MRCD/MDB（高带宽内存模组核心逻辑器件）需求。2025年报指出MRCD/MDB芯片已规模应用，满足AI及云计算对内存带宽的高要求。
长
82%
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全球前三封测企业，拥有2.5D/3D先进封装、高密度存储器封装等核心技术。2025年报明确"高带宽存储器（HBM）产能扩张"为行业核心驱动力，XDFOI先进封装平台可覆盖HBM封装需求。SK海力士HBM供给刚性增强→AI芯片HBM封装需求外溢，利好全球封测龙头。
兆
80%
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存储芯片收入占71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二。SK海力士供给刚性→存储芯片整体涨价周期延长→国内存储设计龙头直接受益于产品价格提升和国产替代加速。同时布局利基型DRAM，与长鑫存储深度合作，DRAM涨价弹性可期。
通
80%
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全球第四大封测企业（市占率8.01%），与AMD形成"合资+合作"强绑定模式，占据AMD封测订单大部分份额。AMD是SK海力士HBM核心客户，HBM供给刚性下AMD GPU出货量增长将直接传导至封测订单。公司设立通富通科专项用于存储芯片封测。
北
78%
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存储芯片（DRAM）收入占61.4%，通过ISSI（北京矽成）布局车规级DRAM市场。SK海力士DRAM供给刚性→全球DRAM涨价周期延长→公司作为国内少数DRAM设计企业直接受益于价格上行，同时国产替代加速可提升市场份额。
东
76%
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国内少数同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整解决方案的公司。2025年报明确提及"SK海力士等国际大厂产能战略调整带来了重要的结构性市场机遇"，NAND产品收入占65%。存储供给刚性有利于公司进一步扩大市场份额。
艾
76%
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国内先进封装光刻胶龙头，2025年报明确指出的"AI芯片、高带宽存储（HBM）、数据中心光互联（CPO）等市场持续快速扩张"直接利好公司先进封装材料业务。光刻胶及配套试剂收入占比22.9%，HBM 3D堆叠工艺对先进封装光刻胶需求倍增。
江
74%
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全球领先的半导体存储品牌企业，产品覆盖嵌入式存储（44%）、固态硬盘（24.5%）、移动存储（21.5%）、内存条（9.7%）。SK海力士DRAM/NAND供给刚性→存储芯片涨价→公司作为品牌模组厂库存增值效应显著，且涨价可向下游传导。
德
72%
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国内存储主控芯片设计及存储模组厂商，产品涵盖固态硬盘（42.5%）、嵌入式存储（34%）、移动存储等。SK海力士供给紧张推动存储涨价周期，公司存储模组产品直接受益于原材料涨价带动的营收与毛利弹性。
普
70%
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主营NOR Flash和EEPROM非易失性存储器芯片设计。SK海力士产能向HBM/先进DRAM倾斜将挤占利基型存储产能供给，推动NOR Flash价格上行，公司作为国内NOR Flash主要供应商之一直接受益于涨价外溢效应。