报告指出2026年三季度存储芯片实际涨价区间仅15%-20%，大幅低于市场此前普遍预判的25%-30%。手机、PC等消费电子品牌已难以承受持续抬升的采购成本，仅有云服务商愿意接受涨价区间上限，预示存储售价大概率会在2027年上半年触及本轮上行周期高点。报告测算：剔除中国市场后，若2027年AI相关存储营收占比提升至80%，倒推美国区域AI资本开支规模将达2万亿美元，资金筹措难度极大；即使中性假设下也对应约1.2万亿美元，意味着50%的资金投入增速。供给侧佐证：英伟达计划下调Vera Rubin NVL72服务器机架配套SOCAMM内存规格，单节点容量由192GB缩减至96GB，侧面印证其不愿为获取更多DRAM供货承担大幅上涨的采购成本。
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江
90%
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公司SOCAMM产品已点亮(2025年报)，采用LPDDR5X技术、单模块128GB，专为AI数据中心高密度服务器设计。新闻中英伟达Vera Rubin NVL72将SOCAMM由192GB降至96GB，直接对标江波龙SOCAMM产品路线。嵌入式存储收入占44%、SSD占24.5%，是AI服务器存储核心供应商。
兆
86%
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2025年报明确表述「存储周期上行，公司各类存储产品均不同程度受益」。NOR Flash全球第二、布局利基型DRAM及SLC NAND，存储芯片收入占71.3%。新闻警示周期见顶，直接关系公司核心产品定价与盈利预期。
佰
86%
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2026Q1季报披露「存储行业进入高景气周期，市场需求旺盛推动产品价格持续上涨」，Q1营收同比增长341.53%。国投证券2026-04-29研报称受益存储超级周期。嵌入式存储占收入61%，AI算力驱动，周期顶点判断直接冲击其业绩预期。
北
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通过ISSI布局DRAM/SRAM，存储芯片收入占61.4%(2025年报)，是全球车载存储龙头。中泰证券2026-05-18研报称「存储大周期驱动盈利释放」，上调盈利预测。存储周期顶点直接影响其DRAM产品价格与出货量。
聚
83%
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2025年报明确指出「应用于AI服务器领域的SOCAMM类型内存模组需要配置1颗SPD芯片」。SOCAMM是新闻中英伟达Vera Rubin方案的直接配套内存形态，SPD芯片是SOCAMM模组核心配套件。存储类芯片收入占87.6%。
澜
82%
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全球DDR5内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占94.2%(2025年报)。DDR5 RCD/MDB/MRCD芯片直接嵌入服务器内存模组，存储周期见顶意味着DDR5渗透速率放缓。SOCAMM方案与MRDIMM互为替代，影响其MRCD/MDB产品线。
东
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中国大陆少数同时提供NAND(收入占65.2%)、NOR(3.6%)、DRAM(5.8%)及MCP(25%)全线存储芯片的IC设计公司。NAND Flash和DRAM产品价格直接受存储周期驱动，周期拐点预判对公司业绩预期有显著影响。
深
73%
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存储半导体业务收入占26%(2025年报)，子公司沛顿科技是DRAM封装测试重要基地，为国内外存储原厂提供后工序服务。存储周期转弱将影响下游封测订单量和产能利用率，周期传导路径清晰。
德
73%
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闪存主控芯片设计+存储模组(SSD占42.5%、嵌入式34%、内存条9.7%)，拥有自主主控与固件算法。2025年报分析「全球DRAM市场正迈入新一轮增长周期」，直接讨论存储周期议题。存储模组厂商感价弹性大，周期拐点影响显著。