Counterpoint数据显示2026年Q2智能手机内存价格环比增长超80%，DRAM超越SoC成为旗舰机最昂贵元器件
根据Counterpoint Research内存价格跟踪，2026年第二季度智能手机内存价格环比增长了80%以上。这种显著增长对智能手机BOM成本造成了持续的结构性影响，旗舰级别机型的BOM成本同比增长了接近50%，DRAM超越SoC成为旗舰智能手机中最昂贵的单一元器件。未来2nm旗舰SoC的导入将进一步推高旗舰机型的BOM成本，即便OEM上调终端零售价格，预计其整体毛利率仍将略低于2025年同代旗舰产品的水平。
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9 只 · 按关联度排序
佰
93%
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手机存储核心供应商，嵌入式存储收入占比60.9%（2025年报），LPDDR2-5X全覆盖（容量8Gb-128Gb），产品涵盖eMMC/UFS/uMCP等智能手机全系存储方案。2026Q1营收同比+341.53%，公告明确归因于"存储行业高景气、DRAM/NAND价格持续上涨"。智能手机内存价格环比+80%直接推升公司库存价值与产品售价。
江
92%
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嵌入式存储营收占比44%（2025年报），LPDDR产品获高通、联发科、紫光展锐等平台认证，直接用于智能手机。UFS 4.1旗舰存储已与多家头部手机厂商达成合作并规模化出货。公司LPDDR容量覆盖8Gb-128Gb，与新闻中"DRAM超越SoC成为旗舰机最贵元器件"直接对应——DRAM涨价弹性最大。
德
88%
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存储业务占比100%（2025年报），嵌入式存储收入34%（含eMMC/UFS/LPDDR）+内存条9.7%，直接用于智能手机等终端。公司在增发说明书中明确分析了AI手机对DRAM/NAND大容量需求的拉动效应，以及存储涨价对营收的正面影响。智能手机内存涨价80%直接受益于量价齐升。
北
86%
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存储芯片收入占比61.4%（2025年报），产品含DRAM（DDR4/LPDDR4），2025年报明确分析"传统DRAM产能受HBM挤压导致LPDDR4产品缺货涨价潮，存储行业迎来超级周期"。DRAM涨价直接增厚公司存储芯片业务利润，国外收入占比82.7%可充分享受全球手机DRAM涨价红利。
联
85%
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数据存储主控芯片收入占比87.6%（2025年报），UFS/eMMC主控芯片是智能手机存储的核心部件。2025年报指出"AI手机驱动UFS替代eMMC进程加速，中高端手机全面采用UFS 3.1/4.0"。手机内存涨价&容量升级推动主控芯片量价齐升，公司作为国产存储主控龙头间接受益。
兆
83%
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存储芯片收入占比71.3%（2025年报），含利基型DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4）及NAND Flash。2025年报确认"存储芯片价格上涨成为集成电路增长主要驱动力，SLC NAND价格显著上涨"。虽手机主存DRAM占比较小，但存储涨价周期中全产品线受益，且NOR Flash全球第二地位提升景气弹性。
东
78%
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中国大陆少数同时提供NAND+NOR+DRAM完整解决方案的公司，MCP系列（集成DRAM+NAND）收入占比25%。LPDDR1/2/4X产品覆盖，通过紫光展锐、高通、联发科等平台认证，用于功能手机及通讯模块。DRAM涨价及MCP需求提升直接受益，存储芯片涨价周期弹性明显。
大
76%
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半导体存储器收入占比89.8%（2025年报），通过子公司大为创芯开展业务，产品含LPDDR5、eMMC、UFS等智能手机存储方案。2025年报显示持续推进LPDDR5认证试产及嵌入式UFS产品研发。手机内存涨价周期下，存储模组库存增值叠加售价提升，业绩弹性较大。
朗
75%
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闪存应用产品收入占比70.9%（2025年报），产品覆盖SSD、DDR内存条、嵌入式存储。2025年报引用CFM数据详细分析了DRAM/NAND涨价趋势，预计"2026年全球存储市场规模将创历史新高，DRAM市场规模同比增69%至2692亿美元"。存储涨价直接增厚产品售价与毛利率。