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股市“游戏化”波动 KOSPI史诗级暴涨18%

【股市“游戏化”波动 KOSPI史诗级暴涨18%】韩国KOSPI指数周五收盘上涨18%,大幅扭转了此前三天的下跌趋势,创下有史以来单日最大涨幅。根据LSEG的数据,历史上KOSPI指数十大单日涨幅中有五次发生在三月以来,而过去十年中四大单日跌幅中有三次出现在最近五周内。“股市的游戏化导致了剧烈波动,这种波动更多源于新闻动态和潮流,而非基本面因素,”KB金融集团全球战略师彼得·S·金表示。对政策制定者而言,这种波动已成为一个重大难题。韩国市场的快速兴衰使得该市场被称为“鱿鱼游戏”市场,这一名称源自该国广受欢迎的反乌托邦生存惊悚剧集,剧中绝望的人物为争夺金钱而诉诸暴力。“我们预计市场波动仍将居高不下。”法国巴黎银行分析师威廉·布拉顿表示,韩国正成为围绕人工智能驱动的科技超级周期可持续性问题讨论的核心。

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2025年报明确'公司第一大供应商为SK海力士,向SK海力士采购产品为数据存储器',SK海力士是子公司联合创泰核心供应商;公司拥有海力士、联发科等一线品牌代理资格,电子元器件分销收入占比94.2%、国外收入85.3%。SK海力士HBM/存储景气与扩产直接拉动其分销规模,是韩国AI超级周期在A股最直接的分销敞口。
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年报明确'全球DRAM市场约90%份额由三星电子、海力士及美光占据,这三家也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片的主要下游客户';内存接口芯片收入占比94.2%。东海证券2026-05-19研报称其2024年全球市占率36.8%位列第一。三星/SK海力士DDR5与HBM4扩产、AI服务器放量直接拉动其内存接口芯片需求。
87%
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光大证券2026-03-05研报:全球HBM前驱体市占率18%、是SK海力士独家供应商,并打入中芯国际、长江存储等主流晶圆厂;2025年报披露已在韩国设双研发部门开发AI先进封装用前驱体。SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上扩产HBM,直接拉动其高纯前驱体销量与业绩弹性。
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公司介绍明确进入英特尔、美光、台积电、SK海力士、英飞凌、三星等全球领先半导体企业供应链体系;2025年报称'公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气,直接受益于HBM爆发',并引述三星、SK海力士、美光将70%新增产能投向HBM、2026年HBM市场规模546亿美元(+58%)。HBM扩产直接增加其高端特气耗用量。
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年报大段引述'SK海力士预计2026年销售额突破165万亿韩元、营业利润超100万亿韩元,资本支出增至30万亿韩元以上,重点投向清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群';公司主营刻蚀用半导体级单晶硅材料及硅零部件(收入占比54.1%),SK海力士扩产与存储供应紧张至2027年直接拉动其刻蚀耗材需求。
80%
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年报提及'SK海力士DRAM市场份额33.2%居首'、HBM正从HBM3E演进至HBM4、SK海力士提出H3(HBM+HBF)混合架构;公司为存储研发封测一体化厂商,嵌入式存储收入占比60.9%。全球三大原厂主导的存储涨价与HBM带动的AI存储景气直接利好其模组与先进封测业务。
78%
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定增说明书引Yole数据'2024年全球HBM市场规模170亿美元,2025年将增至340亿美元',96GB及以上DDR5内存供不应求、价格快速上涨;公司主营NAND/DRAM存储模组、海外收入占比66.8%,直接受益于三星/SK海力士主导的AI存储涨价超级周期。
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年报称薄膜沉积设备是'3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑',存储厂为适配新制程启动产线升级与设备集中采购;公司PECVD/ALD设备已广泛应用于国内存储芯片制造,SK海力士等原厂扩产带动全球存储资本开支上行,利好国产薄膜沉积设备需求。
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2025年报:存储芯片营收同比+26.41%,利基型DRAM及SLC NAND受益行业供给紧缩价格较快上行,存储芯片收入占比71.3%。三星、SK海力士、美光产能向DDR5/HBM倾斜形成利基市场供给缺口,公司作为NOR Flash全球市占率第二、国产利基存储龙头直接受益。
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东吴证券2026-06-23研报:'SK海力士2026年一季度净利润同比+406%,国内长鑫存储已启动HBM扩产,国产HBM量产有望带动存储测试设备需求进入放量期';公司测试机收入占比60.5%,为国产测试机龙头,直接受益全球存储超级周期与国产HBM扩产。
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年报明确'HBM通过TSV技术实现多颗DRAM垂直堆叠,对深硅刻蚀设备需求持续增长',3D NAND迈向200层以上推动刻蚀/去胶工序大幅增加;公司主营干法去胶、快速热处理、干法刻蚀设备,客户覆盖全球前十芯片制造商,直接受益存储/HBM产能扩张的设备采购。
73%
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年报指出'三星、SK海力士、美光持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM倾斜,在利基型DRAM市场形成显著供给缺口,为中国大陆供应商创造战略发展机遇';公司NAND收入占比65.2%、DRAM产品已量产,是利基存储国产替代的核心标的。
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年报称'AI服务器带动HBM产能急剧趋紧,三星、美光、海力士将更多产能转向HBM,DDR4/LPDDR4产能严重不足,引发DRAM芯片缺货和涨价潮';公司存储芯片收入占比61.4%,车规/工业级DRAM及NAND产品直接受益于本轮存储涨价周期。
72%
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球形硅微粉收入占比58.4%,是环氧塑封料(EMC)、底部填充料等半导体先进封装的核心填料;HBM堆叠层数提升与先进封装产能扩张直接拉动球形硅微粉需求,公司为国内行业龙头、工信部制造业单项冠军示范企业,配套HBM封装材料产业链。
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年报称'全球主要存储厂商将更多先进制程和新增产能优先投向HBM及高端服务器存储产品,这一格局直接利好具备高端测试能力的设备厂商';公司半导体存储器件测试收入占比55.6%,并在韩国设有研发中心,直接配套存储/HBM测试环节的设备国产化。