【韩国7月出口飙升至历史第二高 半导体出口同比暴增近180%】在存储芯片需求旺盛的推动下，韩国7月出口同比飙升近63%至989.9亿美元，创历史第二高单月出口额，仅次于6月的1022亿美元。进口增长26.5%至685.6亿美元，贸易顺差达303.2亿美元。从行业来看，半导体出口暴增179%至410亿美元，连续两个月突破400亿大关，尽管竞争加剧，但全球存储产品价格仍维持高位。数据显示，受大型高科技公司推出的AI数据中心投资项目的推动，对美出口额激增68.7%，达到174亿美元。韩国产业通商资源部长官金正宽表示，在半导体行业强劲表现的带动下，韩国20个主要出口类别中有19个实现了增长，出口组合多元化成效显著。
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香
93%
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公司旗下联合创泰拥有SK海力士一线品牌代理资格（公司简介），2025年报电子元器件分销收入占比94.2%；自研品牌海普存储企业级SSD/DRAM已量产，2025年预计销售收入17亿元（国盛证券2026-01-26研报）。韩国半导体出口同比+179%背后是海力士DRAM/NAND涨价，公司分销与自有存储双受益。
太
92%
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控股子公司海太半导体为SK海力士提供半导体后工序服务，2025年7月9日公告已与海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，按全部成本+约定收益模式持续获益。海力士HBM/DRAM扩产（2026年资本开支增至30万亿韩元以上）直接拉动其封测业务量，2025年报半导体业务利润占比26%。
兆
90%
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存储芯片收入占71.3%（2025年报），主营NOR Flash及利基型DRAM，SPI NOR全球市占率第二；国盛证券2026-05-07研报指出利基存储全面涨价，预计2026年营收189亿元（+105%）。韩国半导体出口暴增印证全球存储涨价周期，直接传导至其利基DRAM/NOR产品价格。
澜
87%
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内存接口芯片（DDR5 RCD/DB等）收入占94.2%（2025年报），为服务器内存模组核心逻辑器件、CPU存取内存数据的必由通路。AI数据中心投资推动服务器DRAM需求激增（韩国对美出口+68.7%印证），DDR5渗透率提升与内存扩容直接拉动其接口芯片出货。
江
86%
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主营Flash及DRAM存储器的研发设计与销售，存储业务收入占比100%（2025年报），嵌入式存储占44%、固态硬盘占24.5%。公司年报引用CFM数据指NAND/DRAM需求分别增18-23%/20-25%，原厂大范围涨价合约价涨幅普遍超30%，量价齐升直接受益。
佰
86%
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主营半导体存储器（嵌入式存储60.9%、PC存储32.7%）并具备先进封测能力（子公司泰来科技），获大基金二期战略投资。年报引TrendForce数据：三星/SK海力士/美光占DRAM市场91.5%份额，全球存储涨价周期直接推升其产品售价与毛利。
深
84%
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存储半导体业务收入占26.0%（2025年报），子公司沛顿存储/合肥沛顿专注存储芯片封装测试，年报明确加强AI驱动下的先进存储封装布局，致力于成为国内领先高端存储芯片封测服务商。存储涨价带动原厂及模组厂扩产，封测环节需求随之增长。
雅
83%
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半导体前驱体材料（high-k、硅基、金属类）广泛运用于3D NAND、DRAM内存芯片等先进制程（2025年报），构建中国和韩国双研发部门跟踪前沿，HBM概念板块在列。三星、SK海力士存储扩产直接拉动其前驱体及电子特气等材料需求。
北
83%
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存储芯片收入占61.4%（2025年报），SRAM/DRAM/NOR在全球车规存储市场占据重要地位；银河证券2026-04-03研报称其DRAM向20/18/16nm先进制程迭代并前瞻布局3D DRAM。全球存储涨价周期直接增厚其存储业务盈利。
聚
82%
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DDR5内存模组必需配套SPD芯片，与澜起科技合作开发、自2021Q4起在行业主要内存模组厂商大范围应用（2025年报），存储类芯片收入占87.6%。AI服务器驱动DDR5渗透率与内存模组出货量提升，SPD芯片需求同步增长。
德
81%
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存储模组（固态硬盘42.5%、嵌入式存储34%）叠加自研闪存主控芯片，存储业务收入占比100%（2025年报）。增发说明书引用美光预测：AI服务器DRAM需求为普通服务器8-10倍、NAND为3-5倍，存储涨价周期下量价齐升直接受益。
东
80%
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大陆少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM完整方案的存储芯片设计公司，NAND系列收入占65.2%（2025年报）。韩国存储出口暴增印证行业景气，叠加国产存储份额提升（国产DRAM约5%、NAND低于10%），中小容量存储市场受益。
长
78%
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国产存储测试机龙头；东吴证券2026-06-23研报：HBM 3D堆叠使CP测试道数由3-4道提升至15道以上，存储测试设备需求进入爆发期，核心驱动为SK海力士扩产与国内长鑫存储HBM扩产。韩国半导体出口暴增与国产HBM量产共振，测试机量价齐升。
深
78%
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BT类封装基板存储类产品制造能力持续突破，推动客户高端DRAM产品项目导入及量产，2025年封装基板业务收入41.48亿元（同比+30.8%，年报）。DRAM涨价与HBM堆叠扩产带动高端存储封装基板需求，直接受益于存储上游扩产周期。
拓
76%
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薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑（2025年报），预计混合键合技术引入HBM将带来键合设备新需求。全球存储原厂（三星/海力士/美光）资本开支扩张带动国产薄膜沉积设备需求增长。