存储三大原厂完成2027全年产能分配谈判，DRAM与HBM产能提前售罄
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全球DDR5内存接口芯片龙头，2025年报内存接口芯片收入占比94.2%；三大原厂2027年DRAM/HBM产能售罄推升服务器DDR5模组出货与渗透率，公司RCD/DB等接口芯片量价齐升，属存储涨价周期直接受益的卖水人。
存储模组龙头，2025年报存储业务收入占比100%，覆盖嵌入式/SSD/移动存储/内存条（DDR4/DDR5），自有Lexar品牌；三大原厂2027年DRAM/HBM产能售罄意味着模组厂库存增值与售价上调，直接受益于涨价周期。
2025年报存储芯片收入占比61.4%（车规/工规利基DRAM、SRAM）；年报指出原厂产能转向HBM使DDR4/LPDDR4产能大幅挤压，引发DRAM缺货和涨价潮。原厂2027产能售罄延续利基DRAM供给缺口，公司直接受益。
存储模组+先进封测一体化，2025年报披露与主要NAND/DRAM晶圆原厂签订长期协议保障供应，嵌入式存储收入占60.9%；2027年原厂产能售罄下长协锁定货源叠加产品涨价与先进封测（HBM）需求共振。
2025年报明确第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器，系SK海力士核心代理商，电子元器件分销收入占94.2%；原厂2027年DRAM产能售罄、涨价直接传导至分销价差与营收增长。
利基型DRAM+NOR龙头，2025年报存储芯片收入占71.3%；2026年1月公告向西安芯存增资实施DRAM芯片研发及产业化募投项目。原厂产能转向HBM/DDR5挤压利基DRAM供给，公司国产替代与涨价双受益。
DDR5内存模组SPD芯片核心供应商，2025年报存储类芯片收入占87.6%，披露与澜起科技合作开发DDR5 SPD芯片并已在主要模组厂大范围应用；DRAM紧缺带动DDR5模组出货，SPD/TS/PMIC配套需求同步放量。
存储模组+闪存主控设计，2025年报存储业务收入100%（SSD 42.5%、嵌入式34%、内存条9.7%）；增发问询回复引述行业观点：2026年原厂产能已售罄，缺口持续一整年；2027售罄延续涨价逻辑，公司库存收益与售价弹性大。
2025年报披露半导体前驱体（high-k/硅基/金属类）广泛运用于3D NAND、DRAM内存芯片等先进制程，半导体材料收入占31.4%；并开发AI先进封装复杂芯片组所需前驱体。HBM/DRAM扩产带动ALD前驱体需求增长。
2025年报原文：公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发；高纯三氟甲烷、乙硅烷等为3D NAND/DRAM/HBM核心刚需耗材；三大原厂2027年HBM产能售罄预示扩产延续，特气需求持续放量。
球形硅微粉龙头，2025年报披露持续聚焦HBM/Chiplet先进封装，推出Low α球形二氧化硅、低钠球形氧化铝等产品，球形硅微粉收入占58.4%；HBM堆叠封装MUF填料需求随产能售罄下的扩产同步放量。
存储测试设备厂商，2025年报指出原厂将新增产能优先投向HBM，直接利好具备高端测试能力的设备厂商；公司布局HBM/高端DRAM测试设备，在DRAM与NAND价格大幅上行、供需收紧格局下测试需求扩张。
存储半导体封测与内存条制造业务2025年报收入占26%、利润贡献28.9%，为存储模组/内存条制造代工龙头；原厂产能售罄、DRAM涨价带动封测代工量与单价上行，央企背景获大基金布局。
大陆少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储芯片公司，2025年报指出三大原厂产能向DDR5/HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为大陆供应商创造战略机遇；NAND端亦受益于8月底前产能预订完毕的紧缺格局。
环氧塑封料龙头（收入占比93.5%），2025年报明确随着Chiplet、HBM等先进封装技术发展，对封装材料提出更高要求，开发2.5D/3D封装底填胶、液态塑封料及MUF GR920；HBM产能售罄下的扩产带动先进封装材料需求。