2026年Q2长鑫存储成为全球增长最快DRAM厂商，营收同比增长716%

2026-03-31关联交易公告：2026年度向长鑫科技集团（含长鑫存储技术、长鑫科技(合肥)）采购代工生产的DRAM相关产品，预计额度8.25亿美元（约57.11亿元）；董事长朱一明兼任长鑫科技集团董事长，属关联法人。公司存储芯片收入占71.3%，利基型DRAM直接受益于长鑫产能扩张与传统DRAM涨价。

2025-12-31公告：参股公司长鑫科技科创板IPO申请获上交所受理，据Omdia长鑫科技已成中国第一、全球第四DRAM厂商。公司系长鑫科技直接参股方，CXMT营收同比+716%及产能持续扩张直接增厚其股权投资价值，且长鑫IPO临近带来重估预期。

中信建投2025-09-17持续督导报告披露：公司核心产品已在长鑫科技、沛顿科技等半导体存储器厂商制造产线上批量应用；2025年报半导体存储器件测试收入占比55.6%，DRAM FT测试机/老化测试设备直供存储原厂，随CXMT扩产订单直接放量。

2025年报援引TrendForce：长鑫存储DRAM市占率5.8%，本土存储晶圆原厂迎来历史机遇；公司为存储模组+封测一体化厂商（嵌入式存储占收入60.9%），获国家大基金二期投资，直接采购国产DRAM晶圆封装模组，受益于长鑫产能扩张与中国市场传统DRAM需求旺盛。

2026年行动方案公告：战略投资合肥鑫丰科技布局DRAM封测，目标2027年DRAM封装产能提升至6万片/月；鑫丰科技2025年度审计报告披露客户包括长鑫存储技术、长鑫集电（北京）、长鑫新桥存储技术等CXMT主体，直接受益于长鑫产能扩张带动的封测订单。

2025年报明确'长鑫存储已实现DDR4到DDR5、LPDDR4X到LPDDR5X的产品覆盖和迭代'；公司为国内半导体掩膜版龙头（石英掩膜版占收入91.6%），DRAM先进制程扩产直接放大掩膜版消耗，是长鑫产线扩张的耗材受益方。

存储半导体业务占2025年收入26%；子公司沛顿科技、合肥沛顿存储为国内DRAM封测主力，中信建投督导报告将沛顿科技列为长鑫科技供应链厂商（与精智达同列），长鑫DRAM放量直接拉动其存储封测订单与合肥基地产能利用率。

公司SAPS清洗技术已应用于DRAM 10nm技术节点，在DRAM工艺上有70多步应用，并已进行18-19nm DRAM工艺图形晶圆清洗评估；长鑫产能扩张直接带动其清洗设备订单，2026Q1 DRAM价格大幅上行验证扩产景气。

公司SOC/BARC光刻胶与前驱体材料主要应用于先进NAND、DRAM存储芯片及90nm以下逻辑芯片制造工艺，系晶圆制造关键材料；长鑫存储扩产带动光刻与薄膜沉积材料采购需求，公司已与境内主要12吋晶圆厂形成量产合作。

2025年报将长鑫科技集团列为关联方（公司关联自然人任长鑫科技集团董事）；公司为全球封测龙头（芯片封测收入占99.6%），具备高密度存储封装能力，存储芯片放量与CXMT扩产带来封测配套需求。

2025年报内存条类产品收入占比9.7%（利润占比17.1%）；定增募投内存条（DRAM）模组产业化项目，聚焦国产化存储解决方案；长鑫DRAM供给放量为公司提供国产内存颗粒来源，直接受益传统DRAM需求旺盛与涨价。

公司产品覆盖DRAM内存条、SSD、嵌入式存储等（闪存应用产品占收入70.9%）；2025年报称Q4 DRAM市场规模环比大增49.86%至600亿美元、合约价涨幅超30%；作为存储模组厂商，长鑫等国产原厂扩产使其获得稳定颗粒供给。

内存接口芯片收入占比94.2%，为DDR5 RDIMM/MRDIMM提供RCD、MDB、CKD、SPD等配套芯片；DRAM模组出货量随长鑫等原厂放量增长而扩张，是DRAM生态的核心配套商，长鑫DDR5量产直接带动其接口芯片需求。

存储芯片收入占比61.4%（旗下ISSI利基DRAM/SRAM），并持续推进3D DRAM研发面向AI存储；作为国内利基DRAM设计龙头，与传统DRAM需求旺盛、国产替代加速的长鑫同享行业景气上行。

公司布局利基型DRAM产品（标准型与低功耗型两大系列，DRAM系列收入占比5.8%），是少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的国产存储设计公司；长鑫引领的国产DRAM景气与涨价周期带动利基DRAM量价齐升。