机构：2027年DRAM供给持续紧张 英伟达评估下调Rubin Ultra HBM配置
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国产利基存储龙头，产品含利基型DRAM（DDR4/LPDDR4）。国盛证券2026-05-07研报指出26Q1其DRAM营收环比翻倍以上增长、利基DRAM维持涨价趋势；2025年报存储芯片收入占比71.3%。新闻称DRAM供不应求延续至2027年、原厂产能向HBM/DDR5倾斜，直接利好其利基DRAM量价齐升。
控股子公司海太半导体以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序服务，2025-07-09公告《第四期后工序服务合同》已正式签署生效。SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元以上扩产DRAM/HBM（神工股份年报引述），直接带动海太订单量；2025年报封装测试收入占15.3%、利润贡献21.8%。
持有SK海力士一线品牌代理资格（联合创泰），分销收入占2025年报94.2%，板块含HBM概念。国盛证券2026-04-24研报：原厂优先分配产能给Server DRAM与HBM、企业级存储供需紧缺，公司分销及自主品牌海普存储（2025年收入约17亿元）双重受益于DRAM涨价延续至2027年。
全球DDR5内存接口芯片（RCD/DB）核心供应商，2025年报内存接口芯片收入占比94.2%。DRAM供不应求格局下服务器DDR5渗透与AI服务器内存扩容推升接口芯片价值量；聚辰股份年报确认其与澜起合作开发DDR5 SPD芯片，处于DDR5内存模组核心配套环节。
半导体前驱体（high-k/硅基/金属材料）广泛用于DRAM、3D NAND及先进制程薄膜沉积，并布局AI先进封装所需前驱体；2025年报半导体业务收入占比31.4%、利润占比42.1%。HBM/DRAM扩产推动存储原厂先进制程投片，直接拉动其前驱体销售。
2025年报明确指出HBM正从HBM3E向HBM4演进、2026年1c nm DDR5/HBM4将从送样迈向量产，并引用TrendForce数据称国产DRAM份额仅约5%。公司主营存储模组+先进封测（嵌入式存储60.9%），DRAM/NAND涨价直接改善其库存收益与产品售价，HBM封测为新增布局方向。
国内球形硅微粉龙头（2025年报占收入58.4%），低放射性球形二氧化硅/球形氧化铝为EMC、LMC、GMC、UF等半导体封装材料核心填料，板块含HBM与Chiplet概念。HBM堆叠及先进封装对低CUT点、低辐射粉体需求随原厂扩产放量，公司2026年可转债募投即投向芯片封装用球形粉体。
车规级DRAM/SRAM厂商，2025年报存储芯片收入占比61.4%。年报称三星/美光/海力士将产能转向HBM导致DDR4/LPDDR4等传统DRAM缺货涨价；东方证券2026-05-11研报指出车规DRAM涨价周期更长、公司份额有望提升，深度受益利基存储紧缺延续。
DDR5内存模组必备SPD/TS配套芯片核心供应商，与澜起科技合作开发DDR5 SPD并自2021Q4起在主要内存模组厂大范围应用（2025年报）。DRAM供给紧张推动服务器内存模组量价齐升，DDR5世代SPD价值量显著高于DDR4，直接受益于内存接口配套需求扩张。
国内高端存储芯片封测龙头（深圳沛顿/合肥沛顿双基地），产品覆盖DDR4/DDR5、LPDDR4/LPDDR5等DRAM及嵌入式存储，2025年报存储半导体业务收入占比26%。DRAM供不应求下原厂与国产长鑫存储扩产，直接拉动其存储封测产能利用率与订单。
环氧塑封料收入占比93.5%（2025年报），持续督导报告披露其正开发2.5D/3D封装用超细间隙底填胶与液态塑封料（LMC），对应HBM高密度先进封装需求。HBM4e/HBM4产能扩张带动先进封装材料国产化验证与放量，公司属HBM封装材料核心标的。
集成电路刻蚀用单晶硅材料及硅零部件龙头（2025年报硅零部件占收入54.1%）。年报引述SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元扩产HBM，并指出HBM三维堆叠对TSV刻蚀工艺精准控制提出更高要求，其刻蚀耗材随HBM/DRAM产能扩张需求提升。
中国大陆少数能同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的公司，2025年报DRAM收入占比5.8%。年报指出三大原厂将产能转向DDR5/LPDDR5X/HBM，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为国产供应商创造战略机遇，受益于DRAM涨价周期。
国内存储主控+模组厂商（2025年报固态硬盘42.5%、嵌入式34%、内存条9.7%）。存储涨价周期中原厂优先保供Server/HBM，模组厂在涨价传导中库存收益与产品售价同步提升；公司募投文件亦明确以长鑫存储为代表的国产DRAM加速国产化为契机。
自研JH5302/JH5400/JH5500系列存储芯片BI老化测试设备，适配NAND/UFS/eMMC/DRAM等Memory器件（2025年报）。DRAM原厂及国产长鑫存储扩产带动存储测试设备资本开支，公司存储测试设备为扩产直接配套环节，受益于2027年前供给紧张下的产能建设潮。