内存短缺或持续至2027年 三星、SK海力士、美光产能提前售罄

A股利基存储龙头，2025年报存储芯片收入占比71.3%（NOR Flash全球市占率第二）。国盛证券2026-05-07研报明确'利基存储全面涨价，26Q1 DRAM产品环比翻倍以上增长'，预计2026/2027年归母净利同比增367%/38%。三星/海力士/美光2027年产能售罄且无新增规划，直接推升利基DRAM与NOR价格。今日主力5日净流入36.2亿元，市场正交易此逻辑。

2025年报披露'第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器'，子公司联合创泰为SK海力士核心分销商，电子元器件分销收入占94.2%。光大证券2026-01-12研报指出其存货18.13亿元直接受益存储涨价，自主品牌海普存储已量产企业级SSD/DRAM。原厂配货仅60-70%将加剧渠道溢价，分销库存增值逻辑最直接。

内存接口芯片收入占比94.2%（2025年报），DDR5 RCD/DB、MRCD/MDB及SPD芯片全球龙头，每根DDR5服务器内存模组均需配套其接口芯片。DRAM原厂产能售罄意味着服务器DRAM出货量与DDR5渗透率持续提升，接口芯片量价齐升，直接受益本轮内存短缺周期。

2025-07-09公告，控股子公司海太半导体与SK海力士完成《第四期后工序服务合同》签署，以'全部成本+约定收益'模式为SK海力士提供DRAM后工序（封装测试）服务。SK海力士2027年产能已售罄、2026年资本开支增至30万亿韩元，海太半导体后工序订单量与稼动率直接受益。

存储模组厂商，2025年报嵌入式存储收入占60.9%、PC存储32.7%，具备研发封测一体化能力，据弗若斯特沙利文为全球唯一具备晶圆级封测技术的独立存储解决方案供应商。原厂涨价与配货缩减（仅60-70%）背景下，模组厂商库存增值+产品提价，业绩弹性大。

主营Flash及DRAM存储器研发设计销售，2025年报嵌入式存储占44%、固态硬盘24.5%、内存条9.7%。三大原厂2027年DRAM/NAND产能售罄背景下，颗粒采购价上涨传导至其产品提价，作为国内存储模组龙头直接受益本轮涨价周期。

2025年报存储半导体业务收入占比26%，子公司沛顿科技从事存储芯片封装测试与模组制造，为国内存储封测主力平台（央企背景）。原厂产能售罄、存储量价齐升带动封测与模组订单量及ASP提升，直接受益内存短缺周期。

2025年报存储芯片收入占比61.4%（收购ISSI后主营车规/工业DRAM及NOR）。DRAM全面涨价周期中车规利基DRAM价格同步上行，公司存储业务毛利率与收入直接受益，属A股稀缺的DRAM设计公司。

2025年报存储类芯片收入占比87.6%，年报明确其SPD芯片是DDR5内存模组通信中枢（内置SPD EEPROM+总线集线器+温度传感器），为DDR5内存条标配组件。DRAM紧缺与服务器内存模组放量推动DDR5配套芯片需求，与澜起科技形成配套组合。

2025年报披露半导体前驱体（high-k、硅基等材料）广泛运用于3D NAND、NOR Flash、DRAM内存芯片及逻辑先进制程，并布局AI先进封装所需前驱体，概念含HBM，电子材料收入占比59%。原厂扩产（海力士M15X、龙仁集群）拉动前驱体用量与国产化导入。

大陆少数可同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的利基存储设计公司，2025年报NAND收入占65.2%、DRAM占5.8%。利基存储全面涨价直接提升其毛利率，但DRAM敞口较小，涨价弹性弱于兆易创新等龙头。

集成电路刻蚀用单晶硅材料（硅电极/硅零部件）供应商，2025年报硅零部件收入占54.1%；年报行业分析明确指出SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元、重点投向清州M15X晶圆厂及龙仁集群，并预测存储供应紧张持续至2027年。原厂扩产驱动刻蚀设备与零部件需求，属两跳传导。