因DRAM缺货，台积电价值10亿美元苹果处理器无法完成封装
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国内少数DRAM设计公司，2025年报存储芯片收入占比61.4%；年报明确表述'AI服务器推动HBM产能趋紧、三星/美光/海力士产能转向HBM使传统DRAM受挤压，引发DRAM缺货涨价潮'，并持续推进3D DRAM研发。DRAM供不应求直接利好其存储主业，主力资金5日净流入10.3亿元。
存储芯片收入占比71.3%（2025年报），利基型DRAM龙头；年报指出'AI服务器需求爆发带动DDR5/HBM需求激增，国际头部公司加速向新制程HBM/DDR5迁移、放弃利基型产品，利基型DRAM价格大幅上涨'，SPI NOR Flash全球市占率第二。台积电因DRAM缺货停产封装进一步验证其涨价逻辑。
存储模组+先进封测一体化，嵌入式存储收入占比60.9%；布局DRAM模组及CXL DRAM，掌握2.5D/Chiplet/RDL/Fanout先进封装（FOMS/CMC产品线）；2025年报引TrendForce预计2026年DRAM市场（含HBM）同比+144%至4043亿美元。DRAM缺货涨价+先进封装双逻辑直接受益，主力5日净流入13.3亿元。
内存接口芯片收入占比94.2%（2025年报），DDR5 RCD/DB及高带宽MRCD/MDB芯片全球龙头，随DDR5服务器内存渗透与涨价直接放量。DRAM缺货凸显高端内存扩容需求，公司为每条DDR5 RDIMM/LRDIMM必需配套芯片，境外持仓占比12.71%显著高于市场均值。
控股子公司海太半导体与SK海力士签订《第四期后工序服务合同》（2025.7.1-2030.6.30），以'全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）'为SK海力士提供DRAM后工序封测服务，产量随SK海力士订单而定。SK海力士为DRAM第一大原厂，缺货下扩产直接增厚海太订单。
存储半导体业务收入占比26%（2025年报），主营DRAM、NAND FLASH及嵌入式存储芯片封装测试，产品覆盖DDR3-DDR5、LPDDR5等全系列。存储芯片缺货涨价带动原厂扩产，公司作为国内存储封测主力承接DRAM封装放量，直接对应新闻'DRAM到货后才能完成封装'的封测环节。
SK海力士国内核心分销商（联合创泰），电子元器件分销收入占比94.2%（2025年报），第一大供应商为SK海力士、采购产品为数据存储器，并布局HBM相关存储分销。DRAM缺货涨价直接推升其分销单价与收入弹性，是涨价向A股传导的最直接渠道标的。
存储业务收入占比100%，内存条产品线覆盖DDR4/DDR5（2025年报内存条收入占比9.7%），旗下雷克沙DDR5内存为市场顶级速率产品。DRAM合约价上涨直接提升其内存条及嵌入式存储产品售价与毛利，受益于2026年DRAM市场量价齐升。
内存条类产品收入占比9.7%（2025年报），定增募投'内存产品（DRAM）扩产项目'，审核问询回复称'内存产品涨价预期较为明确'，引CFM预计2026年DRAM市场规模增长69%至2692亿美元。DRAM缺货涨价周期下内存扩产直接受益。
全球第三、中国大陆第一的OSAT封测龙头（2025年报引芯思想研究院数据，前三大OSAT市占率超52%），拥有2.5D/3D、WLP、SiP等先进封装，产品应用于高密度存储与高性能计算。新闻凸显'先进封装与DRAM环节供应瓶颈'，封测产能价值与议价力同步提升。
存储类芯片收入占比87.6%（2025年报）；与澜起科技合作开发DDR5内存模组配套SPD芯片，自2021Q4起在行业主要内存模组厂商大范围应用。DDR5内存条渗透率提升与DRAM涨价带动模组出货，SPD作为每根DDR5内存条必需芯片直接受益。
先进封装材料标的，电镀液及配套试剂收入占比48.6%（2025年报）；构建覆盖TSV/RDL/Bumping全工艺的先进封装材料矩阵，覆盖90%以上国内封装厂。公告称HBM3E、Chiplet 3D堆叠、CoWoS-L等商业化直接带动高纯电镀液、TSV/TGV添加剂需求激增，受益于先进封装产能扩张。
半导体存储器件测试收入占比55.6%（2025年报），产品含DRAM FT测试机、老化测试及修复设备；年报指出'AI服务器对HBM、服务器DRAM及企业级SSD需求提升，全球存储呈结构性紧平衡'。DRAM原厂扩产带动存储测试设备与产线投资需求。
国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整存储方案的芯片设计公司（DRAM系列收入占比5.8%）；2025年报指出三大原厂产能持续向DDR5/LPDDR5X/HBM倾斜，'利基型DRAM市场形成显著供给缺口，为中国大陆供应商创造战略机遇'。DRAM缺货背景下利基DRAM供需改善受益。
2026年'提质增效重回报'行动方案披露：通过战略投资鑫丰科技布局DRAM封测，协同地方国资平台持续增资，目标2027年DRAM封装产能提升至6万片/月，并拓展3D DRAM先进封装。在当前主营显示驱动封测基础上切入DRAM封测，直接卡位DRAM扩产带来的封测需求。