Lazard基金抄底三星 看好内存芯片上行周期

2025年报内存接口芯片收入占比94.2%，为DDR5服务器内存模组RCD/MDB接口芯片全球核心供应商，年报披露MRDIMM通过MDB/MRCD实现双倍带宽。三星、SK海力士、美光产能向DDR5/HBM倾斜进一步放大服务器内存模组对其芯片的配套需求。近5日主力净流入1.1亿元，与外资抄底内存板块共振。

2025年报存储芯片收入占比71.3%，SPI NOR Flash全球市占率第二，利基型DRAM产品覆盖DDR3L/DDR4/LPDDR4。年报明确'国际头部公司加速向HBM、DDR5迁移，利基型DRAM价格大幅上涨'，直接受益三星等原厂转产留下的供给缺口。8月7日单日主力净流入19.7亿元、5日累计25.2亿元。

2025年报嵌入式存储收入占60.9%、PC存储占32.7%，研发封测一体化；年报引用TrendForce数据'2026年全球DRAM市场规模同比增长144%至4043亿美元'，并披露HBM3E向HBM4演进、AI终端内存容量上探（16GB成为AI手机基础配置），量价齐升弹性大。近5日主力净流入13.4亿元。

2025年报确认第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器（DRAM），电子元器件分销收入占比94.2%，并具HBM概念。海力士DRAM/HBM放量直接增厚其分销规模，内存涨价周期下分销业务量价齐升。

控股子公司海太半导体为SK海力士提供DRAM后工序（封装测试）服务，已签署《第四期后工序服务合同》（公告临2025-035）并披露2026年度日常关联交易预计（临2026-006）；SK海力士HBM/DRAM扩产直接提升其封测订单量。2025年报半导体业务收入占比15.3%。

Flash及DRAM存储品牌厂商，2025年报内存条产品线覆盖DDR4/DDR5全规格（4GB-256GB，消费/工业/企业级），嵌入式存储收入占44%；Lexar ARES RGB DDR5内存为市场最快DDR5产品之一。内存上行周期直接带动模组ASP与毛利率提升。

2025年报存储芯片收入占比61.4%（ISSI车规/工业利基DRAM、SRAM），年报明确'三星、美光、海力士等存储大厂转产HBM带来DRAM产能重构，DDR4、LPDDR4产能严重不足引发缺货涨价潮'，车规利基存储涨价直接受益。

大陆少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储设计公司，2025年报点名'三星、SK海力士、美光等国际三大原厂持续将产能向DDR5、LPDDR5X及HBM倾斜，在利基型DRAM市场形成显著供给缺口'，为其利基DRAM创造战略发展机遇。

2025年报存储类芯片收入占比87.6%，DDR5内存模组标配SPD芯片（与澜起科技合作开发，自2021Q4起在行业主要内存模组厂商大范围应用），并配套TS、PMIC。DDR5渗透率提升与内存涨价直接带动其SPD出货。

2025年报半导体材料收入占比31.4%（前驱体、光刻胶、电子特气），具HBM概念；SK海力士、三星等原厂HBM扩产直接拉动其半导体前驱体等材料需求，是存储原厂扩产的上游材料受益环节。

2025年报存储半导体业务收入占比26%，子公司沛顿科技从事存储芯片封测与内存模组制造，为国内存储封测主力之一；内存原厂扩产与国产存储放量带动其封测与模组订单，受益内存上行周期。

半导体级单晶硅材料龙头（刻蚀用大直径硅材料，14-22英寸，纯度10-11个9），已进入国际先进半导体材料产业链；2025年报披露'SK Hynix、三星、美光都计划2026年推出新一代HBM'，原厂扩产拉动刻蚀硅材料及硅零部件需求（间接传导，因果2-3跳）。

存储模组厂商（2025年报SSD占42.5%、嵌入式34%、内存条9.7%），采购DRAM颗粒与内存接口芯片自研DDR4/DDR5内存模组；内存涨价周期下模组库存收益与ASP提升，直接受益。

2025年报披露新增SPD及TS产品线，配套新一代DDR5内存条（存储容量、速度、电压等配置信息），推广速度受益于DDR5内存模组渗透率提升；公司产品客户覆盖三星、OPPO、vivo等，系DDR5生态配套芯片环节。