存储芯片行业面临历史性供需紧张，AI驱动下DRAM/NAND价格暴涨，HBM产能虹吸效应加剧，供需缺口或延续至2028年后

存储模组+封测一体化龙头，嵌入式存储+PC存储占2025年营收93.6%；2025年报明确指'全球AI数据中心建设加速带动存储供需趋紧，以长江存储和长鑫存储为代表的本土原厂迎来历史机遇'，直接受益2026Q2 DRAM/NAND合约价环比+58%~75%的涨价周期。国家大基金二期持股，HBM概念；近期主力5日净流出13.1亿属高位回调。

存储芯片占2025年收入71.3%（SPI NOR Flash全球市占率第二、利基型DRAM），2026年1月公告向西安芯存增资继续实施'DRAM芯片研发及产业化'募投项目；DRAM/NAND缺货涨价直接推升其利基存储ASP与毛利，且与长鑫存储同处存储原厂生态。

内存接口芯片占2025年收入94.2%，DDR5 RCD/DB及MRCD/MDB（支持DDR5-8800 MRDIMM）全球核心供应商，2025年报披露高带宽内存接口产品线；AI服务器DRAM用量8-10倍+DDR5渗透提升直接拉动接口芯片量价，DDR5价格涨幅75%最大也验证其配套价值。

全栈式存储品牌企业（2025年嵌入式44.0%+SSD 24.5%+移动21.5%+内存条9.7%），覆盖消费/企业/车规级，自研主控+固件+封测；NAND/DRAM合约价Q2环比+70%~75%/+58%~63%直接带来模组库存增值与提价弹性，企业级SSD受益AI服务器扩容。

2025年报披露第一大供应商为SK海力士、主营SK海力士数据存储器分销（电子元器件分销占收入94.2%）；SK海力士为HBM全球龙头且2027年产能配额仅为客户初始请求量60%-70%，分销商在涨价周期中量价齐升+库存增值，HBM概念核心标的。

存储业务占收入100%（SSD 42.5%+嵌入式34.0%+移动13.7%+内存条9.7%），自研闪存主控芯片+存储模组一体化；NAND/DRAM供需缺口4.2%/4.9%背景下模组产品直接提价、库存收益增厚，业绩弹性大。

环氧塑封料占收入93.5%，并购衡所华威后年产销量超2.5万吨居全球第二；2025年报披露衡所GR910系列GMC已在NAND FLASH考核通过并批量供货，韩国子公司具备开发HBM所需高导热EMC能力，有望切入全球AI算力芯片供应链，HBM扩产直接受益。

存储类芯片占2025年收入87.6%，2025年报披露为全球DDR2/3/4/5全系列SPD芯片核心供应商，自DDR2世代即配套内存模组；DDR5渗透率提升+内存条合约价暴涨带动SPD/TS配套芯片量价齐升，与澜起接口芯片生态协同。

半导体存储器件测试占收入55.6%，2025年报明确HBM高密度堆叠令测试从'抽样'转'全深度'、为存储测试设备带来结构性增长；老化测试修复设备/探针卡实现进口替代，为国内头部存储厂商（长鑫存储等）主力供应商，2026Q1营收同比+118.84%。

存储芯片占2025年收入61.4%，2025年报披露SRAM/DRAM/NOR Flash在全球车规存储市场占据重要产业地位；DRAM/NAND原厂涨价周期中其车规及工业存储产品ASP与毛利直接受益，海外收入占比82.7%具备全球定价权。

球形硅微粉占收入58.4%，电子级球形二氧化硅为国家制造业单项冠军产品，MUF封装用超细高纯球形硅微粉入选省级推广目录；HBM先进封装及GMC塑封料核心填料供应商，HBM产能扩张直接拉动高端球形硅微粉需求。

半导体前驱体（high-k/硅基/金属类）广泛用于3D NAND、NOR Flash、DRAM先进制程，2025年报披露开发AI先进封装复杂芯片组所需前驱体，半导体业务占收入31.4%；旗下UP Chemical为SK海力士等原厂供应前驱体，长鑫月产能40万片扩产直接带动材料放量。

国内少数可同时提供NAND(65.2%)/MCP(25.0%)/DRAM(5.8%)/NOR完整方案的存储设计公司，聚焦中小容量利基市场；全球原厂产能向HBM/高端DDR5倾斜导致利基存储供给收缩，其产品直接受益供需缺口扩大与价格上涨。

存储半导体业务占2025年收入26%，子公司沛顿科技（深圳+合肥双基地）为国内存储芯片封测主力，年报披露双基地产能产量持续提升并推进先进封测技术；合肥基地紧邻长鑫存储所在地，深度绑定国产原厂扩产封测订单，涨价周期封测量价齐升。

控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025.7-2030.6），以'全部成本+约定收益（总投资10%+超额收益）'为海力士提供DRAM后工序封测，产量即销量，海力士扩产直接放大其产出；同时十一科技工程总包（占收入76.5%）受益长鑫/长存晶圆厂建设。