大摩警告：内存涨价情况仍然激进 Q3成熟制程DRAM可能涨价50%

国内利基存储龙头，存储芯片占2025年营收71.3%，SLC NAND全品类+利基DRAM双线（DDR4 8Gb新品已导入TV/工业客户，LPDDR4 2026H2量产）；26Q1归母净利14.61亿元同比+522.79%（华创证券2026-05-06研报）；2026年与长鑫科技关联交易额度57.11亿元。大摩预测Q3 DDR4涨50%、SLC NAND每季涨50%直接对应其量价齐升。注意5日主力

国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM完整方案的存储原厂，NAND占2025年收入65.2%且以小容量SLC NAND为主，利基DRAM覆盖DDR3/小容量DDR4/LPDDR4X；申万宏源2026-05-06研报指出26Q1净利率高达29%，2026年利基存储价格全线上涨。大摩预测SLC NAND每季度涨50%正是其主力产品线，弹性显著。

存储芯片占2025年收入61.4%，车规/工业利基DRAM龙头，产品以DDR4/LPDDR4为主；2025年报明确指认DDR4/LPDDR4产能严重不足引发DRAM缺货涨价潮，26Q1 DDR4+LPDDR4收入已超DDR3（东方证券2026-05-11研报）。车规存储涨价滞后于消费市场、周期更长，Q3 DDR4再涨50%直接受益。

存储模组龙头：嵌入式44%+SSD 24.5%+内存条9.7%（2025年报），内存条覆盖DDR4/DDR5（4GB-256GB）；自研SLC NAND芯片五款（512Mb-8Gb）及主控芯片。申万宏源2026-05-06研报：26Q1净利率高达40%。DDR4涨价叠加低价库存升值双受益。注意5日主力净流出约34亿，短线高位分歧。

小容量产品以DDR4规格为主，定增问询函回复明确：原厂产能转向HBM/DDR5致DDR4供给收缩、售价快速攀升甚至超过DDR5形成倒挂，2025年内存条毛利率提升14.82pct。DDR4占其核心收入弹性大，大摩预测Q3 DDR4再涨50%将直接增厚毛利率与存货价值。

嵌入式存储60.9%+PC存储32.7%（2025年报），DRAM模组覆盖DDR4/DDR5，具备先进封测能力并跟进HBM4；国家大基金二期入股。存储涨价周期中'模组+封测'一体化模式量价齐升，低价库存增值，DRAM/NAND双品类均受益。

SK海力士核心代理商（第一大供应商），电子元器件分销占收入94.2%（2025年报）；自主品牌'海普存储'企业级SSD/DRAM已量产并首次年度盈利。DRAM全球三大原厂之一海力士产品涨价直接放大其分销收入与库存收益，兼具HBM概念。

存储芯片占收入86.3%（2025年报）；DDR4产品2025年上半年量产（4Gb/8Gb、速率最高3200Mbps），并积极布局DDR5/LPDDR产品线，属利基DRAM新进入者、涨价弹性大；同时NOR Flash亦处温和涨价通道。

拥有SLC NAND Flash产品线（10万次以上擦写寿命），叠加NOR Flash/EEPROM主产品，2025年报披露SLC NAND加速向网络通信、工业控制、汽车电子渗透；NOR受容量迭代与晶圆成本上升带动涨价。SLC NAND每季涨50%直接对应其布局。

存储半导体业务占2025年收入26%，子公司沛顿科技以深圳、合肥双基地运营DRAM/NAND及嵌入式存储封测（产品覆盖DDR3-DDR5/LPDDR5），合肥沛顿为专精特新'小巨人'；涨价周期中原厂稼动率高企带动封测与模组量价齐升，并为国产存储原厂配套。

内存接口芯片占收入94.2%（2025年报），拥有DDR4 RCD/DB芯片及DDR5 MRDIMM高带宽内存方案（MDB芯片实现双倍带宽）；存储涨价是服务器内存景气上行的信号，AI服务器带动DDR5/RDIMM模组升级，直接扩大其内存接口与配套芯片需求。

'存储第一股'，闪存应用产品占收入70.9%（U盘/SSD/DDR内存条等），2025年报引CFM数据：原厂大范围涨价、Q4 DRAM市场环比+49.86%至600亿美元；DDR/SSD模组业务直接受益于颗粒涨价与低价库存增值。

控股子公司海太半导体（持股55%）为SK海力士提供DRAM后工序封测服务，2025年7月《第四期后工序服务合同》已生效（'全部成本+约定收益'模式），半导体业务占2025年利润26%。SK海力士在涨价周期稼动率高企、HBM扩产，直接带动封测订单量增长。

半导体材料（前驱体等）占2025年收入31.4%，为SK海力士、三星等存储原厂供应DRAM/HBM前驱体材料。原厂将产能转向HBM/DDR5（涨价根源）意味着高价值前驱体与先进制程材料需求持续增长，属存储资本开支扩张的间接受益方。

球形硅微粉占收入58.4%，MUF封装用电子级超细高纯球形二氧化硅为HBM/先进封装关键填料（入选江苏省重点推广目录）；存储原厂HBM扩产（产能转移的涨价根源）带动先进封装材料放量，属两跳传导但订单弹性明确。