机构：预计第三季度DRAM现货销量将保持低迷 DDR4价格本周上涨0.67%

DDR4 现货价本周+0.67%至42.90美元，公司以 DDR4 规格为主的小容量内存条为核心产品（2025年报内存条毛利率贡献17.1%）；2026-02定增问询回复明确"原厂产能集中HBM/DDR5致DDR4供给收缩、价格倒挂，内存条毛利率提升14.82pct"，涨价直接利好其量价与库存增值。但主力5日净流出7.36亿，主题已充分交易。

存储芯片收入占61.4%（2025年29.11亿元），车规/利基DRAM以DDR4、LPDDR4为主且全球市占领先；2025年报明确"DDR4、LPDDR4产能严重不足引发DRAM缺货涨价潮"。DDR4现货价上行直接抬升其利基存储ASP，东方证券2026-05-11研报称其"深度受益利基存储紧缺，车规存储涨价周期更长"。

NAND系列收入占65.2%、DRAM占5.8%（2025年报），利基型DRAM覆盖DDR3/小容量DDR4/LPDDR4X，是国内少数同时提供NAND/NOR/DRAM的存储设计公司。DDR4现货+0.67%与512Gb TLC NAND晶圆+0.39%双线涨价均直接对应其产品线，量价弹性大，主力5日净流入0.36亿。

存储芯片收入占71.3%（2025年报），利基DRAM以DDR4及8Gb大容量DDR4为主；2026-01-23公告向子公司增资实施DRAM募投项目。国盛证券2026-05-07研报指"利基存储全面涨价，26Q1 DRAM环比翻倍以上增长"，DDR4涨价周期直接受益。

存储模组龙头，NAND及DRAM全覆盖，内存条产品线覆盖DDR4及DDR5（2025年报：嵌入式44%、SSD 24.5%、内存条9.7%）。存储涨价周期下模组售价与库存价值同步上行，DDR4/NAND现货价上涨直接传导至其存储业务收入与毛利。

存储模组厂商（嵌入式存储60.9%、PC存储32.7%，2025年报），与主要NAND及DRAM晶圆原厂签订长期协议并策略性备货以应对晶圆价格波动。DRAM/NAND现货价上行期，其产品售价与库存收益同步提升，直接受益涨价周期。

DDR4产品已于2025年上半年量产（2025年报），正构建DRAM+利基NAND/eMMC嵌入式存储布局；年报同时确认NOR Flash价格下半年回暖。存储价格上行周期中，DDR4新品放量与存储产品涨价形成双击。

半导体存储器收入占89.8%（2025年报，子公司大为创芯），产品覆盖DDR3/DDR4/DDR5、LPDDR4X及NAND（eMMC/BGA/UFS），并采用长鑫DRAM与长江存储NAND方案。DDR4与NAND现货价上涨直接提升其存储器产品售价与毛利。

2025年报确认存储半导体业务从事DRAM、NAND FLASH及嵌入式存储芯片封测，覆盖DDR3-LPDDR5、eMMC等产品，该业务收入占比26%。存储涨价周期带动封测量价齐升，DDR4/NAND现货价上行印证行业景气向其封测订单传导。

拥有SK海力士等一线存储原厂代理资格，电子元器件分销收入占94.2%（2025年报）；自主品牌"海普存储"已完成企业级DDR4/DDR5研发量产（光大证券2026-01-12研报）。DDR4现货价上行利好其分销与自有品牌售价，但Q3现货成交量低迷对其走量构成拖累。

内存接口芯片收入占94.2%（2025年报），DDR4 RCD/DB芯片覆盖DDR4-2133及以上速率（年报产品线披露）。存储景气上行推动服务器内存模组需求与接口芯片出货，但服务器以合约价为主，与DDR4现货价传导为间接关系。

子公司海太半导体为SK海力士DRAM产品提供后工序封测服务，第四期合同2025-07-01至2030-06-30按"全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）"结算（2025年报）；海力士DRAM量价上行直接增厚其超额收益，半导体业务占收入15.3%。

存储类芯片（EEPROM）收入占87.6%（2025年报），SPD EEPROM直接配套DDR4/DDR5内存模组（公司简介明确应用于内存模组领域）。存储模组景气与出货放量带动SPD配套需求，属间接传导，弱于原厂与模组环节。

参股长鑫科技（中国第一、全球第四DRAM厂商，产品覆盖DDR4至DDR5/LPDDR5X），2025-12-31公告长鑫科技科创板IPO获上交所受理。长鑫深度受益DDR4涨价周期，公司股权投资价值提升，但主业为水泥，属资金收益型间接关联。