福建：加快研发提升车规级高功率器件 开发面向5G/6G宏基站及低轨卫星通信的射频芯片与微波组件

公司总部位于福建厦门，是国内化合物半导体全产业链龙头，覆盖SiC/GaN衬底、外延、芯片及器件。政策提出“构建全链条化合物半导体产业”，与公司业务高度契合。2025年年报显示，SiC、GaN电力电子芯片及射频芯片是重点发展领域，应用于通信基站、新能源汽车等。

公司是国内射频微波芯片/组件第一梯队供应商，2025年年报显示，其射频芯片及组件广泛应用于卫星通信、5G基站等领域，突破可重构多模融合卫星通信射频收发技术，完成兼容北斗短报文和高/低轨语音卫星通信信号体制的射频芯片样品研制。

公司是国内少数实现氮化镓通信基站射频芯片批量供货的企业之一，2025年年报显示，其氮化镓通信基站射频芯片业务覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供终端产品所需的芯片，产品用于移动通信基站发射链路。

公司是国内极少数实现“芯片-模块-系统”全产业链自主可控的功率半导体供应商，2025年年报显示，其功率半导体器件包括车规级IGBT、SiC MOSFET等，为轨道交通、工业传动及新能源装备提供高可靠核心器件。

公司是全球IGBT模块市场排名第五的企业，2025年年报显示，其车规级IGBT和SiC MOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点，并首次进入商业航空领域，产品应用于新能源汽车、工业控制等领域。

公司是国内半导体设备龙头，2025年年报显示，其MOCVD设备广泛应用于化合物半导体材料外延，是化合物半导体芯片产业链的核心装备，在氮化镓功率器件外延设备领域具有增长空间。

公司是半导体设备龙头，2025年年报显示，其在碳化硅衬底领域具备6-8英寸技术，积极推进8英寸碳化硅衬底客户验证，并在马来西亚投建产业化项目，形成国内外双产能布局。政策提到“引进核心装备企业”、“提升碳化硅衬底量产能力”。

公司主营半导体晶体生长设备，2025年年报显示，其碳化硅单晶炉产品覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备，下游应用包括5G通信、卫星、雷达等领域。政策提到“引进核心装备企业，培育单晶生长炉”。

公司是国内碳化硅衬底龙头企业，2025年年报显示，其大尺寸碳化硅衬底产品经济性持续加强，与下游头部客户持续推进技术合作，在碳化硅衬底领域具有较强持续供货优势。

公司推出6/8英寸化合物半导体湿法工艺产品线，支持碳化硅、氮化镓等化合物半导体领域的工艺应用，2025年年报显示，其新型化合物半导体刻蚀设备已实现量产。

公司布局碳化硅衬底业务，2025年年报显示，其6英寸衬底价格触底企稳，8英寸转型全面提速，国内龙头企业实现规模化量产与应用。政策提到“提升碳化硅衬底量产能力”。

公司拥有碳化硅粉料、衬底片、外延片量产线，2026年1月公告投资建设碳化硅衬底、外延、器件制造项目，总投资约72亿元，形成产业链协同。政策提到“发展高纯碳化硅粉体、石墨碳毡等关键耗材本地配套”。

公司是厦门半导体光电企业，2025年年报显示，其砷化镓芯片扩产项目用于生产砷化镓芯片，可延伸应用于星载相控阵T/R组件、抗辐射射频芯片等核心器件，适配卫星通信等场景。政策提到“开发射频芯片”。