英飞凌将建设全球首个12英寸氮化镓晶圆厂，计划投资11亿欧元

2025年报披露铜针式散热基板（收入占比69.7%、利润占比94.7%）与英飞凌、博世、安森美、意法半导体等建立长期稳定合作关系，系车规级功率模块散热基板领先企业。英飞凌11亿欧元扩产、2027年底投产将直接放大其模块散热基板采购需求。

2025年报披露高纯三氟化氮、六氟化钨、高纯氯化氢等电子特气稳定供应台积电、英飞凌、美光、海力士等，电子特气收入占比85.2%、国外收入占比25%。英飞凌菲拉赫12英寸GaN新厂2027年底投产，将带来新增特气长周期采购。

2025年报载明面向GaN功率器件的新型MOCVD设备已发往下游客户量产验证，为GaN外延设备国产化做准备；年报引Yole预计GaN功率器件市场从2024年3.6亿美元增至2030年超29亿美元（CAGR 42%）。英飞凌建成全球首个12英寸GaN量产基地，强化GaN外延设备需求预期。

旗下安世半导体为IDM模式，2025年报明确产品组合含氮化镓场效应晶体管（GaN FET），半导体业务利润占比89.6%。英飞凌率先落地12英寸GaN量产基地验证GaN功率路线，安世作为国内GaN FET主要供应商承接赛道扩容与国产替代。

2025年报明确氮化镓器件已应用于低功率消费电子，并逐步向新能源汽车、高功率数据中心、通信电源渗透，公司构建化合物半导体垂直产业链，且'十五五'规划将碳化硅、氮化镓列入产业重点方向。海外巨头百亿级扩产验证GaN路线，国产替代提速。

华虹半导体重组报告书（2026-03-31）列示士兰微主要产品含SiC、GaN功率器件；公司为国内IDM龙头，产线实现从5吋到12吋跨越并拓展化合物产线。全球首个12英寸GaN基地落地验证技术路线，其GaN功率器件业务具备放量承接能力。

2025年报指出SiC与GaN是第三代半导体产业化最成熟、需求最旺盛的两大核心品类，GaN主要应用于5G通信、微波射频、AI服务器电源等领域。公司为国内功率半导体IDM龙头，在英飞凌扩产验证GaN景气下具备高端功率替代承接能力。

2025年报指出英飞凌连续多年全球及中国功率分立器件销售额排名第一，国际三巨头2024年合计占全球45%份额；公司为功率半导体设计企业（功率IC+功率器件收入占比超96%），布局SiC/GaN固态继电器等三代半产品，GaN赛道扩容强化其国产替代逻辑。

2025年报引GII及智研咨询数据：中国GaN功率半导体市场2025年约5亿美元、2030年有望达22.35亿美元；斯达半导问询函回复（2026-01）披露新洁能'第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化'项目建设中。GaN渗透加速直接受益。

可转债问询回复（2026-01-22）披露'车规级GaN模块产业化项目'，GaN模块应用于新能源汽车主电机控制器、充电桩、OBC、AI服务器电源；Omdia 2023全球IGBT模块市占率第五。英飞凌12英寸GaN扩产验证GaN模块需求，公司GaN模块为新增长曲线。

重组报告书（2026-03-31）列示主要产品含GaN，公司为8/12英寸特色工艺晶圆代工厂，功率器件平台（超结MOSFET、IGBT）全球领先，拥有12英寸纯晶圆制造能力。12英寸GaN量产路线获验证，其12英寸产线在GaN代工国产化上具备卡位。

国内车规级IGBT/SiC芯片及模组领先代工厂，晶圆代工收入占比73.1%；2025年报指出AI算力扩张推动GaN等第三代半导体功率器件成为新一代AI算力基础设施优选方案。GaN渗透提速下，其功率代工平台具备工艺拓展与承接基础。

2025年业绩说明会（2026-03-11）披露控股以色列VisIC高功率氮化镓业务运营正常，马来西亚生产基地预计年底进入打样试产；中邮证券2026-03-17研报指出公司持续推进高功率GaN技术与全球化布局。英飞凌扩产验证GaN功率赛道，其车规GaN封装与器件布局受益。

2025年报披露外延炉系列设备采用水平式热场结构、闭环多片晶圆温控，系列产品可用于氮化镓、砷化镓等外延层生长，SiC外延炉已形成量产产品。GaN功率器件扩产（英飞凌12英寸基地）将带动上游外延设备需求预期。